国家自然科学基金(60607016)
- 作品数：4 被引量：14H指数：3
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- GaAs基GaSb体材料及InAs/GaSb超晶格材料的MBE生长被引量：5
- 2007年
- 采用分子束外延方法在GaAs（100）衬底上生长GaSb体材料,以此GaSb为缓冲层生长了不同InAs厚度的InAs/GaSb超晶格,其10K光致发光谱峰值波长在2.0~2.6μm.高分辨透射电子显微镜观察证实超晶格界面清晰,周期完整.
- 郝瑞亭徐应强周志强任正伟牛智川
- 关键词：GAASGASBINAS/GASB超晶格
- InAs／GaSbⅡ型超晶格的拉曼和光致发光光谱被引量：4
- 2009年
- 采用分子束外延(MBE)技术,在GaSb(100)衬底上外延生长晶体结构完整和表面平整的Ⅱ型超晶格InAs(1.2nm)/GaSb(2.4nm)。拉曼光谱表明:随着温度从70K升高至室温,由于热膨胀作用和光声子散射过程中的衰减,超晶格纵光学声子拉曼频移向低波数方向移动5cm-1,频移温度系数约为0.023cm-1/K。光致发光(PL)峰在2.4～2.8μm,由带间辐射复合和束缚激子复合构成,2.55μmPL峰随温度变化(15～150K)发生微小红移,超晶格中InAs电子带与GaSb空穴带带间距随温度变化比体材料的禁带宽度小。PL发光强度在15～50K随温度升高而升高,在60～150K则相反,并在不同温度段表现出不同的温度依赖关系。
- 郭杰孙维国彭震宇周志强徐应强牛智川
- 关键词：超晶格INAS/GASB拉曼光谱光致发光
- GaAs基短周期InAs／GaSb超晶格红外探测器研究被引量：6
- 2009年
- 采用分子束外延(MBE)方法,在(001)GaAs衬底上生长了短周期Ⅱ型超晶格(SLs):InAs/GaSb(2ML/8ML)和InAs/GaSb(8ML/8ML).从X射线衍射(HRXRD)中计算出超晶格周期分别为31.2和57.3.室温红外透射光谱表明两种超晶格结构在短波2.1μm和中波5μm处有明显吸收.通过腐蚀、光刻和欧姆接触,制备了短波和中波的单元光导探测器.在室温和低温下进行光谱响应测试和黑体测试,77K下,50%截止波长分别为2.1μm和5.0μm,黑体探测率Db*b均超过2×108cmHz1/2/W.室温下短波探测器Db*b超过108cmHz1/2/W.
- 郭杰彭震宇鲁正雄孙维国郝瑞亭周志强许应强牛智川
- 关键词：超晶格分子束外延光谱响应
- 生长温度对InAs／GaSb超晶格晶体结构和表面形貌的影响被引量：1
- 2008年
- 采用分子束外延（MBE）技术，在GaSb（100）衬底上外延生长InAs（4ML）／GaSb（8ML）超晶格（SLs）。研究了生长温度（400～440℃）对超晶格晶体结构和表面形貌的影响。结果表明，420℃生长的超晶格结构完整和表面粗糙度最小，其荧光光谱（PL）峰值波长在约2．54μm处，响应光谱50％截止波长在约2．4μm处。通过控制快门顺序形成InSb和混合两种界面，并发现生长温度强烈影响混合界面InAs／GaSb超晶格结构和表面形貌，而对InSb界面超晶格的影响较小。
- 郭杰孙维国陈慧娟彭震宇鲁正雄郝瑞亭周志强许应强牛智川
- 关键词：INAS/GASBXRD生长温度
