广东省科技攻关计划(2006A10802001)
- 作品数：15 被引量：184H指数：8
- 相关作者：范广涵丁少锋章勇陈琨邢海英更多>>
- 相关机构：华南师范大学中国科学院西安交通大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金广东省科技攻关计划广东省自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学电子电信一般工业技术金属学及工艺更多>>
- 氮化铟p型掺杂的第一性原理研究被引量：22
- 2007年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的总体能量平面波超软赝势法,对Mg,Zn,Cd掺杂InN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,其中非掺杂体系的理论值与实验值符合很好.计算了掺杂InN晶体的结合能,总体态密度、集居数,差分电荷密度,并对此做了细致的分析.计算结果表明,相对于Zn和Cd,MgIn在InN中的溶解度会更大,并能提供更多的空穴态,非常有利于InN的p型掺杂.
- 丁少锋范广涵李述体肖冰
- 关键词：氮化铟P型掺杂电子结构第一性原理
- GaN基LED溢出电流的模拟
- 2009年
- 通过分析影响电子溢出的因素,建立多量子阱的物理模型,得到溢出电流表达式.研究了外加电压与极化效应对溢出电流的影响,认为极化效应使能带弯曲,电子溢出量子阱,溢出电流大幅度增加.考虑了LED散热和载流子屏蔽效应对溢出电流的影响,并为减小溢出电流提供了思路.
- 李军范广涵刘颂豪姚光锐杨昊胡胜蓝
- 关键词：多量子阱极化效应
- p,n型掺杂剂与Mn共掺杂GaN的电磁性质被引量：4
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理平面波赝势法计算Mg,Zn,Si,O和Mn共掺GaN,分析比较共掺杂后的电子结构和磁学性质,并分别用平均场近似的海森伯模型和Zener理论估算共掺杂后体系的居里温度(TC).计算表明:共掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.p型共掺杂(GaN:Mn-Mg\Zn)后体系具有较GaN:Mn更稳定的FM态且能使TC升高;而n型共掺杂(GaN:Mn-Si\O)后体系FM态稳定性和TC较GaN:Mn降低.
- 邢海英范广涵周天明
- 关键词：磁学性质
- Mg、Zn掺杂AlN电子结构的第一性原理计算被引量：20
- 2007年
- 采用密度泛函理论(DFT)的第一性原理的平面波超软赝势方法,对Mg、Zn掺杂AlN的32原子超原胞体系进行了几何结构优化,从理论上给出了掺杂和非掺杂体系的晶体结构参数,对纤锌矿结构AlN晶体及AlN:Mg、AlN:Zn的结构、能带、结合能、电子态密度、集居数及差分电荷分布进行计算和分析.计算结果表明,AlN:Mg、AlN:Zn都能提供很多的空穴态,形成p型电导,并且Mg是较Zn更好的p型掺杂剂.
- 张丽敏范广涵丁少锋
- 关键词：ALNP型掺杂电子结构密度泛函理论第一性原理
- 第一性原理研究Mg,Si和Mn共掺GaN被引量：29
- 2009年
- 采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波赝势法(PWP)计算Mg,Si和Mn共掺GaN电子结构和光学性质,分析比较计算结果.计算表明:掺杂后体系均在能隙深处产生自旋极化杂质带,具有半金属性,能产生自旋注入.与Mn掺杂GaN比较,Mg共掺后能使居里温度(TC)升高,并在1.0eV出现源于Mn4+离子基态4T1(F)到4T2(F)态跃迁的较强的光吸收,而Mn掺杂GaN时位于1.3eV处的吸收峰消失;Si共掺后没能使TC升高,且在低能区无光吸收现象.
- 邢海英范广涵章勇赵德刚
- 关键词：电子结构光学性质
- InN材料及器件的最新研究进展被引量：2
- 2007年
- InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点。就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述。
- 丁少锋范广涵李述体郑树文陈琨
- 关键词：INN
- 电极耦合层对GaN基蓝光LED出光特性的影响
- 2007年
- 光提取效率的提高对GaN基蓝光LED的广泛应用有重要的影响.计算了以Ni/Au基金属化方法形成的p型GaN电极的折射率,通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的透射,耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN基蓝光LED的光提取效率。应用传输矩阵法计算的结果表明,光学厚度为π/2,折射率为2.02的ITO耦合层能使450 nm的蓝光在膜系上的透射率提高到75%。
- 郑品棋范广涵李述体孙惠卿郑树文邢海英
- 关键词：光电子学
- Be_xZn_(1-x)O合金和Mg掺杂Be_xZn_(1-x)O合金特性的理论研究
- 2007年
- 利用基于密度泛函理论的平面波超软赝势法研究了对16个原子的BenZn8-nO8和Mg1BenZn7-nO8超胞进行了几何结构优化,计算了总能。从理论上给出了BeO的能带结构、态密度;BexZn1-xO合金的晶格常数、能带弯曲系数,差分电荷密度;BexZn1-xO合金的稳定性以及Mg掺杂BexZn1-xO合金的特性。计算结果表明:BexZn1-xO合金非常稳定;晶体结构参数与实验相符,并基本符合Vegard’s law(维加德定律);能带弯曲系数非常大(5.6eV左右);掺入适量的Mg原子不仅可以解决晶格失配问题、增大band off-set(能带偏移),还可以提高BexZn1-xO合金的稳定性;Be原子成为间隙杂质的可能性很小。BexZn1-xO合金可以作为ZnO/MgxZn1-xO超晶格和量子阱的最佳材料。
- 丁少锋范广涵李述体陈琨肖冰
- 关键词：第一性原理
- CdO及Cd_xZn_(1-x)O化合物的结构、能量和电子性能分析被引量：8
- 2008年
- 采用基于密度泛函理论的第一性原理的平面波超软赝势计算方法,研究了纤锌矿结构的CdxZn1-xO化合物以及CdO在纤锌矿结构、岩盐结构和闪锌矿结构的基态电子特性和体结构,分析了CdO的稳定性.通过对比纤锌矿结构、岩盐结构和闪锌矿结构CdO的内聚能,发现岩盐结构和纤锌矿结构CdO的稳定性好,闪锌矿结构相对较差;通过对CdxZn1-xO化合物在不同Cd组分下的电子结构计算,得到了较好的禁带宽度拟合结果,能带弯曲参量B=1.02eV;通过形成能与组分关系的分析,我们认为当Cd的组分x=0.4左右时,CdxZn1-xO化合物最不稳定,容易出现相分离现象.
- 孙慧卿丁少锋王雨田邓贝范广涵
- 关键词：CDO纤锌矿结构电子结构密度泛函理论
- 金属有机化学气相淀积技术制备GaMnN薄膜材料光学性质研究被引量：1
- 2010年
- 研究由MOCVD技术制备的GaMnN外延薄膜光吸收谱.实验发现Mn掺杂后较未掺杂GaN吸收系数在近紫外区增加,在吸收谱低能区1.44eV附近观察到吸收峰,吸收系数随Mn浓度的增加而增大.实验结果与基于密度泛函理论的第一性原理计算结果一致,结合理论计算分析认为1.44eV附近的吸收峰源于Mn3+离子e态与t2态间的带内跃迁5T2→5E.
- 邢海英范广涵杨学林张国义
- 关键词：GAMNNMOCVD密度泛函理论光学性质
