国家自然科学基金(60176011)
- 作品数：5 被引量：2H指数：1
- 相关作者：程宗权夏冠群刘延祥唐绍裘李志怀更多>>
- 相关机构：中国科学院湖南大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信自动化与计算机技术机械工程更多>>
- CH3CSNH2/NH4OH钝化GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器
- 2005年
- 引入一种新的低毒化合物CH3CSNH2/NH 4OH对GaInAsSb化合物探测器的表面进行了钝化处理,可使其暗电流降低一个数量级,动态电阻增大25倍多,且钝化83天后保持良好的钝化效果,取得了与(NH4)2S溶液一样理想的钝化效果.并采用AES和XPS对钝化前后的GaInAsSb材料进行了分析.
- 刘延祥唐绍裘夏冠群程宗权郑燕兰
- 关键词：GAINASSB钝化
- GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器及其Ⅰ-Ⅴ特性的研究被引量：1
- 2004年
- 本文简单介绍了GaInAsSb/GaSb PIN探测器的结构及工作原理,重点分析了生长窗口层和硫钝化两种不同的改善探测器Ⅰ-Ⅴ反向偏软的特性的方法。
- 刘延祥夏冠群唐绍裘程宗权
- 关键词：红外探测器I-V特性禁带宽度
- PIN结构GaInAsSb红外探测器的PSPICE模型
- 2003年
- 研究了PIN结构GaInAsSb红外探测器的暗电流特性,建立了器件的PSPICE模型。模拟结果与实际测试结果基本符合。计算结果表明,器件表面和内部的缺馅及表面复合电流对器件的反向特性起主要作用,当反向偏压大于0.35V,缺陷引起的隧穿电流对器件暗电流起主要作用。
- 李志怀夏冠群程宗权黄文奎伍滨和
- 关键词：GAINASSB红外控制器PSPICE
- GaInAsSb/GaSb红外探测器抗反膜的研究被引量：1
- 2005年
- 简单介绍了单层抗反膜的增透原理,并以Si片作为基片采用磁控溅射的方法制备了A l2O3、SiO2和ZrO2三种抗反膜。膜层的反射率测试结果表明:生长ZrO2膜后表面反射率下降可达30%;同时通过对GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器蒸镀抗反膜前后的器件的I-V特性及黑体探测率的测试表明:蒸镀ZrO2膜后GaInAsSb/GaSb PIN红外探测器的黑体探测率平均提高了60.28%,远大于蒸镀A l2O3、SiO2后的48.91%和40.04%,说明ZrO2膜是一种较理想的单层抗反膜,使器件性能有所提高。
- 刘延祥夏冠群唐绍裘李志怀程宗权
- 关键词：GAINASSB/GASB
