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江苏省青年科技基金(BQ96040)

作品数：2 被引量：6H指数：2
相关作者：于宗光许居衍张国华更多>>
相关机构：信息产业部更多>>
发文基金：江苏省青年科技基金更多>>
相关领域：自动化与计算机技术更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇自动化与计算...

主题

  • 2篇EEPROM
  • 1篇浮栅

机构

  • 2篇信息产业部

作者

  • 2篇许居衍
  • 2篇于宗光
  • 1篇张国华

传媒

  • 2篇电子学报

年份

  • 2篇2000
共 2 条 记 录，以下是 1-2
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排序方式：
FLOTOX EEPROM擦写过程中隧道氧化层陷阱俘获电荷的研究被引量：3
2000年
本文首先从理论上分析FLOTOXEEPROM隧道氧化层中陷阱俘获电荷对注入电场和存储管阈值电压的影响 ,然后给出了在不同擦写条件下FLOTOXEEPROM存储管的阈值电压与擦写周期关系的实验结果 ,接着分析了在反复擦写过程中陷阱俘获电荷的产生现象 .对于低的擦写电压 ,擦除阈值减少 ,在隧道氧化层中产生了负的陷阱俘获电荷 ;对于高的擦写电压 ,擦除阈值增加 ,产生了正陷阱俘获电荷 .这一结果与SiO2 中电荷的俘获———解俘获动态模型相吻合 .
于宗光徐征叶守银张国华黄卫王万业许居衍
关键词：EEPROM
浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷泄漏研究被引量：4
2000年
本文从研究不同单元尺寸浮栅隧道氧化层EEPROM在不同状态、不同温度保存下阈值电压的变化入手 ,论述了浮栅隧道氧化层EEPROM中浮栅上电荷的泄漏机理 ,并提出了改进EEPROM保持特性的措施 .
于宗光陆锋徐征叶守银黄卫王万业许居衍
关键词：EEPROM浮栅
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