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国家自然科学基金(50172044)

作品数：2 被引量：36H指数：1
相关作者：王玉霞何海平汤洪高更多>>
相关机构：中国科学技术大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信理学更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信
  • 1篇理学

主题

  • 2篇碳化硅
  • 1篇带隙
  • 1篇导体
  • 1篇碳化硅薄膜
  • 1篇宽带隙
  • 1篇宽带隙半导体
  • 1篇宽带隙半导体...
  • 1篇硅薄膜
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体材料
  • 1篇半导体器件
  • 1篇SIC
  • 1篇SILICA
  • 1篇CHEMIC...
  • 1篇GROWTH
  • 1篇HEATIN...
  • 1篇POLYST...

机构

  • 1篇中国科学技术...

作者

  • 1篇汤洪高
  • 1篇何海平
  • 1篇王玉霞

传媒

  • 1篇Chines...
  • 1篇硅酸盐学报

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2002
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
Growth and Chemical Thermodynamics Analysis of SiC Film on Si Substrate by Heating Polystyrene/Silica Bilayer Method
2008年
原文如此，电影被在正常压力流动在 Si (111 ) 底层上加热聚苯乙烯 / 硅石 bilayer 方法修改准备在 1300 点周围的 Ar ??? 獩档牥吭潲獰档 ?????????????????
Yun Li Yu-xia Wang Zheng Chen Jian-wen Wang You-ming Zou
关键词：碳化硅薄膜
宽带隙半导体材料SiC研究进展及其应用被引量：36
2002年
SiC是第 3代宽带隙半导体的核心材料之一 ,具有极为优良的物理化学性能 ,应用前景十分广阔 .本文综合介绍SiC的基本特性 ,材料的生长技术 (包括体单晶生长和薄膜外延生长技术 ) ,SiC基器件的研发现状 ,应用领域及发展前景 .同时还介绍了作者用脉冲激光淀积法在Si衬底上制备出单晶 4H
王玉霞何海平汤洪高
关键词：宽带隙半导体材料SIC碳化硅半导体器件
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共1页<1>
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