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低能离子束沉积制备GaAs:Gd的研究: 2004年; 对室温条件下用低能离子束沉积得到的 Ga As∶ Gd样品 ,借助 X射线衍射 (XRD)和高分辨 X射线衍射 (HR-XRD)进行了结构分析 ,结果表明没有出现新的衍射峰 ,并且摇摆曲线的形状与 Gd的注入计量密切相关 .运用 X光电子能谱仪对比分析了 Gd注入后 ,衬底中主要元素 Ga2 p和 As3d的化学位移 ,以及不同计量的样品中注入的Gd4 d芯能级束缚能的变化 ,并分析了铁磁性产生的可能原因 .; 宋书林陈诺夫周剑平尹志岗李艳丽杨少延刘志凯; 关键词：X射线衍射 X光电子能谱

低能离子束方法制备Mn-Si薄膜: 2005年; 采用低能离子束技术,获得了Mn组分渐变的Mn-Si薄膜.利用俄歇电子能谱法分析了样品的组分特性,X射线衍射法和原子力显微镜法分析了样品的结构和形貌特性.测试结果表明,300℃下制备的样品Mn离子的注入深度要比室温下制备的样品深.室温下制备的Mn-Si薄膜结构呈非晶态.300℃下制备的Mn-Si薄膜发生晶化现象,没有新相形成,成功制备了Mn-Si固溶体薄膜.; 刘力锋陈诺夫柴春林杨少延刘志凯; 关键词：低能离子束硅锰 X射线衍射

神舟飞船生长GaMnSb材料过程及性能分析被引量：2: 2004年; 利用神舟3号飞船(SZ-3)上的多样品空间晶体炉制备出GaMnSb材料.所设计的石英安瓿使用氧化铝棉毡和特殊设计制造的氮化硼坩锅进行减震,经受住了严峻的力学环境的考验,完成了材料的空间生长实验,达到了空间生长材料的初步要求.对空间生长的GaMnSb晶体进行了X射线能谱分析和X射线衍射分析,发现空间生长的GaMnSb是多晶结构.对未获得GaMnSb单晶的原因进行了分析,发现空间晶体炉温度的波动和提供能量的不足是导致生成GaMnSb多晶结构的主要原因.由于在晶体生长的初始阶段晶体炉提供的能量不足,使GaSb单晶部分未能熔化,从而导致GaMnSb材料的生长在没有籽晶的情况下进行.; 张富强陈诺夫吴金良钟兴儒钟兴儒; 关键词：微重力稀磁半导体 X射线衍射

离子束外延生长(Ga,Mn,As)的退火研究被引量：1: 2003年; 利用俄歇电子能谱(AES)和X射线衍射(XRD)分析了室温条件下离子束外延生长Ga、Mn、As样品,在不同的温度条件下进行退火后组分和元素分布的变化。结果表明退火有助于样品内部元素的均匀分布,温度为400℃会导致MnO2和Ga5.2Mn的结晶。; 宋书林陈诺夫周剑平柴春林杨少延刘志凯; 关键词：退火 GAAS衬底

Room-temperature ferro- magnetic semiconductor MnxGa(1-x)Sb: 2003年; Ferromagnetic semiconductor MnxGa1-xSb single crystals were fabricated by Mn-ions implantation, deposition, and the post annealing. Magnetic hysteresis-loops in the MnxGa1-xSb single crystals were obtained at room temperature (300 K). The structure of the ferromagnetic semiconductor MnxGa1-xSb single crystal was analyzed by X- ray diffraction. The distribution of carrier concentrations in MnxGa1-xSb was investigated by electrochemical capaci-tance-voltage profiler. The content of Mn in MnxGa1-xSb varied gradually from x = 0.09 near the surface to x = 0 in the wafer inner analyzed by X-ray diffraction. Electro-chemical capacitance-voltage profiler reveals that the con-centration of p-type carriers in MnxGa1-xSb is as high as 1×1021 cm-3, indicating that most of the Mn atoms in MnxGa1-xSb take the site of Ga, and play a role of acceptors.; CHENNuofuZHANGFuqiang等; 关键词：铁磁半导体锰离子载流子密度

