辐射物理及技术教育部重点实验室开放课题基金
- 作品数：3 被引量：14H指数：2
- 相关作者：唐昶环安竹刘东剑董建军赵宗清更多>>
- 相关机构：四川大学中国工程物理研究院中国科学院更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学核科学技术一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 18MeV质子辐照对Zr-Sn-Nb合金性能影响的研究被引量：4
- 2002年
- 作者通过HZ B串列加速器用能量 18MeV的质子 ,研究了两种Zr Sn Nb合金的质子辐照效应 .结果表明 ,经 1.5× 10 14 /cm2 注量质子辐照处理后 ,其样品的电阻率升高 ,而显微组织没有明显的变化 .通过计算在此能量和注量下锆合金的初级撞出能量为 770keV ,足以产生级联碰撞 ,致使样品中的原子移位而生成点缺陷 ,从而电阻率上升 。
- 封向东祖小涛王治国
- 关键词：电阻率TEM观察显微组织
- 用正电子研究半导体材料GaSb的缺陷被引量：2
- 2006年
- 用正电子寿命谱和符合多普勒技术研究了电子辐照过的GaSb样品.揭示出原生未掺杂GaSb样品中存在单空位型VGa相关缺陷,具有284 ps左右的寿命值.电子辐照能使这种缺陷的浓度增大,使平均寿命值从辐照前的265 ps增大到辐照后的268 ps.低温符合多普勒展宽实验结果表明退火后的电子辐照过的原生未掺杂GaSb样品中仍然存在反位缺陷GaSb.掺Zn、Te样品的实验也证实电子辐照在GaSb样品中会引入VGa,284 ps类型的缺陷.
- 邵云东王柱赵有文唐方圆
- 关键词：GASB正电子湮没电子辐照
- 中子半影成像图像反演方法研究被引量：8
- 2006年
- 给出了中子半影成像技术的原理;分析了系统分辨率的影响因子;利用MCNP软件对中子半影成像过程进行模拟;用改进的逆滤波和维纳滤波两种方法对成像主轴上一点源和偏轴两点源的编码图像进行重建,并对编码像在降低噪声和去除本底前后的反演结果进行了比较。模拟结果表明维纳滤波法能够更好地抑制统计噪声。
- 刘东剑唐昶环赵宗清董建军安竹
- 关键词：惯性约束聚变点扩散函数
