国家自然科学基金(50072045)
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
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- 相关机构：长春理工大学中国科学院长春工程学院更多>>
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- 相关领域：理学电子电信化学工程机械工程更多>>
- 非理想配比二氧化钒薄膜喇曼光谱研究被引量：1
- 2006年
- 采用射频(RF)磁控溅射在各种条件下制备的VO2薄膜的喇曼光谱曲线。研究发现,和理想配比VO2薄膜的主要喇曼峰相比较,无论是富钒的VO2薄膜还是富氧的VO2薄膜它们主要的喇曼峰都向高频方向移动。我们提供了实验证据并且讨论了非理想配比导致VO2薄膜喇曼光谱变化的原因。
- 袁宏韬冯克成张先徽
- 关键词：二氧化钒薄膜喇曼光谱射频磁控溅射
- RAMAN谱研究在退火和镍衬底上金刚石形核中甲烷的影响(英文)
- 2002年
- 藉助SEM和MICRO RAMAN ,我们研究了在退火和在镍衬底上金刚石形核中甲烷CH4 的影响。CH4 的浓度分别为 0 % ,0 5 % ,1 5 %和 2 5 % ,其中当甲烷浓度为 1 5 %时 ,金刚石在镍衬底上金刚石形核密度为 3× 1 0 8/cm2 ,这个结果高于以前的结果。金刚石膜的质量是好的。
- 费允杰王学进熊艳云冯克安
- 关键词：RAMAN谱退火甲烷金刚石薄膜CVD
- 在n型硅基底上二次注入硼离子金刚石膜的p-n结效应(英文)
- 2005年
- 在n型Si衬底上用热丝化学气相沉积方法制备了多晶金刚石膜,用200keV的离子注入机在金刚石膜中进行了二次硼离子注入,第一次注入能量为70keV,第二次注入能量为120keV,获得了硼离子的均匀分布,测试了样品的I-V特性,发现其具有明显的pn异质结效应.
- 孙秀平冯克成李超张红霞费允杰
- 关键词：离子注入金刚石膜异质结
- 金刚石薄膜的形核研究被引量：4
- 2003年
- 本文介绍了当前金刚石薄膜形核的现状及用热丝化学气相沉积法在不同的衬底上沉积金刚石膜 ,对Si、Ni、Cu三种衬底生长的金刚石膜进行研究如何增大形核密度、提高形核质量。得到了制备高密度和高质量的金刚石膜的方法。
- 孙秀平李超张先徽冯克成曲直
- 关键词：热丝化学气相沉积形核金刚石薄膜
- PcNi-VO_2复合膜相变光谱特性研究被引量：3
- 2007年
- 采用射频磁控溅射的方法在蓝宝石衬底上沉积了高品质的VO2薄膜,并在其上旋涂了酞菁镍[C8H17O]8PcNi薄膜。通过XRD研究了VO2薄膜的微结构。利用红外光谱仪观察了PcNi/VO2复合膜相变前后光学性质的改变,发现PcNi膜在1.5～5.5μm对VO2膜有增透作用,PcNi/VO2复合膜相对于VO2膜的热色性和相变温度都没有改变。预期PcNi/VO2膜比单一PcNi膜和VO2膜的光限幅能力会更强。
- 袁宏韬冯克成张先徽
- 关键词：二氧化钒薄膜酞菁相变光学性质
