国家自然科学基金(60176030)
- 作品数：8 被引量：19H指数：2
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- GaN n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型
- 2005年
- 在器件物理的基础上,提出了一种半经验的GaN n-MOSFET反型沟道电子迁移率模型。该模型考虑了位错、界面态、光学声子、离化杂质、表面粗糙、声学声子,以及高场对迁移率的影响。模拟结果表明,界面态和位错是影响沟道迁移率的主要因素,尤其是界面态,它决定了迁移率的最大值,而位错密度的增加使迁移率减小。此外,表面粗糙散射和高场散射主要影响高场下载流子迁移率。由此可见,GaN n-MOSFET沟道迁移率的提高依赖于晶体质量和界面质量的提高。
- 邹晓徐静平陈卫兵吴海平
- 关键词：GANMOSFET电子迁移率散射机制
- 杂质非完全离化对SiC n-MOSFET电特性的影响
- 2005年
- 文章研究了SiC中杂质非完全离化对器件性能的影响。通过考虑场致离化效应,分析了空间电荷区电荷密度与表面势的关系,得出在SiC MOSFET反型条件下,可近似认为杂质完全离化。在此基础上,模拟了4H-SiC MOSFET的漏电流-栅压曲线和迁移率-栅压曲线。模拟结果与实验数据非常吻合。
- 李春霞徐静平吴海平黎沛涛
- 关键词：MOS场效应晶体管迁移率
- 4H-SiC n-MOSFET的高温特性分析被引量：10
- 2005年
- 通过考虑迁移率和阈值电压随温度的变化关系,模拟分析了4H-SiCn-MOSFET高温下的电学特性,模拟结果与实验有较好的符合.并进一步讨论了主要结构参数和工艺参数对高温电特性的影响及其最佳取值.
- 徐静平李春霞吴海平
- 关键词：4H-SIC迁移率阈值电压
- 一种新型的6H-SiC MOS器件栅介质制备工艺被引量：2
- 2005年
- 采用干 O2 +CHCCl3(TCE)氧化并进干 /湿 NO退火工艺生长 6H-Si C MOS器件栅介质 ,研究了 Si O2 /Si C界面特性。结果表明 ,NO退火进一步降低了 Si O2 /Si C的界面态密度和边界陷阱密度 ,减小了高场应力下平带电压漂移 ,增强了器件可靠性 ,尤其是湿 NO退火的效果更为明显。
- 吴海平徐静平李春霞
- 关键词：碳化硅界面态密度可靠性
- O_2+CHCCl_3氧化对6H-SiC MOS电容界面特性的改善被引量：2
- 2004年
- 采用新颖的干O2+CHCCl3(TCE)氧化工艺,制备了P型和N型6H-SiCMOS电容器,并与常规热氧化工艺以及氧化加NO退火工艺进行了对比实验。结果表明,O2+TCE氧化不仅提高了氧化速率,而且降低了界面态密度和氧化层有效电荷密度,提高了器件可靠性。可以预测,O2+TCE氧化与湿NO退火相结合的工艺是一种有前途的制备高沟道迁移率、高可靠性SiCMOS-FET的栅介质工艺。
- 吴海平徐静平李春霞梅慧兰
- 关键词：SICMOS电容界面态密度可靠性三氯乙烯
- GaN LED量子阱光发射模型
- 2005年
- 在分析GaN LED量子阱结构对载流子限制和俘获的基础上,考虑量子限制Stark效应和Franz-Keldysh效应,提出了一种基于InGaN有源区的载流子复合及光发射模型.模拟结果表明LED的光发射效率和波长依赖于有源区In组分变化引起的势能涨落和阱尺寸,并得到LED发光波长红移的原因为:非故意掺杂引入新的施主能级和受主能级,新能级之间以小于带隙的能量跃迁;Franz-Keldysh效应随阱厚的增加而加强;压电极化和自发极化形成的内电场在空间上将电子和空穴隔开,但电子和空穴波函数的交叠允许它们在较低的能级上辐射复合;以及带边吸收的影响.
- 邹晓徐静平陈卫兵
- 关键词：INGAN/GAN发光二极管发光强度
- TCE浓度对热氧化制备6H-SiC MOS特性的影响
- 2007年
- 研究了新型SiCMOS电容的制备工艺。采用干O2+CHCCl3(TCE)热氧化方法生长6H-SiCMOS氧化层。研究了TCE浓度与SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度和应力下平带电压漂移的关系,随着TCE浓度的增加,SiC/SiO2界面态电荷密度和氧化层电荷密度先减小后增大,应力下平带电压漂移减小,得出了最佳TCE:O2浓度比。
- 李春霞徐静平王虎
- 关键词：三氯乙烯金属氧化物半导体
- SiO_2/SiC界面对4H-SiC n-MOSFET反型沟道电子迁移率的影响被引量：6
- 2004年
- 提出了一种基于器件物理的 4 H- Si C n- MOSFET反型沟道电子迁移率模型 .该模型包括了界面态、晶格、杂质以及表面粗糙等散射机制的影响 ,其中界面态散射机制考虑了载流子的屏蔽效应 .利用此模型 ,研究了界面态、表面粗糙度等因素对迁移率的影响 ,模拟结果表明界面态和表面粗糙度是影响沟道电子迁移率的主要因素 .其中 ,界面态密度决定了沟道电子迁移率的最大值 ,而表面粗糙散射则制约着高场下的电子迁移率 .该模型能较好地应用于器件模拟 .
- 徐静平吴海平黎沛涛韩弼
- 关键词：SIC迁移率
