教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-07-0535)
- 作品数：5 被引量：70H指数：4
- 相关作者：张建华殷录桥程备王书方李喜峰更多>>
- 相关机构：上海大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家自然科学基金上海市青年科技启明星计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学电气工程机械工程更多>>
- 功率型LED散热器的研究被引量：9
- 2010年
- 分析了目前功率型LED发展存在的瓶颈问题,以及散热对LED器件正常工作的重要性。散热器的设计决定了功率型LED芯片产生的热量能否顺利传至工作环境,基于现有的文献和专利总结了大功率LED散热器的技术手段及其研究内容。从对流散热、辐射散热、热传导和相变散热等多个方面介绍了一些典型散热器在功率型LED散热中的应用,并提出了未来LED照明散热设计的方向。
- 吴军李抒智杨卫桥张建华
- 关键词：大功率发光二极管散热技术散热器
- 基于三基色的动态色温白光发光二极管照明光源被引量：43
- 2011年
- 照明光源的灯光质量对人体健康的影响受到了越来越多的关注。近几年伴随着大功率发光二极管发光效率的不断突破,已经达到甚至超过普通照明光源的发光效率。为进一步改善照明光源质量,通过色温的变化实现类太阳光色温变化的智能光源,采用红绿蓝三基色发光二极管,基于理论计算按照不同比例的三基色搭配,在实验中测试得到一个不同色温配比的数据库。并将数据库植入控制程序中,然后通过控制程序自动调取不同配比,最终实现不同时间段色温动态变化的照明光源。实验结果表明,本照明光源可以实现从2300~7000 K的宽色温范围,实际色温与理论计算相符,基本实现了类太阳光动态色温变化趋势。
- 殷录桥杨卫桥李抒智程备张建华
- 关键词：光电子学照明光源发光二极管
- 表面化学处理和退火对p-GaN/ZnO:Ga接触特性的影响被引量：5
- 2010年
- ZnO∶Ga(GZO)透明电极沉积在p-GaN表面,用作透明电流扩展层。直接沉积在p-GaN上的p-GaN/GZO存在较大的势垒,容易形成肖特基接触,而良好的欧姆接触对功率LED器件至关重要。为了降低接触势垒,采用盐酸和氢氧化钠溶液对GaN表面进行去氧化层处理,并对p-GaN/GZO进行退火处理,研究表面处理和退火对p-GaN/GZO接触特性的影响。研究表明:碱性溶液处理有利于降低接触势垒;退火处理后,接触势垒略有增加。
- 王书方李喜峰张建华
- 关键词：P-GAN接触特性
- 单通道大功率LED热阻测试仪的研制
- 随着大功率LED的应用越来越广泛,LED热阻的测试与评价非常重要。本文基于动态电学法,研制成功单通道大功率LED热阻测试仪。通过实验研究,证明所研制的热阻测试仪具有很好的重复性和准确性,并且大大缩短了测试时间。
- 程备殷录桥廖翊诚张建华
- 关键词：大功率LED热阻结温
- 文献传递
- 大功率LED热阻测试系统的开发被引量：11
- 2008年
- LED照明已成为21世纪最引人注目的新技术领域之一,其中的大功率LED更是能适应普通照明领域的需要。然而结温和热阻制约着大功率LED的发展。大功率LED热阻测试技术的开发有利于LED在散热技术上的完善,有助于大功率LED实现迅速发展和更为广泛地应用。本文叙述了利用动态电学测试方法测量大功率LED热阻和结温的原理、测量方法,并基于此开发了热阻测试系统SHU-THERM-1。通过对比实验,证明本热阻测试系统能实现对单个大功率LED稳态热阻的自动且准确测量,精度较高,稳定性好。
- 何晓菁程备殷录桥张建华
- 关键词：测试系统大功率LED结温热阻电学法
- ZnO∶Ga透明电极LED的制备及性能分析被引量：2
- 2010年
- 基于本实验室的实验条件,采用射频磁控溅射、等离子干法刻蚀等技术成功制备出具有ZnO∶Ga(GZO)透明电极的LED芯片。实验研究了相同工艺条件制备的ITO透明电极LED芯片和GZO透明电极LED芯片,对比实验结果表明GZO薄膜沉积工艺简单,其器件性能与ITO电极LED相当。相同条件下制备的GZO薄膜可见光波段透过率约90%,而ITO仅为75%。实验室制备的LED器件均具有较高的阈值电压,一方面p-GaN与ZnO的禁带宽度相差4.13 eV,接触势垒大,另一方面器件制备过程中的等离子体损伤薄膜表面和器件性能。
- 王书方张建华李喜峰
- 关键词：射频磁控溅射透过率阈值电压
