国家重点基础研究发展计划(G2000-03-66)
- 作品数：7 被引量：36H指数：4
- 相关作者：余金中夏金松严清峰陈少武杨笛更多>>
- 相关机构：中国科学院山东大学中央民族大学更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划国家自然科学基金国家高技术研究发展计划更多>>
- 相关领域：电子电信理学机械工程更多>>
- 支撑光网络发展的硅基光电子技术研究被引量：4
- 2003年
- 作为大规模集成电路和化合物半导体光电子器件的制造技术共同构成的一门高新技术 ,硅基光电子技术越来越受到重视 .文章着重介绍中国科学院半导体研究所外延生长SiGe/Si量子结构和Si基器件研究的结果 :采用自行设计的UHV/CVD系统 ,成功地生长出Ⅱ型SiGe/Si量子阱和量子点 ,直到 2 5 0K仍能观察到自组织生长Ge/Si(0 0 1 )量子点的发光峰 ;研制成功SiGe/Si谐振腔增强型光电二极管 (RCEPD)、Y分支MZI光调制器和多模干涉 -马赫 -曾德干涉型光开关等Si基光电子器件 ;1 .3μm处RCEPD的量子效率达到 4 .2 % ,- 5V偏压下暗电流密度 1 2 pA/ μm2 ;2× 2热光型光开关的响应时间小于 2 0 μs,两输出端关态串扰为 - 2 2dB ,通态串扰为 - 1 2dB .
- 余金中
- 关键词：全光网络半导体光电子器件光电探测器
- 硅基光电集成器件研究进展被引量：3
- 2005年
- 随着器件结构与制作工艺的不断创新与完善 ,硅基发光器件已经可以实现室温下的有效工作 ,外量子效率可达到 0 .1% ;低功耗的硅基高速调制器件的调制速率达到 1GHz以上 ;而硅基光探测器对 130 0nm与 15 5 0nm波长的探测响应度也已分别达到了 0 .16mA/W和 0 .0 8mA/W .文章对硅基光电器件的研究进展情况进行了概述 。
- 孙飞余金中
- 关键词：硅基响应度调制器外量子效率光电集成器件GH
- 快速响应SOI马赫曾德热光调制器被引量：10
- 2002年
- 给出了 Y分支 MZI热光调制器的模型 ,实验研制了基于 SOI( silicon- on- insulator)的 MZI热光调制器 ,调制器的消光比为 - 16.5 d B,开关的上升时间为 10 μs,下降时间为 2 0 μs,相应的功耗为 0 .3
- 魏红振余金中夏金松严清峰刘忠立房昌水
- 关键词：集成光学调制器SOI热光开关
- SOI光波导器件和集成光开关矩阵的研究进展被引量：5
- 2004年
- SOI(Silicon-on-insulator, 绝缘衬底上的硅)是一种折射率差大、波导传输损耗小的新型材料, SOI基光电子器件具有与微电子工艺兼容、能够实现OEIC单片集成等优点, 近年来受到越来越多的重视. 文中重点研究了SOI波导器件的新进展, 采用高效数值模拟方法研究得出了精确的SOI矩形和梯形大截面脊形波导的单模条件, 设计和制作了单模脊形光波导、多模干涉耦合器(MMI)、可变光衰减器(VOA)、马赫-曾德尔干涉型22热光波导光开关, 在此基础上首次研制出44和88 SOI平面集成波导光开关矩阵.
- 余金中陈少武夏金松王章涛樊中朝李艳萍刘敬伟杨笛陈媛媛
- 关键词：SOI光开关矩阵光波导器件多模干涉耦合器脊形波导单片集成
- 载流子吸收对SOI Mach-Zehnder干涉型电光调制器性能的影响被引量：4
- 2002年
- 分析了载流子吸收对 SOI材料制作的 Y分支型 Mach- Zehnder干涉型电光调制器 /开关性能的影响 。
- 严清峰余金中
- 关键词：SOI电光调制器
- SOI光电子集成被引量：7
- 2003年
- SOI(Silicon-on-Insulator)光电子集成已成为十分引人注目的研究课题,其工艺与CMOS工艺完全兼容,可以实现低成本的SOI基整片集成光电子回路。本文综述了近几年来SOI集成光电子器件的发展以及一些最新的研究进展,着重分析几种最新型光无源器件的工作原理和结构,包括SOI光波导、SOI光波导耦合器、SOI光波导开关、相位阵列波导光栅(PAWG)、基于SOI的光探测器等,并介绍了中国科学院半导体所集成光电子国家重点实验室的研究进展。
- 余金中严清峰夏金松王小龙王启明
- 关键词：SOI光电子集成电路阵列波导光栅
- 一种新型2×2 SOI热光开关被引量：3
- 2007年
- 设计并制作了一种新型的SOI 2×2马赫-曾德(MZ)热光开关。这种光开关采用了深刻蚀结构的配对多模干涉耦合器,同时,为了保证单模传输和调制,在连接波导和调制臂区域采用了浅刻蚀结构。深刻蚀结构增强了多模干涉耦合器对光场的限制,有利于自映像质量的提高,从而减少了自映像损耗和不均衡度,同时也提高了制作容差。基于强限制配对干涉耦合器的新型热光开关,其插入损耗为-11.0 dB,其中包括光纤-波导耦合损耗-4.3 dB,上升和下降开关时间分别为3.5μs和8.8μs。
- 杨笛余金中陈少武陈媛媛
- 关键词：热光开关SOI开关时间