离子注入制备GaAs:Mn薄膜的性质研究: 采用高能离子注入的方式,在半绝缘性的GaAs衬底中掺杂引入Mn离子制备了磁性半导体。借助于X-射线衍射仪(XRD)进行了结构分析,没有发现新的衍射峰,并运用高分辨率X射线衍射仪(HR-XRD)分析了Mn离子注入后衬底(0...; 宋书林陈诺夫尹志岗柴春林杨少延刘志凯; 关键词：磁性半导体; 文献传递

色散效应对GaAs太阳电池双层减反射膜的影响被引量：2: 2006年; 考虑双层减反射膜材料的折射率色散效应,采用光学干涉矩阵法计算了SiO2/ZnSe和SiO2/ZnS两种GaAs太阳电池双层减反射膜的反射率与波长的函数曲线,以及加权平均反射率随着顶层减反射膜SiO2厚度变化的函数曲线,并与未考虑色散效应的情况进行了对比.计算结果表明,色散效应对双层减反射膜的反射率有较大的影响,特别是对300～500nm波长范围的影响更大,且对不同材料的减反射膜的影响也是不同的.与未考虑色散效应的情况相比,考虑色散效应后,SiO2/ZnSe双层减反射膜的最小加权平均反射率从1.14%增加到1.55%,而SiO2/ZnS双层减反射膜的最小加权平均反射率却从1.49%减小到1.46%.; 白一鸣陈诺夫戴瑞烜王鹏彭长涛; 关键词：色散效应 GAAS太阳电池

Si被注入Gd后的磁性及其整流特性的研究被引量：4: 2003年; 采用离子束技术 ,在n型硅基片中注入稀土元素钆 ,制备了磁性非磁性p n结 .磁性层GdxSi1 -x表现出优良的磁学性能 ,高居里温度 ,高原子磁矩 (利用RKKY模型可以得到解释 ) ,低矫顽力 ,并保持着半导体的属性 ,磁性非磁性p n结具有整流特性。; 周剑平陈诺夫宋书林柴春林杨少延刘志凯林兰英; 关键词：离子束外延磁性整流特性钆稀磁半导体

离子束淀积方法制备GdSi_2薄膜: 2004年; 采用离子束淀积方法制备了单相 Gd Si2 薄膜 .用俄歇电子谱仪对样品的成分进行了分析 ,用 X射线衍射方法分析了样品的结构 ,并用扫描电子显微镜观察了样品的表面形貌 .X射线衍射分析发现在 4 0 0℃沉积的样品中仅存在正交的 Gd Si2 相 .样品在氩气氛中 35 0℃ ,30 m in退火处理后 ,Gd Si2 相衍射峰的半高宽变窄 ,说明经过退火处理 ,Gd Si2; 李艳丽陈诺夫周剑平宋书林杨少延刘志凯; 关键词：X射线衍射

室温铁磁性半导体MnxGa(1-x)Sb被引量：3: 2002年; 采用离子注入、离子淀积及后期退火方法制各了稀磁半导体单晶MnxGa1-xSb,在室温下(300 K)获得了单晶的磁滞回线.用X射线衍射方法分析了铁磁性半导体单晶MnxGa1-xSb的结构,用电化学C-V法分析了单晶的载流子浓度分布.由X射线衍射得知,MnxGa1-xSb中Mn含量逐渐由近表面处的x=0.09下降到晶片内部的x=0.电化学C-V测得单晶的空穴浓度高达1×1021cm-3,表明MnxGa1-xSb单晶中大部分Mn原子占据Ga位,起受主作用.; 陈诺夫张富强杨君玲刘志凯杨少延柴春林王占国胡文瑞林兰英; 关键词：铁磁性稀磁半导体磁滞回线晶体结构载流子浓度

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