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江苏省科技支撑计划项目(BE2008029)

作品数:3 被引量:7H指数:2
相关作者:黄新友高春华陈志刚赵文波邓悦欢更多>>
相关机构:江苏大学汕头高新区松田实业有限公司更多>>
发文基金:江苏省科技支撑计划项目广东省教育部产学研结合项目更多>>
相关领域:化学工程电子电信一般工业技术电气工程更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 2篇会议论文

领域

  • 3篇化学工程
  • 2篇电气工程
  • 2篇一般工业技术
  • 1篇电子电信

主题

  • 5篇陶瓷
  • 3篇电性能
  • 3篇压电
  • 3篇压电陶瓷
  • 3篇无铅
  • 3篇无铅压电
  • 3篇无铅压电陶瓷
  • 2篇电容
  • 2篇电容器
  • 2篇电容器陶瓷
  • 2篇压电性
  • 2篇压电性能
  • 2篇钛酸
  • 2篇BT
  • 1篇钛酸钡
  • 1篇钛酸锶
  • 1篇钛酸锶钡
  • 1篇介电
  • 1篇介电性
  • 1篇介电性能

机构

  • 5篇江苏大学
  • 1篇汕头高新区松...

作者

  • 5篇黄新友
  • 4篇高春华
  • 3篇陈志刚
  • 1篇崔永臻
  • 1篇赵文波
  • 1篇魏敏先
  • 1篇李晓毅
  • 1篇邓悦欢

传媒

  • 2篇电子元件与材...
  • 1篇陶瓷学报

年份

  • 2篇2012
  • 2篇2011
  • 1篇2010
3 条 记 录,以下是 1-5
排序方式:
Ca含量对(Ba_(1-x)Ca_x)(Ti_(0.9)Zr_(0.1))O_3无铅压电陶瓷性能的影响被引量:2
2012年
采用传统的固相法制备(Ba1-xCax)(Ti0.9Zr0.1)O3(简称BCTZ)无铅压电陶瓷。借助扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)等测试方法研究了Ca含量对所制备BCTZ无铅压电陶瓷显微结构和压电介电性能的影响。结果表明:随着Ca含量的增加,(Ba1-xCax)(Ti0.9Zr0.1)O3无铅压电陶瓷的晶粒尺寸先增大后减小,所制备的BCTZ陶瓷的物相都是钙钛矿结构,没有杂相;随着Ca含量的增加,BCTZ陶瓷压电常数(d33),介电常数(εr),机电耦合系数(kp)分别先增加后降低,而介质损耗(tanδ)先减小后增大。当Ca含量(x)为0.15mol时,在1450℃烧结制得的(Ba1-xCax)(Ti0.9Zr0.1)O3无铅压电陶瓷性能最佳:压电常数(d33)为363pC/N,机电耦合系数(kp)为39.63%,介电常数(εr)为4184,介质损耗(tanδ)为1.08%。
赵文波黄新友高春华陈志刚
关键词:无铅压电陶瓷压电性能
添加Bi_4Ti_3O_(12)对BST陶瓷性能的影响被引量:4
2012年
采用固相法制备了添加Bi4Ti3O12(BIT)的(Ba0.71Sr0.29)TiO3(BST)陶瓷,研究了BIT的加入量对所制BST陶瓷的微观结构和介电性能的影响。结果表明:随着BIT添加量的增加,BST陶瓷的晶粒尺寸先减小后增大,相对介电常数(εr)逐渐减小,介质损耗(tanδ)先减小后增大。当添加质量分数26%的BIT于1 120℃烧结,制得的BST陶瓷综合性能较好:εr为1 700,tanδ为0.006,容温特性符合X7R的要求,耐直流电压强度为5.0×103V/mm。
黄新友李言高春华林榕黄瑞南
关键词:电容器陶瓷钛酸锶钡介电性能
MnCO3掺杂对NBT-KBT-BT无铅压电陶瓷性能和结构的影响
采用常规压电陶瓷固相法,借助XRD、SEM等测试分析方法,系统研究了MnCO掺杂对0.85(NaBi)TiO-0.144(KBi)TiO-0.006BaTiO(NBT-KBT-BT)无铅压电陶瓷结构和性能的影响。研究结果...
黄新友高春华魏敏先陈志刚
关键词:无铅压电陶瓷压电陶瓷
文献传递
BaSiO3掺杂对BT基电容器陶瓷性能和结构的影响
采用常规电容器陶瓷固相法,借助XRD、SEM等测试分析方法,系统研究了BaSiO3掺杂对BaTiO3基电容器陶瓷烧结温度及介电性能的影响。结果表明:掺杂BaSiO3能够有效改善瓷体的烧结和显微结构。当BaSiO3掺杂量为...
黄新友高春华崔永臻陈志刚
关键词:电容器陶瓷钛酸钡陶瓷
文献传递
Nd_2O_3掺杂K_(0.5)Na_(0.5)NbO_3无铅压电陶瓷压电性能的研究被引量:1
2011年
采用传统固相反应法制备了K0.5Na0.5NbO3-xNd2O3(简称KNN-xNd)系列无铅压电陶瓷,研究了不同Nd2O3含量(x=0,0.05,0.15,0.25,0.35,0.50,0.60,1.00)样品的物相组成、显微结构及压电性能。结果表明:A位的Nd3+少量加入并没有改变所制陶瓷的相结构,仍为单一斜方相钙钛矿。随着掺杂量x的增大样品的压电系数(d33)、平面机电耦合系数(kp)和样品密度(ρ)均先增大后减少,介质损耗(tanδ)先变小后增大,而相对介电常数一直变大。当x=0.50时,材料的综合性能达到最佳:ρ=4.42 g/cm3,d33=121 pC/N,εr=742,kp=0.43,tanδ=0.021。
李晓毅黄新友邓悦欢
关键词:K0.5NA0.5NBO3ND2O3无铅压电陶瓷压电性能
共1页<1>
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