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国家自然科学基金(61205056)

作品数：4 被引量：11H指数：3
相关作者：张利学吕衍秋孙维国张磊张亮更多>>
相关机构：西北工业大学中国航空工业集团公司中国空空导弹研究院更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 4篇中文期刊文章

领域

  • 4篇电子电信

主题

  • 2篇湿法腐蚀
  • 2篇焦平面
  • 2篇红外
  • 2篇INAS/G...
  • 2篇超晶格
  • 1篇电路
  • 1篇电路设计
  • 1篇读出电路
  • 1篇读出电路设计
  • 1篇英文
  • 1篇双色红外
  • 1篇线性度
  • 1篇面阵
  • 1篇金刚石
  • 1篇晶格
  • 1篇刻蚀
  • 1篇焦平面阵列
  • 1篇红外焦平面
  • 1篇干法刻蚀
  • 1篇刚石

机构

  • 2篇西北工业大学
  • 2篇中国航空工业...
  • 1篇东南大学
  • 1篇中国空空导弹...

作者

  • 2篇吕衍秋
  • 2篇张利学
  • 1篇王锦春
  • 1篇姚官生
  • 1篇司俊杰
  • 1篇孙维国
  • 1篇张小雷
  • 1篇王雯
  • 1篇张向锋
  • 1篇刘镇硕
  • 1篇张亮
  • 1篇彭震宇
  • 1篇马德军
  • 1篇张磊
  • 1篇关钰

传媒

  • 2篇红外与激光工...
  • 1篇红外与毫米波...
  • 1篇电子器件

年份

  • 1篇2015
  • 2篇2014
  • 1篇2013
共 4 条 记 录，以下是 1-4
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排序方式：
InAs/GaSb超晶格探测器台面工艺研究（英文）被引量：3
2015年
InAs/GaSb SLs探测器台面刻蚀常用的工艺有干法刻蚀和湿法刻蚀。研究了三种等离子刻蚀气体(Cl2基,Ar基和CH4基)对超晶格的刻蚀效果,SEM结果表明,CH4基组分能够得到更加平整的表面形貌和更少的腐蚀坑;之后采用湿法腐蚀工艺,用于消除干法刻蚀带来的刻蚀损伤,分别研究了酒石酸系和磷酸系两种腐蚀溶液的去损伤效果,结果表明,磷酸系腐蚀液的去损伤效果更好,且腐蚀速率更加稳定。采用优化的台面工艺制备了InAs/GaSb SLs探测器,其I-V特性曲线表明二极管具有较低的暗电流,其77 K时动态阻抗R0A=1.98×104Ωcm2。
姚官生张利学张向锋张亮张磊
关键词：INAS/GASB超晶格干法刻蚀湿法腐蚀
InAs/GaSb Ⅱ类超晶格材料台面腐蚀被引量：4
2014年
研究了InAs/GaSbⅡ类超晶格的几种台面腐蚀方法.实验所用的InAs/GaSbⅡ类超晶格材料是使用分子束外延设备生长的,材料采用PIN结构,单层结构为8 ML InAs/8 ML GaSb.腐蚀方法分为干法刻蚀和湿法腐蚀两大类.干法刻蚀使用不同的刻蚀气氛,包括甲基、氯基和氩气;湿法化学腐蚀采用了磷酸系和酒石酸酸系的腐蚀液.腐蚀后的材料台阶高度是使用α台阶仪测量,表面形貌通过晶相显微镜和扫描电镜表征.经过对比研究认为,干法刻蚀中甲基气氛刻蚀后的台面平整,侧壁光滑,侧壁角度为约80度,台阶深度易控制,适合深台阶材料制作.湿法腐蚀中磷酸系腐蚀效果好,台面平整,下切小,表面无残留,适用于焦平面红外器件制作工艺.
张利学孙维国吕衍秋张向锋姚官生张小雷司俊杰
关键词：半导体材料湿法腐蚀
双色红外焦平面阵列读出电路设计被引量：2
2013年
根据P-N-N-P型叠层双色红外焦平面阵列探测器结构及其等效电路,提出了一种128×128同时积分、同时读出型双色红外焦平面读出电路原理及实现方式。单元电路采用直接注入结构作为输入级,在给定的单元面积内获得了较大的积分电容,满足了单元电路内中、短波两个独立的积分信号通道的需求。仿真结果表明该电路满足预定的设计要求,积分时间可调,读出速率大于等于5 MHz,中、短波输出电压的线性度均达到99%以上,功耗约68 mW。
王锦春关钰彭震宇吕衍秋马德军刘镇硕
关键词：读出电路线性度
Si基InSb红外焦平面阵列探测器的研究被引量：3
2014年
针对InSb红外焦平面芯片中InSb与Si读出电路热膨胀系数不匹配导致芯片龟裂及铟柱断裂现象,开展了Si基InSb红外焦平面探测器(FPA)的研究。运用磨抛减薄技术及金刚石点切削技术对芯片背面进行精确减薄,得到厚度为15μm的InSb芯片;研究了在InSb芯片和Si片上溅射及蒸发减反膜工艺,得到InSb芯片和Si片粘贴后红外中短波光谱的透过率高达88%;对器件的整体工艺路线进行了探索,最终制备出Si基128×128元InSb红外焦平面探测器器件,测试结果表明:器件探测率、响应率及串音等性能指标达到传统工艺制备的器件性能指标;经温冲试验后测试器件结构保持完好,性能未发生变化,证明该工艺路线可解决芯片受应力冲击而产生的铟柱断裂及芯片龟裂的现象,可有效提高InSb焦平面探测器芯片的成品率。
王雯张小雷吕衍秋司俊杰
关键词：INSB红外焦平面
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