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陕西省教育厅科研计划项目(2013JK0917)

作品数：11 被引量：17H指数：3
相关作者：张富春崔红卫张威虎邵婷婷黄保瑞更多>>
相关机构：延安大学更多>>
发文基金：陕西省教育厅科研计划项目陕西省自然科学基金博士科研启动基金更多>>
相关领域：理学电气工程电子电信一般工业技术更多>>

文献类型

  • 11篇中文期刊文章

领域

  • 5篇理学
  • 3篇电气工程
  • 2篇电子电信
  • 1篇化学工程
  • 1篇自动化与计算...
  • 1篇一般工业技术

主题

  • 4篇密度泛函
  • 4篇光学
  • 4篇光学性
  • 4篇光学性质
  • 4篇泛函
  • 3篇密度泛函理论
  • 3篇泛函理论
  • 2篇第一性原理
  • 2篇电池
  • 2篇电子结构
  • 2篇太阳电池
  • 2篇子结构
  • 2篇钛酸
  • 2篇钛酸锶
  • 2篇密度泛函理论...
  • 2篇SNO
  • 2篇SNO2
  • 2篇SRTIO
  • 2篇GAN
  • 2篇INGAN

机构

  • 11篇延安大学

作者

  • 10篇张富春
  • 3篇张威虎
  • 3篇崔红卫
  • 2篇张水利
  • 2篇邵婷婷
  • 2篇黄保瑞
  • 1篇刘竹琴
  • 1篇夏晓春

传媒

  • 3篇激光与光电子...
  • 2篇河南科学
  • 1篇电子世界
  • 1篇西北大学学报...
  • 1篇延安大学学报...
  • 1篇无线互联科技
  • 1篇科技风
  • 1篇赤峰学院学报...

