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国防科技技术预先研究基金(51410020401JW0504)

作品数：11 被引量：115H指数：7
相关作者：陈建国乔学亮李世涛梅冰吴长乐更多>>
相关机构：华中科技大学更多>>
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相关领域：一般工业技术电子电信理学金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 7篇一般工业技术
  • 5篇电子电信
  • 4篇理学
  • 2篇金属学及工艺
  • 1篇机械工程

主题

  • 5篇溅射
  • 5篇ITO薄膜
  • 5篇磁控
  • 5篇磁控溅射
  • 3篇氧流量
  • 3篇纳米
  • 2篇铟锡氧化物
  • 2篇吸波
  • 2篇吸波材料
  • 2篇溅射制备
  • 2篇光电
  • 2篇磁控溅射制备
  • 1篇导电
  • 1篇导电薄膜
  • 1篇导电机理
  • 1篇电导
  • 1篇电导率
  • 1篇性能研究
  • 1篇氧化镁
  • 1篇氧离子

机构

  • 11篇华中科技大学

作者

  • 11篇李世涛
  • 11篇乔学亮
  • 11篇陈建国
  • 2篇梅冰
  • 1篇贾芳
  • 1篇王洪水
  • 1篇吴长乐

传媒

  • 2篇材料导报
  • 2篇中国有色金属...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇太阳能学报
  • 1篇宇航学报
  • 1篇功能材料
  • 1篇激光杂志
  • 1篇光电工程
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 4篇2006
  • 5篇2005
  • 2篇2004
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
纳米氧化镁及其复合材料的抗菌性能研究被引量：26
2005年
参考最近有关文献,认为抗菌材料已经成为传统材料与环境一体化的方向,作为新型陶瓷抗菌剂的纳米MgO系材料与其它抗菌剂相比,表现出独特的抗菌性和广泛的应用背景,对其研究已成为国外研究的新热点。本文总结了纳米MgO粉体的制备方法,分析了其抗菌机理,概述了其最新研究进展和复合制备技术,最后指出了存在的问题和研究方向。
李世涛乔学亮陈建国吴长乐梅冰
关键词：纳米氧化镁抗菌复合抗菌剂
射频磁控溅射沉积ITO薄膜性能及导电机理被引量：4
2006年
将In2O3和SnO2粉末按质量比1：1热压烧结制成靶材，采用射频磁控溅射制备了高性能的ITO薄膜。实验结果表明：氩气压强对薄膜的电阻率、可见光透射率TVITL有着重要的影响，其最佳值为0．2Pa。ITO膜的方阻、TVIL和颜色与膜厚有着密切的关系。提高基体温度ts可以改善薄膜的性能，在ts为200℃时，ITO薄膜的1k达到90％以上（含玻璃基体），方阻为13．1Ω／□。根据薄膜生长的3个阶段理论，建立了薄膜厚度与电阻率的关系：在ITO薄膜生长过程中，依次出现热发射和隧道效应、逾漏机制以及Cottey模型导电机理。由实验结果求得了临界厚度吐约为48-54nm，AFM表征结果进一步表明ITO薄膜随着厚度增加表现出不同的导电机理和尺寸效应。
李世涛乔学亮陈建国
关键词：ITO薄膜磁控溅射导电机理
纳米复合薄膜吸波剂的研究被引量：9
2004年
作为三种重要的革新技术之一,隐身技术已经成为两栖和电磁相结合的现代集成战争的最重要和有效的手段。特别是雷达吸波材料在隐身技术中处于举足轻重的地位。指出,纳米复合和多层吸收材料是未来雷达吸收材料的研究热点和发展方向,而有效的雷达吸收涂层的涂覆方法可获得低密度、薄厚度、宽频带、强吸收的效果。
李世涛乔学亮陈建国
关键词：纳米复合薄膜吸波剂吸波材料隐身技术
塑料基体低温沉积ITO薄膜的研究被引量：7
2004年
综述了塑料基体低温沉积ITO薄膜国内外的最新研究现状,并指出了现在存在的问题,认为实现低温沉积、保证薄膜的光电性能和改善薄膜表面质量是3个关键技术。同时结合自己的研究工作,提出了相应的解决方法和建议。
李世涛乔学亮陈建国
关键词：塑料ITO薄膜光电性能
纳米复合吸波材料的研究进展被引量：41
2006年
