广东省科技攻关计划(2006B13301006)
- 作品数：2 被引量：9H指数：1
- 相关作者：唐振方张正法卫红赵健彭舒更多>>
- 相关机构：暨南大学广州市光机电工程研究开发中心更多>>
- 发文基金：广东省科技攻关计划更多>>
- 相关领域：理学更多>>
- 射频磁控溅射工艺制备二氧化钒薄膜被引量：9
- 2008年
- 以V2O5陶瓷烧结靶材及射频磁控溅射工艺制备V2O5薄膜,再经氩气气氛退火处理得到VO2薄膜。采用扫描电子显微镜观察不同制备条件下薄膜表面微观形貌特征,拉曼光谱和X射线光电子能谱用来分析确定退火前后薄膜的物相结构及化合价态。结果表明,溅射4h、450℃退火2h制备的薄膜结晶形态良好,VO2纯度高于94%原子分数。
- 唐振方赵健卫红张正法
- 关键词：VO2薄膜射频磁控溅射退火
- 掺杂与退火温度对VO_2薄膜性能的影响
- 2008年
- 采用真空蒸发法在普通玻璃表面制备了VO2薄膜,研究了退火温度和掺杂对薄膜表面形貌、晶体结构、电学性能和光学性能的影响.结果表明:经400℃、420℃、450℃、500℃退火得到的VO2薄膜其表面形貌和晶体结构存在明显的差异,其中420℃退火后的薄膜结晶形态良好,主要成分是VO2,在65℃左右表现出明显的电阻突变,常温下在波长1700nm附近薄膜的光透过率达59.9%;在VO2薄膜中掺入W6+,相变温度有所降低,但掺杂使薄膜光透过率降低.
- 周序乐唐振方彭舒
- 关键词：VO2薄膜掺杂相变
