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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCEF-09-0293)

作品数:2 被引量:9H指数:2
相关作者:胡小会许俊敏孙立涛更多>>
相关机构:东南大学更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家教育部博士点基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇一般工业技术

主题

  • 1篇电磁学
  • 1篇电学
  • 1篇原子
  • 1篇金原子
  • 1篇半金属
  • 1篇
  • 1篇掺杂

机构

  • 2篇东南大学

作者

  • 2篇孙立涛
  • 2篇许俊敏
  • 2篇胡小会

传媒

  • 2篇物理学报

年份

  • 2篇2012
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
金掺杂锯齿型石墨烯纳米带的电磁学特性研究被引量:7
2012年
本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算了金原子填充锯齿型石墨烯纳米带(ZGNRs)中双空位结构的电磁学特性.计算结果表明:边缘位置是金原子的最稳定掺杂位置,杂质原子的引入导致掺杂边缘的磁性被抑制,不过掺杂率足够大时,掺杂边缘的磁性反而恢复了.金掺杂纳米带的能带结构对掺杂率敏感:随着掺杂率的增大,掺杂纳米带分别表现半导体特性、半金属特性以及金属特性.本文的计算表明金原子掺杂可以调制ZGNR的磁性以及能带特性,为后续实验起指导作用,有利于推动石墨烯材料在自旋电子学方面的应用.
胡小会许俊敏孙立涛
关键词:金原子掺杂半金属
铂掺杂扶手椅型石墨烯纳米带的电学特性研究被引量:4
2012年
本文采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理计算了铂原子填充扶手椅型石墨烯纳米带(AGNR)中双空位结构的电学性能.计算结果表明:通过控制铂原子的掺杂位置,可以实现纳米带循环经历小带隙半导体一金属一大带隙半导体的相变过程;纳米带边缘位置是铂原子掺杂的最稳定位置,边缘掺杂纳米带的带隙值随宽度的变化与本征AGNR一样可用三簇曲线表示,但在较大宽度时简并成两条曲线,一定程度上抑制了带隙值的振荡;并且铂原子边缘掺杂导致宽度系数Na=3p和3p+1(p是一个整数)的几个较窄纳米带的带隙中出现杂质能级,有效地降低了其过大的带隙值.此外,铂掺杂.AGNR的能带结构对掺杂浓度不是很敏感,从而降低了对实验精度的挑战.本文的计算有利于推动石墨烯纳米带在纳米电子学方面的应用.
许俊敏胡小会孙立涛
关键词:
共1页<1>
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