纳米吸波材料是解决电磁污染和雷达隐身的关键因素之一,能提高电子系统的电磁兼容性和隐身装备的突防能力。目前正在研究覆盖厘米波、毫米波、红外、可见光等波段的纳米复合吸波材料。介绍了纳米吸波剂的吸波剂机理,综述了其研究现状,并对纳米薄膜吸波剂、纳米陶瓷吸波剂、纳米铁氧体吸波剂和化学表面修饰纳米碳管吸波剂进行了探讨,总结了各自的有缺点。最后对制备强、宽、轻、薄的纳米复合吸波剂进行了展望。
李世涛乔学亮陈建国
关键词：吸波材料陶瓷铁氧体纳米碳管
氧流量对铟锡氧化物薄膜光电性能的影响被引量：7
2006年
采用射频磁控溅射法,在不同氧流量(0~10sccm)的条件下沉积了铟锡氧化物(In2O3-SnO2)透明导电薄膜。紫外分光光度计测试薄膜的透射率,四点探针测试薄膜的方阻,椭偏仪测试薄膜的复折射率和薄膜厚度,XPS测试ITO薄膜的成分和电子结构。结果表明:薄膜的沉积速率和折射率与氧流量有关,薄膜厚度为60nm,氧流量在9sccm时,透射率超过80%(波长λ=400nm^700nm,包括玻璃基体),退火后透射率、方阻明显改善。XPS分析表明,薄膜中的亚氧化物的存在降低了薄膜的光电性能,控制氧流量可减少亚氧化物。
李世涛乔学亮陈建国
关键词：磁控溅射铟锡氧化物透明导电薄膜氧流量
射频磁控溅射室温下制备ITO薄膜的光学性能研究被引量：5
2005年
靶材为铟锡氧化物(In_2O_3:SnO_2=1:1),用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的 ITO 薄膜。质量流量计调节 Ar 气压强为0.2～3.0Pa,氧流量为0～10sccm,并详细探讨了溅射时氩气压强和氧流量变化对ITO 薄膜光学性能的影响。结果表明:溅射 Ar 气压强为0.8Pa,氧流量为2.4sccm 时,薄膜的折射率最低 n=1.97,较接近增透膜的光学匹配。薄膜厚度为241.5nm 时,薄膜的最大透过率为89.4%(包括玻璃基体),方阻为75.9Ω/□,电导率为8.8×10^(-4)Ω·cm。
李世涛乔学亮陈建国
关键词：射频磁控溅射法ITO薄膜薄膜厚度铟锡氧化物方阻
磁控溅射制备增透ITO薄膜及其性能研究被引量：12
2005年
用射频磁控溅射法在低温下制备了光电性能优良的ITO(In2O3:SnO2=1:1)薄膜。质量流量计调节氩气压强PAr为0.2～3.0Pa,氧流量fO2为0～10sccm,并详细探讨了溅射时PAr和fO2变化对ITO薄膜光学性能的影响。结果表明:fO2的改变引起薄膜中氧空位浓度变化而影响ITO薄膜折射率n;fO2对ITO靶材表面的溅射阀值和对Ar+散射而改变溅射速率。衬底表面粗糙度对ITO薄膜的折射率测量准确性有较大影响。PAr为0.8Pa,fO2为2.4sccm,薄膜厚度为241.5nm时,nmin=1.97,最大透过率为89.4%(包括玻璃基体),方阻为75.9?/□,电阻率为8.8×10-4?·cm。AFM分析表明薄膜表面针刺很少,表面平整(RMS=3.04nm)。
李世涛乔学亮陈建国王洪水贾芳
关键词：磁控溅射氧流量ITO薄膜室温增透
P型透明导电氧化物薄膜的研究被引量：3
2006年
p-TCO薄膜可能开辟一个新的应用领域,但其导电率远小于n-TCO薄膜的导电率,成为制约p-n型TCO应用的关键问题之一。该文归纳了p-TCO的种类和晶体结构,讨论了其半导体机制和能带结构。综述了最近p-TCO薄膜的制备技术和研究进展,分析了导电机理和跃迁模型。认为应综合考虑掺杂、量子效应与尺寸效应、能带结构和载流子浓度与迁移率,才能解决其电导率低的问题。
李世涛乔学亮陈建国
关键词：量子效应电导率
磁控溅射制备In_2O_3-SnO_2薄膜与分析被引量：10
2005年
选择In2O3与SnO2质量比1：1的靶材为溅射源，采用磁控溅射法沉积了ITO薄膜，讨论了溅射氩气压强、氧流量、基体温度对薄膜透射率和方阻的影响，深入分析了其机理。研究结果表明：溅射时采用低Ar压强更有利于降低ITO薄膜的电阻率，并确定最佳氩气压强为0．2Pa，厚度为120nm的ITO薄膜在可见光区的透过率可达到90％；氧流量能明显改变薄膜的性能，随着氧流量从0增加10L／min（标准状态下，下同），载流子浓度（N）则由3．2×10^20降低到1．2×10^19／cm^3，N值的变化与ITO薄膜光学禁带宽度（Eg）的变化密切相关。振子模型与实验结果吻合，并确定了ITO薄膜的等离子波长（λ=1510nm）。薄膜随方阻减小表现出明显的“B-M”效应。通过线性外推，建立了直接跃迁的（αE）^2模型，并确定了薄膜的Eg值（3．5～3．86eV）。
李世涛乔学亮陈建国
关键词：ITO薄膜磁控溅射氧流量
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