陕西省自然科学基金(2007E105)
- 作品数：3 被引量：4H指数：1
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- CdZnTe像素探测器表面的氧离子刻蚀工艺被引量：1
- 2010年
- 本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺。通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响。研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层。刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大。减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低。
- 孙玉宝傅莉任洁査钢强
- 关键词：CDZNTE晶片表面性能
- Au/p-CdZnTe欧姆接触的电学测量及界面特性分析
- 2008年
- 采用化学镀金法在高阻p-CZT(CdZnTe)晶片表面制备Au电极,并用改进的圆环传输线模型(Ring-CTLM)测量了CZT电极的接触电阻,探讨了大气气氛下退火温度对CZT电极欧姆特性的影响。实验结果表明,200℃退火可以显著改善欧姆特性,使接触电阻率cρ显著减小,采用Ring-CTLM模型测得CZT与金电极接触电阻率为0.1524Ω.cm2。通过XPS分析了CZT与Au电极接触界面的成分,发现在Au/p-CdZnTe界面处形成了CdTeO3层,该界面层可起到载流子复合中心的作用,构建的新模型很好地解释了化学镀金法在p-CdZnTe晶片表面形成欧姆接触的机理。
- 张连东聂中明傅莉查钢强介万奇
- 关键词：CDZNTE晶片化学镀金
- CdZnTe接触电极与引线的超声波焊接被引量：3
- 2009年
- 为实现高电阻CdZnTe半导体(简称CZT)接触电极与外引线的超声波焊接,采用正交实验法探讨CZT接触电极与引线超声波焊接质量的影响因素及其作用规律。结果表明:经机械抛光表面处理的CZT晶片,采用离子溅射法制备的金电极与外引线间具有较高的超声波焊合率,能获得最佳焊点质量的电极厚度为180nm。此外,CZT接触电极制备工艺和楔入压力都是影响CZT接触电极与引线超声波焊接质量的主要因素,当CZT接触电极制备工艺确定后,楔入压力成为影响CZT接触电极与引线超声波焊接质量的主要因素,焊接功率则为次要因素。经优化后CZT接触电极与引线超声波焊接主要工艺参数为:一焊楔入压力0.882N;二焊楔入压力0.588N;焊接功率1.5W;焊接时间20ms。
- 聂中明傅莉任洁查钢强
- 关键词：CDZNTE晶片接触电极超声波焊接正交实验法
