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山东省优秀中青年科学家科研奖励基金(2006BS01240)

作品数：2 被引量：1H指数：1
相关作者：孙元平范俊卿戴振宏郭洪英马旭更多>>
相关机构：烟台大学中国科学院更多>>
发文基金：山东省优秀中青年科学家科研奖励基金山东省自然科学杰出青年基金更多>>
相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇理学

主题

  • 2篇发光
  • 2篇发光特性
  • 2篇INGAN
  • 1篇多量子阱
  • 1篇多量子阱结构
  • 1篇铟镓氮
  • 1篇量子阱结构
  • 1篇激发光谱
  • 1篇激活能
  • 1篇光谱
  • 1篇光致
  • 1篇光致发光
  • 1篇光致发光特性
  • 1篇XGA
  • 1篇铟
  • 1篇N

机构

  • 2篇烟台大学
  • 1篇中国科学院

作者

  • 2篇孙元平
  • 1篇张书明
  • 1篇潘定珍
  • 1篇马旭
  • 1篇郭洪英
  • 1篇戴振宏
  • 1篇范俊卿
  • 1篇王莉莉
  • 1篇杨辉
  • 1篇郑大宇

传媒

  • 1篇发光学报
  • 1篇烟台大学学报...

年份

  • 1篇2009
  • 1篇2008
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
铟组分不同的InGaN材料的光致发光特性
2008年
利用光致发光谱研究了不同组分铟镓氮材料的光学特性.发现随着温度升高,2个样品的主峰表现出一种行为:半高宽度(FWHM)增加时,主峰位置红移;半高宽度减少时,主峰位置蓝移.对所得数据进行Arrhenius拟合,比较激活能得出结论:样品B中的非辐射复合中心比样品A中的易被激活;样品B中的载流子逃逸效应比样品A中更为明显.从而解释了2个样品发光效率不同的原因,为样品的改良提供了理论依据.
郑大宇孙元平王莉莉张书明杨辉
关键词：光致发光激活能
In_xGa_(1-x)N/In_yGa_(1-y)N多量子阱结构发光特性的测量与分析被引量：1
2009年
利用MOCVD方法在蓝宝石衬底上生长了InxGa1-xN/InyGa1-yN多量子阱结构外延层,并用变温光致发光(PL)光谱、选择激发光谱以及激发(PLE)光谱等手段研究了该结构的量子效率、多峰效应的起源以及峰位随温度变化等信息。变温PL光谱的结果表明:在温度从30K变化到300K时,其峰值强度只下降了1.36倍且发光波长发生了蓝移。通过选择激发光谱证明了其发光峰位的独立性。PLE结果表明了GaN和势垒层的Stokes位移很小,但是InxGa1-xN阱层的Stokes位移变化很大。同时,提出了一种可同时获得多个吸收边的数据处理方法。
郭洪英潘定珍范俊卿马旭戴振宏孙元平
关键词：INGAN激发光谱
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