重庆市自然科学基金(2007BB2120)
- 作品数:2 被引量:10H指数:2
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- InGaAs/GaAs应变量子阱激光器MOCVD生长研究被引量:8
- 2010年
- 采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)方法生长了InGaAs/GaAs应变量子阱(QW),通过降低生长温度、提高生长速度以及采用应变缓冲层(SBL)结构,改善了应变QW生长表面质量和器件荧光(PL)谱特性,实验表明,通过优化工艺条件和采用SBL等手段提高了应变QW质量。生长的QW结构用于1054 nm激光器的制作,经测试,器件具有较低的阈值电流和较高的单面斜率效率,性能较好。
- 刘安平段利华周勇
- 纳米磁流体磁性能与微结构特性关系研究被引量:2
- 2010年
- 用水热法制备了Fe3O4纳米磁流体样品,测试了样品对磁场的响应度,利用原子力显微镜表征分析磁流体的微结构特征,观测了磁流体材料颗粒粒径大小及形貌,且重点分析了磁特性与微结构的关系。分析结果表明,制备的Fe3O4纳米磁流体粒径大小约为5.00nm;不同质量分数的配比影响着磁流体对磁场的响应度,质量分数为10%时的响应度最高;磁流体所表现的磁特性与链状微结构变化紧密相关,纳米颗粒在Fe3O4磁流体中的分布情况决定了其链状微结构的变化。
- 刘安平杨学恒
- 关键词:原子力显微镜微结构表征