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国家自然科学基金(50577065)

作品数:3 被引量:18H指数:3
相关作者:郑鑫森丁爱丽仇萍荪程文秀何夕云更多>>
相关机构:中国科学院更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:电气工程一般工业技术更多>>

文献类型

  • 3篇中文期刊文章

领域

  • 3篇电气工程
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 2篇电性能
  • 1篇电流
  • 1篇电阻片
  • 1篇压电
  • 1篇压电陶瓷
  • 1篇振动磨
  • 1篇陶瓷
  • 1篇通流能力
  • 1篇通流容量
  • 1篇无铅
  • 1篇无铅压电
  • 1篇无铅压电陶瓷
  • 1篇NA
  • 1篇NBO
  • 1篇SR
  • 1篇ZNO变阻器
  • 1篇ZNO电阻片
  • 1篇MN掺杂
  • 1篇变阻器
  • 1篇残压

机构

  • 3篇中国科学院

作者

  • 1篇刘涛
  • 1篇何夕云
  • 1篇郑嘹赢
  • 1篇李国荣
  • 1篇程文秀
  • 1篇仇萍荪
  • 1篇丁爱丽
  • 1篇郑鑫森

传媒

  • 1篇无机材料学报
  • 1篇电瓷避雷器
  • 1篇功能材料

年份

  • 1篇2007
  • 2篇2006
3 条 记 录,以下是 1-3
排序方式:
提高ZnO变阻器电性能的研究被引量:3
2006年
ZnO变阻器电气性能的提高对避雷器的运行可靠性起着主要作用。本文首先采用两种新型球磨工艺制备了细化的ZnO陶瓷变阻器的添加剂。并且通过改进粘结剂和无机/有机复合侧面绝缘层配方,使ZnO变阻器的残压比、2ms方波通流、4/10μs大电流冲击等电性能有了大幅度的改善。
翟维琴姚政金继华祝铭郑嘹赢
关键词:ZNO变阻器残压比通流容量振动磨
提高ZnO电阻片电性能的研究被引量:7
2006年
ZnO电阻片电气性能的提高对金属氧化物避雷器的运行可靠性起着重要的作用。采用振动磨加搅拌球磨及行星高能球磨工艺后,ZnO电阻片的烧成体积密度提高了0.97%,梯度提高了约30V/mm,U5kV/U1mA降低了0.1左右,600A/2ms方波全部通过。采用药膜04作为粘结剂,优化了成型粒料匹配,流动性提高了39s,坯体的微观结构均匀,ZnO电阻片方波通过率有所提高。应用纳米材料于有机绝缘层中,D5ZnO电阻片的筛选合格率从92.3%提高到98.5%,D6ZnO电阻片的筛选合格率从91.2%提高到98.3%,D7ZnO电阻片的筛选合格率从90.1%提高到97.8%。4/10大电流耐受能力也明显提高,!30ZnO电阻片4/10大电流耐受能力达65kA。
姚政翟维琴金继华祝铭李国荣
关键词:ZNO电阻片通流能力
Mn掺杂(K_(0.5)Na_(0.5))_(0.96)Sr_(0.02)NbO_3无铅压电陶瓷的研究被引量:8
2007年
采用常压烧结方法制备了Mn掺杂的(K0.5Na0.5)0.96Sr0.02Nb1-xMnxO3无铅压电陶瓷.研究了Mn含量对该体系材料的相组成、微观结构、介电、压电和热稳定性能的影响.XRD表明随着Mn含量的增加,体系由正交相过渡到赝四方相;而且,富Na的第二相消失,得到纯净的钙钛矿相结构.在Mn含量为x=0.03和0.04时,观察到了两个温度(200和390℃)处的介电反常,这和晶格畸变引起的复晶胞结构有关.Mn含量为x=0.02时,得到综合性能优良的压电超声换能器用材料:介电常数ε33 7/ε0=479,压电常数d33=121pC/N,机电耦合系数Kp=41%,机械品质因子Qm=298,介电损耗tanδ=1.6%,居里温度Tc=391℃,谐振频率fr和机电耦合系数Kp随温度的变化率αfr(80℃)和αKp(80℃)分别为-1.85%和1.19%.
刘涛丁爱丽何夕云郑鑫森仇萍荪程文秀
关键词:无铅压电陶瓷
共1页<1>
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