教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-04-0896)
- 作品数：21 被引量：78H指数：5
- 相关作者：蒋亚东吴志明李伟魏雄邦廖乃镘更多>>
- 相关机构：电子科技大学北京信息科技大学重庆邮电大学更多>>
- 发文基金：教育部“新世纪优秀人才支持计划”国家杰出青年科学基金更多>>
- 相关领域：电子电信理学一般工业技术自动化与计算机技术更多>>
- 氧化钒薄膜的制备技术及特性研究被引量：2
- 2007年
- 采用直流反应磁控溅射法,通过精确控制反应溅射电压优化了氧化钒薄膜的制备工艺。对制备的氧化钒薄膜,利用四探针测试仪检测了薄膜的方阻和方阻温度系数,用X射线光电子能谱(XPS)仪和原子力显微镜(AFM)对薄膜的钒氧原子比和薄膜的微观形貌分别进行了分析和表征。实验结果表明,利用精确控制反应溅射电压法生长出的氧化钒薄膜的性能得到了进一步的提高。
- 魏雄邦吴志明王涛许庆宪李建峰蒋亚东
- 关键词：氧化钒薄膜磁控溅射
- V2O5/V/V2O5薄膜退火条件对其的制备及特性的影响被引量：1
- 2010年
- 利用间歇通O2的方式,采用射频磁控溅射法在Si3N4衬底上制备V2O5/V/V2O5复合薄膜,研究了不同原位退火条件对薄膜阻值及电阻温度系数(TCR)的影响。结果表明,经过退火处理后的V2O5/V/V2O5复合薄膜方阻值大大降低,电阻-温度曲线呈现良好的线性特性,并具有高TCR值及优良的电学稳定性。利用X射线光电子能谱(XPS)对退火后的V2O5/V/V2O5复合薄膜表面进行V、O元素分析,结果表明,V2O5/V/V2O5复合薄膜各层间的扩散效果显著影响薄膜表面不同价态V离子的含量,低价V离子会随着退火温度的升高及退火时间的延长而增多,薄膜表面对水分子的吸附也随之变强。在实验结果的基础上,利用扩散理论阐述了退火条件对V2O5/V/V2O5复合薄膜电学性能影响的机理。
- 罗振飞吴志明祝婕王涛蒋亚东
- 关键词：退火扩散
- 图形反转工艺用于金属层剥离的研究被引量：7
- 2009年
- 研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm。得到了优化的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数:匀胶转速4000r/min,前烘温度100℃,时间60s,曝光时间0.3s,反转烘温度110℃,时间90s,泛曝光时间2s,显影时间50s。用金相显微镜测试了在优化工艺参数条件下制作的光刻胶图形的分辨率,同时对图形反转机理进行了讨论。
- 陈德鹅吴志明李伟王军袁凯蒋亚东
- 关键词：光刻
- 氧化钒薄膜的厚度对薄膜电学特性的影响被引量：4
- 2008年
- 利用直流反应磁控溅射法在表面覆盖有Si3N4薄膜的S(i100)基片上制备了不同厚度的氧化钒薄膜。用光谱式椭偏仪对薄膜的厚度进行了测试。采用四探针测试系统对制备的薄膜进行了方阻和方阻温度系数的分析,发现薄膜的厚度对薄膜的电学特性有很大的影响。实验结果表明氧化钒薄膜的厚度调整可作为调控氧化钒薄膜性能的一种重要工艺手段。
- 魏雄邦吴志明王涛许向东唐晶晶蒋亚东
- 非线性补偿的低温漂低功耗CMOS带隙基准源的设计被引量：7
- 2009年
- 设计了一种基于电流模式的具有非线性补偿的低温漂低功耗带隙基准电压源,在传统电路的基础上增加一个三极管和两个电阻达到对双极型晶体管的发射结电压VBE中与温度相关的非线性项的补偿。电路采用CSMC0.5μmDPTMCMOS工艺制造。该电路结构简单,在室温下的输出电压为1.217V,在?40℃～125℃的范围内温度系数为4.6ppm/℃,在2.6～4V之间的电源调整率为1.6mV/V。在3.3V的电源电压下整个电路的功耗仅为0.21mW。