年份

  • 1篇2017
  • 1篇2016
  • 3篇2015
  • 5篇2014
  • 1篇2013
共 11 条 记 录，以下是 1-10
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排序方式：
(n,n)扶椅型单臂ZnO纳米管的第一性原理被引量：1
2014年
采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法系统研究了(n,n)扶椅型单臂ZnO纳米管的电子结构和属性。能量计算结果显示(n,n)扶椅型单臂ZnO纳米管的结合能都是负的,表明扶椅型单臂ZnO纳米管在基态下可稳定存在。当扶椅型ZnO纳米管直径增大,体系基态能量减小,ZnO纳米管体系趋于更加稳定的状态。其次,能带结构计算结果揭示扶椅型ZnO纳米管为直接宽带隙半导体材料,禁带宽度大于ZnO体材料的值,纳米管的整个价带随着纳米管管径的逐渐增加而被明显展宽,纳米管的价带向低能方向出现了明显的漂移现象。另外,在ZnO纳米管价带顶部出现了由表面效应引起的缺陷态能级。光学属性计算结果显示,吸收光谱发生了蓝移现象,计算的纳米管吸收带边对应于光谱的紫外波段,表明(n,n)扶椅型单臂ZnO纳米管是一种很有前途的紫外半导体发光材料。
刘竹琴张富春张威虎
关键词：氧化锌密度泛函理论纳米管
Sb掺杂SnO_2的电学性质和光学性质密度泛函理论研究（英文）被引量：5
2015年
基于平面波赝势密度泛函理论,采用局域密度近似(LDA)方法研究了Sb掺杂Sn O2的电子结构和光学性质。计算结果表明,与本征Sn O2比较,Sb掺杂Sn O2的性质,包括能带结构、态密度、电荷密度及光学性质等均随Sb的掺杂浓度变化。Sb掺杂相比本征Sn O2的带隙要窄,带隙随Sb掺杂浓度的增加逐渐变窄,并且浅施主杂质能级逐渐远离导带底。Sb掺杂改变了Sn O2可成键性质,随着掺杂浓度的增加,共价性减弱,金属性增强。光学性质计算结果显示随着掺杂浓度的增加,态密度和介电函数虚部向低能方向移动,发生了明显的红移现象,这从理论上揭示了电子结构和光学性质之间的内在关系。
邵婷婷张富春崔红卫
关键词：SNO2密度泛函理论电学性质光学性质
电类专业《数字电子技术》教学改革的探索与实践
2013年
《数字电子技术》是高等院校电类专业一门重要的基础课,是学生学习相关专业知识的基础,本文结合近年来笔者对该课程一些教学方法的实践,从激发学生学习兴趣、训练学生的创新性思维、培养学生的独立动手能力、工程实践能力以及初步科研能力等方面进行了探讨,抛砖引玉,供大家交流。
张富春
关键词：电类专业数字电子技术
P层厚度对InGaN单结太阳电池的影响被引量：1
2014年
采用基于第一性原理和太阳电池基本方程的wxAMPS软件,在理想情况下,模拟计算了单结In0.65Ga0.35N太阳电池的光电特性。计算结果表明:当p层厚度从130 nm逐渐增加到220 nm时,入射的光子吸收能量减少,从而产生的光生载流子数目减少,进而引起了开路电压、短路电流密度以及电池的转换效率均逐渐减小,但是填充因子却反而逐渐增大,为对单结In0.65Ga0.35N太阳电池的设计提供了理论的参考依据。
阮兴祥张富春张威虎
关键词：太阳电池
应力条件下GaN电子结构及光学性质研究被引量：2
2014年
采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波计算方法,系统研究了不同应力作用下GaN的电子结构和光学性质,对比分析了外压调制对GaN的能带结构、态密度和光学性质变化的影响。计算结果表明:随着外应力的逐渐增加,Ga—N的键长逐渐变小,布局数逐渐增加,共价性明显增强,离子性减弱。电子结构计算结果显示导带向高能方向漂移,而整个价带向低能方向漂移,禁带带宽明显被展宽,Ga原子的3d态电子与N原子的2p态电子的杂化程度增强。光学性质计算结果揭示了在没有应力的作用下,在1.6 eV附近开始出现吸收边。随着外应力的逐渐增大,GaN的复介电函数和吸收谱向高能方向漂移,光谱发生了明显的蓝移现象,进而提高了光电转换效率。
阮兴祥张富春张威虎
关键词：光电子学GAN第一性原理光学性质
SrTiO_3能带结构的计算与分析
2014年
利用CASTEP软件包对SrTiO3的能级结构、态密度和分波态密度进行计算,并进行了详尽的分析,实验结果与前人的结论相符。
张水利张富春
关键词：钛酸锶态密度
I层对PIN型InGaN太阳电池性能影响的研究
2015年
利用wx AMPS软件研究了I层对PIN型In Ga N太阳电池性能的影响及物理机制.通过模拟计算发现,在同质结的PIN型In Ga N太阳电池中,随着I层厚度的增加,In Ga N电池的开路电压几乎恒定,而短路电流增加,因此太阳能转换效率增加.在异质结的PIN型In Ga N太阳电池中,I层与P层和N层的In组分之差变大,会使异质结带阶变大,降低了太阳电池的能量转换效率.研究结果表明,适当选择I层厚度和In组分可以实现太阳电池转换效率提升和成本控制.
黄保瑞张富春
关键词：太阳电池INGAN
La,Ce,Nd掺杂SnO_2的电子结构和光学性质密度泛函理论研究（英文）被引量：2
2015年
基于平面波赝势密度泛函理论,研究了La,Ce,Nd掺杂SnO2的电子结构和光学性质。计算结果表明,La附近的键长变化最大,而Nd附近的键长变化最小,这表明稀土掺杂SnO2引起的晶格畸变与掺杂原子的共价半径大小有关。能带结构表明,稀土掺杂可使SnO2的带隙变窄。La掺杂相比较本征SnO2,带隙减小了0.892 e V,Nd掺杂在SnO2的禁带中引入了3个能级。差分电荷密度分析表明,稀土掺杂使SnO2的电子重新分配且由于f电子的存在使其离子性增强。La原子失电子最多,Nd原子失电子最少,这和计算的能带结果是一致的。光学性质表明,介电函数的虚部和吸收函数因稀土掺杂出现了不同程度的红移,这和计算的能带结果非常吻合。
邵婷婷张富春崔红卫
关键词：SNO2稀土掺杂密度泛函理论
SrTiO_3晶体结构的布局分析
2014年
本文利用CASTEP软件对SrTiO3晶体中各原子的有效电荷、原子间的键长及电子云重叠布局数进行计算,并对各个原子之间的成键情况进行了Mulliken布局分析和Hirshfeld分析,得到了比较满意的结果。
张水利张富春
关键词：钛酸锶有效电荷
GaN电子结构与光学性质的第一原理研究被引量：4
2016年
采用了基于密度泛函理论和广义梯度近似方法计算了GaN电子结构和光学性质.计算结果表明,GaN属于直接带隙半导体,静态介电常数为5.72,折射率为2.2.并利用计算所得图形,分析了GaN的能带结构、态密度、介电函数、折射率和能量损失函数,从理论上阐述了GaN材料电子结构与光学性质的关系,计算结果与实验结果相符.
黄保瑞张富春崔红卫
关键词：电子结构密度泛函光学性质
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