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2,5-二芳基取代基-1,3,4-噁二唑类衍生物的合成与表征被引量：10: 2006年; 以双酰肼环合法合成了含1,3,4-噁二唑结构单元的溴代芳卤,然后通过Sonogash ira钯催化偶联作用与不同单取代炔反应合成了3个新的2,5-二取代-1,3,4-噁二唑类小分子衍生物,其结构经DSC,1H NMR,IR和元素分析表征。; 徐洪耀沈娟光善仪李村; 关键词：电子传输材料噁二唑 SONOGASHIRA偶联反应

芳基溴化合物的合成被引量：1: 2007年; 以对溴苄溴和芳醛为原料,采用相转移Wittig反应合成了3个芳基溴化合物。其结构经1H NMR,IR和元素分析表征。; 吴蕾徐洪耀苏新艳陈春燕; 关键词：WITTIG反应芳基溴

羟基磷灰石／高分子复合生物材料的研究进展被引量：6: 2008年; 综述了羟基磷灰石(HAP)与人工合成高分子、天然生物蛋白等复合材料研究进展。并对复合材料制备过程中制备方法、高分子结构对材料性能如生物活性及材料力学性能影响与对生物力学性能增强机理进行讨论。为进一步对HAP-高分子复合材料研究提供参考。; 光善仪沈玉华戴晨伟张进徐洪耀; 关键词：羟基磷灰石复合材料生物材料高分子材料

二苯乙烯衍生物的制备及结构-光学性能关系的研究被引量：11: 2008年; 有机共轭材料由于在电子、非线性光学和发光领域具有广泛应用,引起人们广泛兴趣。苯乙烯衍生物是一类重要的有机共轭化合物。文章采用相转移Wittig反应和钯催化Heck反应合成了三种不同取代基二苯乙烯衍生物。研究了分子结构与电子吸收光谱和材料发光性能关系。同没有取代基的化合物3a相比(电子最大吸收峰波长358nm),化合物3c中CH3取代导致电子吸收光谱轻微红移到356nm,硝基取代的化合物3b呈现出更大的吸收光谱红移现象,电子吸收最大峰红移到388nm。同时发现:CH3取代的化合物3c产生荧光发射峰在414nm,同没有取代基的化合物3a相比,荧光发射强度明显增强;相反具有吸电子NO2取代基的化合物3b荧光发射峰位于525nm,荧光发射强度明显减弱。可见二苯乙烯分子中取代基结构对分子光学性能产生重要影响。这为发光材料的分子设计提供新的思路。; 徐洪耀吴蕾胡蕾; 关键词：二苯乙烯衍生物荧光

含非线性生色团取代聚丙烯酸酯的溶液性质被引量：1: 2008年; 研究高分子的分子结构以及链结构行为和规律,对材料设计和应用有极为重要的意义。采用凝胶渗透色谱示差折光指数(RI)/黏度(DV)/激光光散射(RALLS)三检测联用技术,研究了非线性光学聚合物———侧链型聚丙烯酸酯的溶液性质,详细分析了侧链刚性共轭结构以及刚性共轭基团与主链之间连接链的方式与结构对高分子特性粘数、均方旋转半径0/M和Flory特征比C∞的影响。结果发现侧链共轭结构长度增加将增大分子的无扰尺寸和Flory特征比;主链与共轭基团间通过柔基团连接时,分子无扰尺寸和Flory特征比降低。; 徐洪耀方敏吴金翠光善仪; 关键词：聚丙烯酸酯特性黏数

含偶氮苯非线性光学生色团末端烯的合成被引量：2: 2007年; 采用酰氯酯化法,通过对烯丙氧基苯甲酰氯与胺基偶氮苯反应,合成了6个含偶氮苯非线性光学生色团的末端烯,其结构经1H NMR,IR和元素分析表征。; 徐洪耀李晟邵宗龙胡蕾; 关键词：酯化反应偶氮苯

聚合物／POSS纳米复合材料热性能增强机理研究进展被引量：11: 2008年; 笼型倍半硅氧烷(POSS)是由Si-O-Si键组成的无机核、顶点处连接有机取代基团的大小0.5nm^3 nm结构规整的新型纳米分子,具有高的热稳定性。文中就聚合物/POSS纳米复合材料热性能的影响因素进行综述,讨论了各种热性能增强机理的研究进展。; 徐洪耀贾勇冯燕; 关键词：笼型倍半硅氧烷纳米复合材料热性能

羟基磷灰水热法可控制备的研究: 羟基磷灰石具有生物活性和生物相容性,因此, 羟基磷灰石的合成及控制研究是当今生物材料领域研究的重要热点．水热合成法是实现高纯 HAP 制备的有效方法,然而,单一的合成方法很难实现 HAP 结构及大小有效控制．综述了近几年...; 光善仪戴晨伟高翔徐洪耀沈玉华; 关键词：羟基磷灰石生物材料高分子材料水热合成; 文献传递

铪催化合成聚3-羟基丙酸被引量：3: 2007年; 以3-羟基丙酸(3-HP)为单体,金属铪(Ⅳ)催化合成了高纯度的聚3-羟基丙酸[P(3-HP)]。3-HP和P-(3-HP)的结构经NMR,FT-IR和GPC等表征。; 方孝斌陶玉伦许开天徐洪耀; 关键词：3-羟基丙酸聚酯生物可降解缩合反应

稀土Y_(2-x)SiO_5∶Eu_x^(3+)纳米发光材料结构对发光性能影响及发光机理研究被引量：9: 2007年; 用溶胶凝胶法合成了Y2-xSiO5∶Eux纳米发光材料,使用XRD、FTIR和TEM对其结构进行了表征。讨论了相结构、煅烧温度和Eu3+掺杂浓度对材料发光性能的影响及规律。结果显示煅烧温度在900℃以下,材料主要呈非晶相结构,900℃以上材料主要呈晶态结构;颗粒随煅烧温度升高而增大,在非晶态时颗粒大小在15~45nm,在晶态时颗粒大小为60~80nm。激发光谱和荧光发射光谱受材料晶相结构以及Eu3+掺杂浓度的影响,在晶态结构中Y2-xSiO5∶Eux纳米材料呈现更精细的激发和发射光谱。在激发光谱中,电荷转移态吸收(CST)随煅烧温度升高呈现兰移现象,晶态时CST同非晶态相比明显红移;在发射光谱中,非晶态时5D0→7F2跃迁呈现强的发光峰,随材料制备温度升高而增强,在晶态时该发光峰强度减弱,在长波波段呈现两个新的发光尖峰,并随煅烧温度升高而增强;5D0→7F1发射峰从非晶态转变为晶态后,光谱裂分为三重尖峰;而5D0→7F0跃迁发光光谱受结构和颗粒大小影响较小。同时在60~80nm的Y2-xSiO5∶Eux晶体中,发现材料5D0→7F2和5D0→7F1跃迁发光强度,均受Eu3+掺杂浓度的影响,当掺杂浓度x=0.4时,材料发光强度最大。; 光善仪张超徐洪耀王海燕林乃波; 关键词：EU^3+

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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-04-0588)