- 吴志明杨鹏吕坚蒋亚东
- 关键词：带隙基准源CMOS低功耗低温漂非线性补偿
- 掺硼非晶硅薄膜的电阻不稳定性研究被引量：1
- 2008年
- 以硅烷和硼烷为气相反应气体,采用等离子体增强化学气相沉积法(PECVD)制备了硼掺杂氢化非晶硅薄膜。测试了不同样品电阻随测试时间的变化,以及光照和噪声对材料电学性质的影响。结果表明,刚制备出来的样品存在氧化现象,长时间光照会出现S-W效应,由于RTS噪声的存在,样品电阻会出现随机性波动。
- 杨利霞吴志明李世彬蒋亚东朱魁鹏李伟廖乃镘
- 关键词：氢化非晶硅硼掺杂噪声等离子体增强化学气相沉积
- 一种高精度曲率补偿带隙基准电路被引量：5
- 2009年
- 设计了一种高精度高阶补偿的带隙基准参考电压电路，通过Buck氏电压转移单元和与温度无关的电流对V雎进行高阶补偿。测试表明，温度在-45℃～125℃时，温度系数为5．9×10^-6V／℃，在3．5～5．5V之间的电压调整率为0．4mV／V。采用低压共源共栅电流镜结构，以减少对电源电压的依赖，消除了精度与余度之间的矛盾。
- 李华吕坚蒋亚东
- 关键词：CMOS带隙基准源高阶曲率补偿
- 氢化硅薄膜的晶化机理研究被引量：5
- 2008年
- 采用PECVD工艺制备了非晶,微晶和多形硅薄膜,研究了电极间热梯度对氢化硅薄膜结构的影响.根据拉曼光谱得到了微晶硅的晶化率,并在椭偏仪中用BEMA模型验证了其准确性.根据理论模型研究了热梯度对微晶和多形硅薄膜沉积机理的影响.研究薄膜厚度对晶化率的影响表明微晶薄膜底端和表面之间存在晶化梯度,而多形硅薄膜中无晶化梯度存在.采用Tauc-Lorentz模型拟合得到薄膜的结构参数表明非晶硅薄膜的致密度和有序度低,而多形硅和微晶硅薄膜的有序度、致密度相近,且明显高于非晶硅.
- 李世彬吴志明李伟于军胜蒋亚东廖乃镘
- 关键词：晶化热梯度
- 衬底温度对用RF-PECVD法制备的非晶硅薄膜光学性能影响被引量：10
- 2007年
- 采用射频等离子增强化学气相沉积(RF-PECVD)工艺制备非晶硅(a-Si:H)薄膜,KBr衬底在175-275℃范围内变化,用傅立叶红外光谱仪(FTIR)测试KBr衬底上的薄膜红外光谱峰随衬底温度的变化情况,结合红外光谱峰的理论分析确定薄膜中氢含量随衬底温度的变化规律.光谱式椭圆偏振仪中用ForouhiBloomer(FB)模型拟合得到薄膜的折射率(n),消光系数(k),膜厚及光学禁带宽度(Eg),并用扫描电镜(SEM)断面分析对椭偏仪测试结果的准确性进行验证.根据Tauc公式推出薄膜的Eg和截止波长,并和FB模型得到的结果进行了比较,Eg(FB)和Eg(Tauc)的差值在0.015eV内.
- 李世彬吴志明朱魁鹏蒋亚东李伟廖乃镘
- 关键词：非晶硅光学常数
- 氧化钒薄膜在玻璃基片上的生长研究被引量：5
- 2008年
- 采用直流反应磁控溅射法,在平整光滑的普通玻璃基片表面沉积了厚度分别为80nm、440nm和1μm的氧化钒薄膜.采用原子力显微镜(AFM)、扫描电镜(SEM)和X射线衍射仪(XRD)对薄膜的表面形貌、结构和结晶化的分析表明,厚度影响着薄膜的颗粒大小和结晶状态,随着薄膜厚度的增加,薄膜的颗粒增大,晶化增强;薄膜具有明显的垂直于衬底表面的"柱"状择优生长特征.对薄膜的方阻和方阻随温度的变化进行了相关分析,证实了厚度对氧化钒薄膜的电学性能存在明显的影响,随着薄膜厚度的增加,薄膜的方阻减小,方阻温度系数升高,薄膜的方阻随温度变化的回线滞宽逐渐增大,薄膜的金属.半导体相变逐渐趋于明显.
- 魏雄邦吴志明王涛蒋亚东
- 关键词：氧化钒薄膜厚度直流磁控溅射
