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国家自然科学基金(11275122)

作品数:6 被引量:13H指数:2
相关作者:王林军闵嘉华梁小燕张继军时彬彬更多>>
相关机构:上海大学华瑞科学仪器上海有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金上海市教育委员会创新基金上海市科学技术委员会资助项目更多>>
相关领域:理学一般工业技术自动化与计算机技术电子电信更多>>

文献类型

  • 6篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术
  • 2篇理学
  • 1篇电子电信
  • 1篇自动化与计算...

主题

  • 4篇晶体
  • 3篇CDZNTE
  • 3篇CDZNTE...
  • 2篇移动加热器法
  • 2篇CDMNTE
  • 1篇电化学
  • 1篇电化学传感
  • 1篇电化学传感器
  • 1篇电化学气体传...
  • 1篇电阻率
  • 1篇英文
  • 1篇深能级
  • 1篇深能级缺陷
  • 1篇探测器
  • 1篇统计工具
  • 1篇退火
  • 1篇能级
  • 1篇气体传感
  • 1篇气体传感器
  • 1篇碲锌镉

机构

  • 6篇上海大学
  • 1篇华瑞科学仪器...

作者

  • 4篇王林军
  • 4篇梁小燕
  • 4篇闵嘉华
  • 3篇张继军
  • 3篇滕家琪
  • 3篇张涛
  • 3篇时彬彬
  • 2篇吴文其
  • 2篇杨升
  • 1篇赖建明
  • 1篇唐可
  • 1篇黄建
  • 1篇秦凯丰
  • 1篇郭昀
  • 1篇梁巍
  • 1篇钱永彪
  • 1篇衣志伟
  • 1篇周捷
  • 1篇刘玲
  • 1篇于文双

传媒

  • 2篇人工晶体学报
  • 2篇上海大学学报...
  • 1篇稀有金属材料...
  • 1篇Transa...

