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国家重点基础研究发展计划(2002CB11905)

作品数：2 被引量：4H指数：1
相关作者：张世林毛陆虹郭维廉宋瑞良梁惠来更多>>
相关机构：天津大学天津工业大学安徽工程大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 2篇双极晶体管
  • 2篇晶体管
  • 2篇负阻
  • 1篇电阻
  • 1篇氧化物半导体
  • 1篇异质结
  • 1篇异质结双极晶...
  • 1篇栅结构
  • 1篇双极型
  • 1篇双极型晶体管
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇金属氧化物半...
  • 1篇互补型金属氧...
  • 1篇负阻器件
  • 1篇半导体
  • 1篇半导体场效应...
  • 1篇PMOS
  • 1篇场效应
  • 1篇场效应晶体管

机构

  • 2篇天津大学
  • 1篇天津工业大学
  • 1篇中国科学院
  • 1篇安徽工程大学

作者

  • 2篇郭维廉
  • 2篇毛陆虹
  • 2篇张世林
  • 1篇陈乃金
  • 1篇钟鸣
  • 1篇齐海涛
  • 1篇胡海洋
  • 1篇梁惠来
  • 1篇陈燕
  • 1篇宋瑞良
  • 1篇王伟

传媒

  • 1篇Journa...
  • 1篇固体电子学研...

年份

  • 1篇2013
  • 1篇2005
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
由pnp双极型晶体管和PMOS构成的CMOS负阻单元
2013年
使用pnp双极型晶体管和pMOS,按照正反馈产生负阻I-V特性的原理,采用CMOS工艺,设计研制成功CMOS负阻单元,并对它进行了实际的测试与验证,效果良好,而且可以用它作为基础性器件,构成与CMOS工艺相兼容的负阻型逻辑电路,比常规CMOS电路节省大量器件。
陈乃金郭维廉陈燕王伟张世林毛陆虹
关键词：互补型金属氧化物半导体双极晶体管金属氧化物半导体场效应晶体管
电阻栅结构负阻异质结双极晶体管被引量：4
2005年
设计并研制成功了具有电阻栅结构的n-InGaP/p-GaAs/n-GaAs负阻异质结双极晶体管.研制出的器件IV特性优于相关文献的报导;得到了恒定电压和恒定电流两种模式的负阻特性曲线;对两种模式负阻特性产生的物理机制进行了解释;最后对此器件的应用前景进行了预测.
郭维廉齐海涛张世林钟鸣梁惠来毛陆虹宋瑞良胡海洋
关键词：异质结双极晶体管负阻器件
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