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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-07-0724)

作品数：1 被引量：2H指数：1
相关作者：陈阳华赖虹凯郑元宇陈松岩李成更多>>
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发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇电子电信

主题

  • 1篇退火
  • 1篇互扩散

机构

  • 1篇厦门大学

作者

  • 1篇李成
  • 1篇陈松岩
  • 1篇郑元宇
  • 1篇赖虹凯
  • 1篇陈阳华

传媒

  • 1篇光电子．激光

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
Si基外延Ge薄膜及退火对其特性的影响研究被引量：2
2011年
采用超高真空化学气相沉积(UHV-CVD)系统,用低温Ge缓冲层技术在Si衬底上外延了张应变Ge薄膜。扫描电镜(TEM)图表明Si基外延Ge薄膜拥有低的位错密度,原子力显微镜(AFM)测试Ge层表面粗糙度仅为1.2 nm。对Si基外延Ge薄膜进行了不同温度下的退火,并用双晶X射线衍射(DCXRD)曲线和Raman谱进行表征。结果表明,Si基外延Ge薄膜受到的张应变随退火温度呈线性增加,当退火温度达到850℃时Si和Ge发生严重的互扩散,这种互扩散改变了室温PL谱,影响外延Ge薄膜特性。
郑元宇李成陈阳华赖虹凯陈松岩
关键词：退火互扩散
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