国家自然科学基金(90607019)
- 作品数：3 被引量：9H指数：2
- 相关作者：张卫汪礼康潘少辉何伦文徐赛生更多>>
- 相关机构：复旦大学更多>>
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- 直流和脉冲电镀Cu互连线的性能比较被引量：4
- 2008年
- 针对先进纳米Cu互连技术的要求,比较了直流和脉冲两种电镀条件下Cu互连线的性能以及电阻率、织构系数、晶粒大小和表面粗糙度的变化。实验结果表明,在相同电流密度条件下,脉冲电镀所得Cu镀层电阻率较低,表面粗糙度较小,表面晶粒尺寸和晶粒密度较大,而直流电镀所得镀层(111)晶面的择优程度优于脉冲。在超大规模集成电路Cu互连技术中,脉冲电镀将有良好的研究应用前景。
- 徐赛生曾磊张立锋张卫汪礼康
- 关键词：CU互连脉冲电镀直流电镀
- VDMOS器件贴片工艺中气泡的形成机制与影响被引量：4
- 2007年
- 功率MOS管的封装贴片工艺会在贴片层中引入气泡,从而严重降低器件的机械性能、热性能和电学性能。本研究就VDMOS管D-PAK封装模式,给出了贴片工艺中气泡的产生机制及其影响,并利用FEA方法建立了其D-PAK封装的热学模型。根据模拟结果,在贴片层中气泡含量提高时,热阻会急剧增大而降低器件的散热性能。
- 潘少辉何伦文汪礼康张卫
- 关键词：贴片工艺有限元分析法热阻
- Characterization of low-dielectric-constant SiCON films grown by PECVD under different RF power
- In this paper,we report the influence of RF power on carbon- and nitride-doped silicon oxide（SiCON） films depo...
- Lei ZhangHao-Wen GuoChi ZhangWei ZhangShi-Jin Ding
- SiOC低介电常数介质吸湿机理的理论研究被引量：1
- 2007年
- 利用密度泛函理论(DFT)系统研究了掺碳的SiO2低κ互连介质(SiOC)的吸湿问题.比较了Si-CH3和Si-CH2-Si这两种反应位与H2O的反应,研究发现—CH3更加容易与水反应而脱离SiOC薄膜.还研究了多个水分子吸附于Si-CH3反应位情况下的吸水反应.当SiOC薄膜表面吸附多个水分子,并且水分子以二聚物形式存在时,吸水反应的势垒明显降低.
- 孙亮朱莲薛原丁士进张卫
- 关键词：SIOC密度泛函理论
