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国家重点实验室开放基金(9140C0610040609)

作品数：1 被引量：5H指数：1
相关作者：李富强方园刘文杰高学邦吴洪江更多>>
相关机构：中国电子科技集团第十三研究所更多>>
发文基金：国家重点实验室开放基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇单刀双掷
  • 1篇单刀双掷开关
  • 1篇电子迁移率
  • 1篇砷化镓
  • 1篇迁移率
  • 1篇赝配高电子迁...
  • 1篇晶体管
  • 1篇毫米波
  • 1篇高电子迁移率
  • 1篇高电子迁移率...

机构

  • 1篇中国电子科技...

作者

  • 1篇吴洪江
  • 1篇高学邦
  • 1篇刘文杰
  • 1篇方园
  • 1篇李富强

传媒

  • 1篇半导体技术

年份

  • 1篇2009
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
毫米波单刀双掷开关的设计与制作被引量：5
2009年
以0.25μm GaAs PHEMT为基础，介绍了微波单片集成电路开关模型的设计、测试及建模过程，并以此平台开展了单刀双掷开关芯片的设计与研制。讨论了PHEMT开关建模的重要性，解决了建模中的关键问题，包括开关的设计、测试系统的校准、模型参数的提取，建立了毫米波范围内高精度的等效电路模型。单刀双掷开关的设计采用了并联式反射型电路拓扑，开关的测试采用了微波探针在片测试系统，在18-30 GHz获得了优异的电性能，插入损耗IL≤1.5 dB，输入/输出驻波比VSWR≤1.5∶1，关断状态下的隔离度ISO≥30 dB，芯片尺寸为1.2 mm×1.8 mm×0.1 mm。
李富强方园高学邦吴洪江刘文杰
关键词：毫米波单刀双掷开关砷化镓赝配高电子迁移率晶体管
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