国防民口配套项目(JPPT-115-2-1247)
- 作品数：1 被引量：15H指数：1
- 相关作者：王磊刘伟崔建东董桂霞毛昌辉更多>>
- 相关机构：北京有色金属研究总院更多>>
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- 低介电损耗高耐压强度BST介电陶瓷的研究被引量：15
- 2008年
- 为了提高钛酸钡基陶瓷的击穿强度及降低介电损耗,用传统粉末冶金法制备了BaxSr1-xTiO3陶瓷（x=1,0.7,0.6,0.5,0.4,0.3,0.2,0.1）。X射线衍射（XRD）分析结果表明,随着x的增加,BaxSr1-xTiO3陶瓷的晶胞体积增大。且在室温条件下（约25℃）,当x=1-0.7时其晶体结构为四方相结构,当x=0-0.6时,为立方结构。材料的介电常数及介电损耗随着x的增大而增大;而其频率稳定性则随着x的增大而减小。在Ba0.2S0.8TiO3粉体中以机械混合的方式添加ZnO后,随着ZnO添加量的增加,陶瓷的介电常数、击穿强度都随着增大,而介电损耗则减小,当ZnO的加入量为1.6%（质量分数）时,材料的介电常数和击穿强度达到最大值,而介电损耗最小。
- 董桂霞王磊刘伟杜军毛昌辉崔建东
- 关键词：击穿强度介电损耗