年份

  • 1篇2016
  • 2篇2015
  • 3篇2014
6 条 记 录,以下是 1-6
排序方式:
PICTS测试CdZnTe晶体中深能级缺陷
2014年
详细阐述了光生电流瞬态谱(PICTS)的原理、结构和搭建过程,其中搭建过程中采用的激光器波长为730nm,功率为50 mW,测试温度范围在液氮温度至常温之间。利用低压垂直布里奇曼法制备了掺In的CdZnTe晶体样品,采用PICTS研究了样品中的主要缺陷能级,确定了能级位置在0.471 eV和0.15 eV的两个深中心,这两个缺陷分别可能是V2-Cd和A中心(In+Cd-V2-Cd)-。
滕家琪闵嘉华梁小燕周捷张涛时彬彬杨升曾李骄开
关键词:PICTSCDZNTE深能级
H_2S电化学气体传感器的敏感特性评价被引量:8
2015年
利用六西格玛(six sigma)统计工具对电化学硫化氢(H2S)气体传感器的气体敏感特性进行了研究,并运用Minitab软件对测试数据进行了系统分析.结果显示,所测电化学气体传感器对H2S气体响应良好,灵敏度平均值为0.82μA/10-6H2S.在H2S传感器的量程范围(0~100×10-6)内,传感器的响应输出值与H2S气体体积分数呈现良好的线性关系,相关指数RSq=99.9%;传感器对气体的响应速度较快,响应时间T90<20 s.同时讨论了温度变化对H2S传感器灵敏度和响应输出值的影响.
于文双刘玲郭昀衣志伟钱永彪
关键词:电化学传感器H2S敏感特性统计工具
原位退火对CdZnTe晶体性能的影响被引量:2
2014年
采用改进的垂直布里奇曼生长法生长Cd Zn Te(CZT)单晶,并在晶体生长后期采取长时间的原位恒温退火.采用红外透射显微镜、I-V特性曲线以及多道能谱仪测试经过原位退火后的晶体内部Te夹杂相分布、电阻率大小以及能谱响应.结果表明,原位退火可以大幅降低CZT晶体内部大尺寸Te夹杂相的密度,晶体内绝大部分的Te夹杂都集中在5μm以内.此外,原位退火后的晶体电阻率从4.54×108Ω·cm上升至3.73×1010Ω·cm.原位退火后的CZT晶体对241Am@59.5 ke Vγ射线表现出了良好的能量分辨率,为7.29%.
张涛闵嘉华梁小燕滕家琪时彬彬王林军
关键词:退火CDZNTE布里奇曼法探测器
降温速率对CdZnTe晶体内Te夹杂相的影响
2014年
采用改进的垂直布里奇曼生长法生长CdZnTe(CZT)单晶。生长完成后,选取了10-60 K/h不同速率降温处理。采用红外透射显微镜和多道能谱仪分别测试不同降温速率的晶片内部Te夹杂相分布和能谱响应。结果表明,10-30K/h之间的慢速降温会导致晶体内部出现较大尺寸的Te夹杂(〉10μm),40 K/h以上的快速降温所得到的晶体内部主要以小尺寸(〈10μm)为主。同时快速降温会导致晶体内部的Te夹杂浓度大量增加,并且降温速率越快,Te夹杂浓度越大。此外,降温速率过慢所得到晶片的能谱分辨率较差,但是降温速率过快也会影响到晶片的性能。40 K/h的降温速率所得到的晶片能谱性能较好,实验结果表明:大尺寸或者高浓度的Te夹杂都不利于能谱响应,保留一定浓度的小尺寸Te夹杂的晶体能谱性能较佳。
张涛闵嘉华梁小燕滕家琪时彬彬杨升张继军王林军
关键词:CDZNTE
移动加热器法生长CdMnTe晶体的生长界面(英文)
2016年
研究了移动加热器法生长CdMnTe晶体的生长界面。采用传统摇摆炉和垂直Bridgman炉合成多晶原料,并比较了不同多晶原料对移动加热器法生长界面的影响。结果显示,采用垂直Bridgman法合成多晶生长的CdMnTe晶体(CMT2)相对于传统摇摆炉合成多晶生长的晶体(CMT1),其生长界面较为光滑且凹面曲率更低。分析了生长界面对CdMnTe晶体的Mn成分和Te夹杂相分布的影响。CMT2晶体Mn的径向成分分凝和Te夹杂相密度及尺寸均小于CMT1晶体。总之,垂直Bridgman法合成多晶原料能明显改善生长界面的形态,有利于降低移动加热器法生长Cd Mn Te晶体的Te夹杂相和Mn的成分分凝,提高晶体的质量。
吴文其张继军王林军闵嘉华温旭亮梁小燕黄建唐可
关键词:CDMNTE移动加热器法
移动加热器法生长CdMnTe和CdZnTe晶体的性能研究(英文)被引量:3
2015年
采用移动加热器法生长铟惨杂浓度为5×10^17atoms/cm3的Cd0.9Mn0.1Te(CMT)和Cd0.9Zn0.1Te(CZT)单晶。生长得到的CMT晶体和CZT晶体电阻率范围为4.5×10^9~6.2×10^10Ω·cm。CMT晶体的成分均匀性要优于CZT晶体,拟合得到CMT和CZT晶体中Mn和Zn的分凝系数分别为0.95和1.23。富Te区在两种晶体生长过程中都具有显著的提纯作用,In惨杂的浓度范围均在6.4~14.4 ppm范围内。红外透射显微镜观察到三角形和六边形为主的Te夹杂的尺寸5~24μm,浓度为105cm-3。除最后结晶区之外,沿晶体生长方向Te夹杂的尺寸逐渐减小而浓度逐渐增大。制备的CMT和CZT探测器对59.5 keV 241Am放射源均有能谱响应,能量分辨率分别为23.2%和24.6%。
梁巍王林军张继军秦凯丰赖建明吴文其
关键词:碲锌镉移动加热器法电阻率
共1页<1>
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