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天津市自然科学基金(023603811)

作品数:15 被引量:82H指数:6
相关作者:胡明田斌张之圣沈腊珍阎实更多>>
相关机构:天津大学更多>>
发文基金:天津市自然科学基金国家自然科学基金更多>>
相关领域:电子电信电气工程理学一般工业技术更多>>

文献类型

  • 15篇中文期刊文章

领域

  • 8篇电子电信
  • 3篇电气工程
  • 3篇一般工业技术
  • 3篇理学
  • 1篇机械工程

主题

  • 7篇多孔硅
  • 4篇导电
  • 4篇光谱
  • 3篇导电聚合物
  • 3篇电聚合
  • 2篇荧光
  • 2篇荧光特性
  • 2篇谱特性
  • 2篇热导率
  • 2篇吡咯
  • 2篇喹啉
  • 2篇羟基
  • 2篇羟基喹啉
  • 2篇微传感器
  • 2篇微电子
  • 2篇微电子机械
  • 2篇微电子机械系...
  • 2篇微裂纹
  • 2篇聚苯
  • 2篇聚苯胺

机构

  • 15篇天津大学

作者

  • 15篇胡明
  • 6篇田斌
  • 5篇张之圣
  • 3篇沈腊珍
  • 3篇阎实
  • 3篇房振乾
  • 2篇徐丹
  • 2篇刘志刚
  • 2篇时雨荃
  • 2篇艾小康
  • 2篇张景阳
  • 2篇窦雁巍
  • 1篇王兴
  • 1篇张旭瑞
  • 1篇崔梦
  • 1篇宗杨
  • 1篇王博
  • 1篇马家志
  • 1篇杨海波
  • 1篇雷振坤

传媒

  • 3篇功能材料
  • 2篇材料工程
  • 2篇压电与声光
  • 1篇化学工业与工...
  • 1篇Journa...
  • 1篇无机材料学报
  • 1篇高分子材料科...
  • 1篇天津大学学报...
  • 1篇兵器材料科学...
  • 1篇固体电子学研...
  • 1篇电子元件与材...

