国家自然科学基金(60176024)
- 作品数：4 被引量：38H指数：3
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- 相关领域：理学一般工业技术更多>>
- 硼掺杂对金刚石薄膜生长特性的影响被引量：4
- 2005年
- 采用HFCVD方法制备了掺硼金刚石薄膜,通过扫描电子显微镜和X射线衍射光谱对样品的表面形貌及结构进行了分析.结果表明,随着硼含量的增加,薄膜中晶粒的取向由(100)变为(111),然后趋向于无序化.硼的掺入同样影响到孪晶晶粒的形态及生长因子α,使得α变小.通过对样品的Raman光谱分析,得出在适当的硼掺杂浓度下,孪晶的出现使金刚石薄膜中的应力得到松弛,从而中心声子线Raman位移红移较小.
- 刘卫平余庆选田宇全廖源王冠中方容川
- 关键词：孪晶HFCVD硼掺杂金刚石薄膜
- Diffusion of an Extra Ga Atom in GaAs（001）（2×4） Rich-As Surface
- 2008年
- 为 GaAs (001 ) 上的一个额外的 Ga 原子的迁居的势能表面 2 (2 ??? ㈠？？
- Kun LiBi-cai Pan
- 关键词：分子动力学模拟
- 应力和掺杂对Mg:GaN薄膜光致发光光谱影响的研究被引量：17
- 2004年
- 对化学气相沉积 (MOCVD)法在宝石衬底上生长的Mg掺杂GaN薄膜的表面及其GaN缓冲层的光致发光 (PL)光谱进行了测量 ,用Raman光谱和x射线衍射 (XRD)对GaN薄膜中的应力进行确定 ,通过PL光谱中的中性束缚激子跃迁能量的变化确定薄膜中应力的影响 ,从而研究Mg掺杂对p型GaN的DAP跃迁影响规律 .
- 徐波余庆选吴气虹廖源王冠中方容川
- 关键词：应力氮化镓薄膜光致发光拉曼光谱
- 热丝CVD生长SiCN薄膜的研究被引量：17
- 2004年
- 在HFCVD系统中采用SiH4/CH4/H2/N2混合气体成功的制备了SiCN薄膜.SEM照片显示制备的SiCN薄膜由棒状结构构成,而在HRTEM下发现这些棒状结构是由生长在无定型SiCN基体当中的纳米晶粒组成的.进一步的SAED和XRD分析说明SiCN纳米晶粒具有类似于α-Si3N4的结构.XPS和FTIR分析表明薄膜中含有Si、C、N和O几种元素以及C=N、Si-N和C-N等共价键,但是并没有观察到C-Si的存在.由实验得出结论,SiCN晶体的生长包括两个步骤:α-Si3N4团簇的生长和C取代其中Si的过程.
- 牛晓滨廖源常超余庆选方容川
- 关键词：HFCVD化学气相沉积纳米晶粒薄膜生长
