您的位置: 专家智库 > >

国家自然科学基金(50172051)

作品数:3 被引量:18H指数:3
相关作者:孙超陆峰闻立时徐成海宫骏更多>>
相关机构:中国科学院金属研究所东北大学沈阳建筑大学更多>>
发文基金:国家自然科学基金更多>>
相关领域:一般工业技术理学电子电信金属学及工艺更多>>

文献类型

  • 3篇期刊文章
  • 1篇会议论文

领域

  • 3篇一般工业技术
  • 1篇金属学及工艺
  • 1篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇导电薄膜
  • 2篇氧化锌薄膜
  • 2篇直流磁控
  • 2篇直流磁控溅射
  • 2篇透明导电
  • 2篇透明导电薄膜
  • 2篇溅射
  • 2篇ZAO薄膜
  • 2篇磁控
  • 2篇磁控溅射
  • 1篇电磁线圈
  • 1篇电阻率
  • 1篇直流磁控溅射...
  • 1篇致密
  • 1篇致密度
  • 1篇溶胶
  • 1篇溶胶凝胶
  • 1篇透射
  • 1篇透射率
  • 1篇稳定剂

机构

  • 4篇中国科学院金...
  • 2篇东北大学
  • 1篇沈阳建筑大学

作者

  • 4篇孙超
  • 2篇徐成海
  • 2篇裴志亮
  • 2篇闻立时
  • 2篇宫骏
  • 2篇陆峰
  • 1篇朱明伟
  • 1篇曹洪涛
  • 1篇黄辉
  • 1篇张小波
  • 1篇肖金泉

传媒

  • 1篇材料保护
  • 1篇东北大学学报...
  • 1篇中国表面工程

年份

  • 2篇2007
  • 1篇2005
  • 1篇2003
3 条 记 录,以下是 1-4
排序方式:
透明导电薄膜在不同衬底上的性能对比研究被引量:5
2005年
为了对比研究不同透明衬底上ZnO:Al(ZAO)薄膜的性能,采用直流反应溅射法制备薄膜,并对其作EDS、XRD和电学测试分析。结果表明:所制备的ZAO薄膜具有典型的ZnO晶体结构;沉积在玻璃基片上的ZAO薄膜,Al,O含量高于沉积在透明聚酯塑料基片上的,而Zn的含量则相反;在两种衬底上获得的ZAO薄膜电阻率分别为4.5×10-4Ω·cm和9.73×10-4Ω·cm,可见光透射率分别达到87.7%和81.5%。由此可见:用直流反应磁控溅射法在不同衬底上都能获得可见光透射率达到80%以上的ZAO薄膜;相比而言,在玻璃衬底上获得的ZAO薄膜电阻率低,而在透明聚酯塑料上沉积的ZAO薄膜透射性好。
陆峰徐成海闻立时曹洪涛裴志亮孙超
关键词:ZAO薄膜衬底直流磁控溅射电阻率透射率
外加电磁直流磁控溅射法低温沉积ZnO:Al薄膜的研究
采用外加电磁线圈直流磁控溅射法低温制备了ZnO:Al透明导电薄膜, 研究了不同沉积参数对AZO薄膜电学性能的影响。通过改变外加同轴线圈磁场来改变基片处等离子体密度,并用Langmuir探针进行了测量。研究结果表明:低温沉...
张小波裴志亮肖金泉宫骏孙超
关键词:ZNO:AL透明导电薄膜反应溅射电磁线圈
文献传递
稳定剂对溶胶凝胶制备的氧化锌薄膜致密度的影响被引量:5
2007年
采用溶胶凝胶法制备了ZnO薄膜,利用扫描电镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对薄膜的表面形貌和晶体结构进行了表征。并通过紫外可见分光光度计测量了薄膜在可见光区的透过率,根据这一结果计算了薄膜的相对致密度,结果表明:采用不同的稳定剂时,薄膜的形貌、择优取向以及相对致密度均会发生变化;单乙醇胺作为稳定剂时,薄膜的致密度和择优取向最好。初步探讨了稳定剂对薄膜的致密度的影响。
朱明伟黄辉宫骏孙超姜辛
关键词:溶胶凝胶稳定剂
ZAO透明导电纳米薄膜中Al元素分布对其性能的影响被引量:8
2003年
主要对直流反应磁控溅射法制备ZAO纳米薄膜中Al元素的相对含量进行了分析,对其作了EDS,XRD测试,并研究了Al质量分数与ZAO薄膜的光、电性能的关系·得出ZAO薄膜中成分是均匀的,具有ZnO晶体结构;Al元素的掺杂没有形成新的化合物(Al2O3),Al对Zn的掺杂替换是提高ZAO薄膜导电性能的关键因素,对薄膜在可见光区的透射性影响不大·制备的薄膜最低电阻率为4 5×10-4Ω·cm,可见光透射率达到80%以上·
陆峰徐成海孙超闻立时
关键词:AL元素ZAO薄膜EDSXRD氧化锌薄膜铝元素
共1页<1>
聚类工具0