年份

  • 2篇2007
  • 4篇2006
  • 3篇2005
  • 4篇2004
  • 1篇2003
  • 1篇2002
15 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
电偶腐蚀法制备多孔硅的研究被引量:1
2006年
用电偶腐蚀法制备多孔硅,主要研究了铂电极的优化制备工艺以及腐蚀条件对多孔硅厚度的影响,并且结合SEM,AFM等测试手段对所制备的多孔硅的表面形貌进行了分析。实验发现,在相同的腐蚀条件下,多孔硅的厚度随铂电极的厚度以及铂电极与腐蚀硅片的面积比的增大而增大。
房振乾胡明窦雁巍宗杨梁继然
关键词:多孔硅厚度表面形貌
电子封装材料表面化学制备高导电率聚吡咯薄膜的研究被引量:1
2006年
研究了在环氧树脂塑料封装材料表面制备导电聚吡咯(PPy)薄膜的化学聚合方法,分析了影响聚吡咯薄膜微观形貌、附着力及电导率的因素。用四探针法测聚吡咯薄膜的电导率,并用扫描电子显微镜(SEM)、红外光谱(IR)、X射线光电子能谱(XPS)进行了表征。通过对电子封装材料的表面预处理与改性,制得了附着性好、均匀连续的聚吡咯薄膜,经掺杂电导率达到了45.10S/cm。
沈腊珍胡明古美良
关键词:电子封装材料
化学刻蚀法制备多孔硅的表面形貌研究被引量:15
2004年
 应用各种表面形貌分析方法如SEM、TEM、AFM等,通过对用化学刻蚀法形成的多孔硅进行表面形貌分析,发现由于横向腐蚀比较严重而使多孔硅层在达到一定深度后就会自动脱落。腐蚀中由于大量H2的析出,对硅晶体产生巨大的应力,这些应力使硅在比较脆弱的晶粒边界或缺陷处产生微裂纹,多孔硅就从这些地方开始和生长。
胡明田斌王兴张景阳张之圣
关键词:多孔硅表面形貌应力微裂纹
用电化学方法制备多孔硅被引量:24
2004年
为了深入了解多孔硅的特性,用电化学方法在双槽电解池中腐蚀形成了不同结构形貌的多孔硅层.结果发现,在本试验控制条件下,p+掺杂的硅比n+的容易腐蚀,而且孔的分布也比较均匀.轮廓仪的分析表明,电化学方法形成的多孔硅表面和内部结构比较规则,而且深度比较大,可在MEMS技术中得到广泛应用.对试验中出现的龟裂现象进行了分析,认为这是由于孔内液体挥发产生的毛细应力多孔硅氧化过程中因晶格膨胀和易位形成的应力联合作用的结果.
田斌胡明张之圣
关键词:多孔硅形貌
导电聚合物电磁屏蔽材料研究现状被引量:12
2006年
丰富的电磁波资源在信息行业得到广泛应用的同时,产生的电磁干扰却带来了许多危害。导电聚合物作为一种新型材料在屏蔽电磁波方面展现出了良好的应用前景,主要包括复合型和结构型导电聚合物。介绍了复合型和结构型导电聚合物的导电机理,综述了目前国内外聚合物电磁屏蔽材料(EMI)的最新研究动态,如填充型复合导电聚合物、复合型导电涂料、结构型导电聚合物、纳米电磁屏蔽材料等,其中填充型复合材料及纳米屏蔽材料都将成为研究热点,并探讨了聚合物电磁屏蔽材料的未来发展方向。
沈腊珍胡明
关键词:电磁屏蔽导电聚合物
双槽电化学腐蚀法制备介孔硅的热导率被引量:1
2007年
提出了一个基于有效介质理论分析介孔硅层传热机理的理论模型,对影响介孔硅有效热导率的因素包括孔隙率、硅的恒容热容和硅的声子平均自由程进行了理论分析,得出用于计算介孔硅有效热导率的计算公式.采用双槽电化学腐蚀法制备孔隙率分别为62%和79%的介孔硅,微喇曼光谱技术测量所制备的介孔硅的热导率为8.315和0.949W/(m·K).SEM分析表明,孔隙率为62%和79%的介孔硅的平均特征尺寸分别为10nm和5nm.应用计算介孔硅有效热导率的公式,得到孔隙率为62%,平均特征尺寸为10nm和孔隙率为79%,平均特征尺寸为5nm的介孔硅层的有效热导率理论值为10.753和1.035W/(m·K).研究分析表明,理论计算与所获得的实验数据一致.介孔硅极低的热导率使其作为一种良好的热绝缘材料有望广泛应用于微传感器和微电子机械系统中.
房振乾胡明张伟张旭瑞杨海波
关键词:有效热导率微传感器微电子机械系统
多孔硅内部残余应力的研究被引量:1
2005年
多孔硅在形成过程中由于内部产生巨大的拉伸应力,在裂纹的中心部位拉伸应力可达到0.92GPa,导致在硅晶体内部较脆弱的部位(如晶界附近)形成微裂纹,多孔硅沿着硅表面缺陷和裂纹区生长。随着刻蚀时间的增加,多孔硅孔隙率增加,拉伸应力进一步增加。正是由于这种残余应力的存在导致了多孔硅发生龟裂现象。
田斌胡明崔梦雷振坤亢一澜
关键词:多孔硅孔隙率残余应力微裂纹
多孔硅及其在MEMS中的应用被引量:5
2003年
具有不同孔径尺寸和孔隙率的多孔硅在不同的 MEMS中可作为功能结构层和牺牲层。简要介绍了多孔硅的结构和制备方法 ;与体微机械和表面微机械加工技术相比 ,多孔硅技术的优势被详细阐述 ;针对多孔硅材料的性质 ,讨论了多孔硅在不同领域的应用。
马家志胡明田斌张之圣王博
关键词:多孔硅MEMS微机械加工微电子机械系统
新型导电聚合物聚N-[5-(8-羟基喹啉)甲基]苯胺的合成与表征被引量:2
2004年
用化学氧化法合成了新型导电聚合物聚N-[5-(8-羟基喹啉)甲基]苯胺,并用红外光谱、紫外-可见光谱和荧光分光光度计等对其及掺杂态结构和性质进行了表征,研究结果表明该导电化合物无论掺杂与否,都同时既具有较好的导电性,又具有较好的荧光特性。
时雨荃艾小康徐丹胡明
关键词:导电聚合物荧光特性聚苯胺8-羟基喹啉光谱特性
导电高分子固体铝电解电容器的研究被引量:10
2002年
研制了一种被称为导电高分子固体铝电解电容器的新型电子元件.由于用化学聚合方法在电容器介质膜Al2O3表面形成导电聚吡咯(Polypyrrole)膜,作为电容器的阴极而取代传统的工作电解液阴极,因此新型电容器具有可靠性高,高频低阻抗,易于片式化等优点.研制的电容器的性能指标为:额定工作电压DC 6.3~16 V, 电容量范围2.2~33 ?F,损耗角正切tg?≤0.06(120 Hz,+20℃),漏电流IL≤0.04 CV (或3 ?A取大值),并具有良好的温度特性和频率阻抗特性.
胡明阎实张之圣刘志刚张景阳
关键词:功能高分子固体铝电解电容器导电聚吡咯性能指标
共2页<12>
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