北京市属高等学校人才强教计划资助项目(05002015200504)
- 作品数：2 被引量：6H指数：1
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- InGaN/GaN MQW双波长LED的MOCVD生长被引量：5
- 2007年
- 利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统生长了InGaN/GaN多量子阱双波长发光二极管(LED)。发现在20 mA正向注入电流下空穴很难输运过蓝光和绿光量子阱间的垒层,这是混合量子阱有源区获得双波长发光的主要障碍。通过掺入一定量的In来降低蓝光和绿光量子阱之间的垒层的势垒高度,增加注入到离p-GaN层较远的绿光有源区的空穴浓度,从而改变蓝光和绿光发光峰的强度比。研究了蓝光和绿光量子阱间垒层In组分对双波长LED的发光性质的影响。此外,研究了双波长LED发光特性随注入电流的变化。
- 沈光地张念国刘建平牛南辉李彤邢艳辉林巧明郭霞
- 关键词：MOCVD
- ICP刻蚀GaP表面形貌控制(英文)被引量：1
- 2010年
- 不同角度的GaP表面形貌刻蚀主要依赖于刻蚀参数的调节以及光刻胶的形貌,但要得到能够重复的光刻胶形貌是很困难的.研究了如何通过调节感应耦合等离子(ICP)刻蚀仪器本身的参数,而不依赖于不定的光刻胶形貌来得到可重复的表面形貌.通过研究可知,射频功率与腔室压强是影响表面形貌的最重要的两个参数.射频功率越小刻蚀得到的角度越大,腔室压强越大刻蚀得到的角度也越大.通常BCl3等离子体被用来作为GaP的刻蚀气体,但为了维持所需的等离子浓度以及更大的操作压强,Ar被加入刻蚀气体中.
- 蒋文静徐晨邓琛高伟沈光地
- 关键词：等离子体
