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中央高校基本科研业务费专项资金(HEUCFR1107)

作品数：1 被引量：0H指数：0
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇运动特性
  • 1篇分子
  • 1篇分子模拟
  • 1篇硅

机构

  • 1篇哈尔滨工程大...
  • 1篇哈尔滨工业大...

作者

  • 1篇孟庆元
  • 1篇王超营
  • 1篇王振清

传媒

  • 1篇人工晶体学报

年份

  • 1篇2011
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
硅中90度部分位错双周期结构的运动特性
2011年
利用基于紧束缚势(TB)的分子模拟方法研究了硅中90度部分位错双周期(DP)结构的运动特性。详尽描述了该结构的左弯结和右弯结在一个周期内的运动过程。利用共轭梯度(conjugate gradients:CG)法计算得到了DP结构中左、右弯结的形成能。另外,在弯结运动过程的基础上,利用NEB(nudged elastic band)方法计算出了左、右弯结在一个运动周期内的迁移势垒,并且发现Si中90度部分位错的运动主要受弯结迁移势垒的控制。最后,根据位错运动的活化能理论分别得到了决定90度部分位错运动的长位错段和短位错段的活化能。
王超营王振清孟庆元
关键词：硅运动特性分子模拟
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共1页<1>
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