武汉市青年科技晨光计划(20015005032)
- 作品数：4 被引量：19H指数：3
- 相关作者：章天金张柏顺顾豪爽黄卫华梁坤更多>>
- 相关机构：湖北大学更多>>
- 发文基金：武汉市青年科技晨光计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学更多>>
- 外延Ba_(1-x)Sr_xTiO_3薄膜的Sol-Gel法制备及其电性能研究被引量：1
- 2002年
- 以 Ba(CH3COO) 2 、Sr(CH3COO) 2 和 Ti(OC4 H9) 4为原料 ,以乙二醇甲醚为溶剂、冰乙酸为催化剂 ,应用溶胶 -凝胶技术在 Pt/ Mg O(10 0 )衬底上成功地制备了处延生长 Ba0 .6 5Sr0 .35Ti O3薄膜。 XRD和 SEM分析结果表明 ,该薄膜在 O2 气氛中 6 5 0°C热处理 1h后 ,其 (0 0 1)面是沿着 Pt(10 0 )和 Mg O(10 0 )面外延取向生长的 ,其平均晶粒大小为 4 8.5 nm。电性能测试结果表明 ,当测试频率为 10 k Hz时 ,其介电常数和损耗因子分别为 4 80和 0 .0 2。电滞回线测试结果表明 ,外延生长 Ba0 .6 5Sr0 .35Ti O3薄膜的剩余极化为 2 .8μC/ cm2 ,其矫顽场为 5 2 k V/ cm。
- 章天金王玮杨向荣
- 关键词：铁电薄膜电性能
- 应用射频磁控溅射方法制备声表面波器件用ZnO薄膜被引量：11
- 2002年
- 采用RF平面磁控溅射技术在单晶Si(100)衬底上淀积了ZnO薄膜。对退火前后ZnO薄膜的结构特性、化学组份以及缺陷特性进行了详细的研究。结果表明:在纯氧中高温退火(600℃)是改善ZnO压电薄膜的结构特性、化学组份并减少缺陷的良好方法。
- 章天金顾豪爽
- 关键词：ZNO薄膜氧化锌薄膜声表面波器件退火特性N型半导体化学组份
- Mg掺杂ZnO薄膜的结构和光学性质被引量：5
- 2006年
- 采用磁控溅射方法在硅和石英衬底上制备了纯ZnO和Mg0.04Zn0.96O薄膜.用XRD和AFM表征薄膜的晶化行为和显微结构,用透射谱和光致发光谱分析薄膜的光学性质.分析结果显示:两种薄膜均为六角纤锌矿结构,且沿c轴取向,薄膜表面光滑致密,晶粒分布均匀;薄膜在可见光范围内具有较高的透过率,Mg掺杂后透射谱吸收边向高能侧移动,相应的薄膜的带隙宽度从3.28 eV升至3.36 eV;用包络法计算出薄膜的光学常数表明,Mg掺杂没有明显改变薄膜的折射率,但使消光系数明显增大;薄膜的光致发光谱分析也发现,掺入Mg使带边发射峰蓝移.
- 章天金黄卫华张柏顺
- 关键词：ZNO薄膜光学常数带隙
- 外延ZnO压电薄膜的声表面波特性分析被引量：4
- 2003年
- 采用RF平面磁控溅射技术在单晶Al2O3衬底上淀积了ZnO薄膜.研究了ZnO薄膜的结构特性及电学性能,XRD结果表明:在Al2O3衬底上沉积的ZnO薄膜是高度c轴取向的.电阻率测试结果表明:在纯氧中高温退火,薄膜的电阻率提高到107Ω·cm量级.对于ZnO Al2O3结构的SAW器件,随着ZnO薄膜厚度的减小,其机电耦合系数降低,但声表面波速率增加.
- 张柏顺刘江华江娟梁坤章天金
- 关键词：ZNO压电薄膜氧化锌薄膜声表面波电学性能磁控溅射
