国家自然科学基金(60406001)
- 作品数：6 被引量：3H指数：1
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- 相关领域：电子电信理学自动化与计算机技术更多>>
- 影响ESD荷电器件模型放电电流的关键参数研究被引量：1
- 2007年
- 静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整相应参数,保证荷电器件放电模型的测试装置符合测试标准。基于LRC放电电路的等效模型,实验结果给出了到满意的定量或定性解释。
- 邢洁王明湘何健
- 关键词：静电放电
- 多晶硅薄膜晶体管器件退化机制研究进展
- 2006年
- 结合近几年来国际上对于低温多晶硅薄膜晶体管器件可靠性开展的一些有代表性的研究工作,对其中几种常见的退化现象:自加热、热载流子和负偏置温度不稳定性做了分析和归纳,介绍了其退化机制及退化模型,并总结了它们在一般情况下对器件性能的影响及各自的典型应力条件。本文针对目前研究较多的自加热退化和热载流子退化机制做了更深入的探讨,比较了两者的差别,并介绍了它们在反转模式下出现的退化恢复现象。此外,文中还介绍了交流应力下的热载流子退化现象,以及在一些特殊器件结构中的退化现象。
- 薛敏王明湘
- 关键词：可靠性热载流子退化
- 金属诱导横向结晶多晶硅薄膜晶体管热载流子应力退化特性及模型研究
- 2007年
- 低温多晶硅薄膜晶体管(LTPS TFT)广泛应用于平板显示。从开态和关态两个方面,研究了热载流子(HC)应力下,N型金属诱导横向结晶(MILC)LTPS TFT器件退化特性及模型。
- 朱臻
- 关键词：多晶硅薄膜晶体管金属诱导横向结晶热载流子退化可靠性
- TSOP封装脱模中硅片碎裂失效的有限元分析(英文)
- 2007年
- 针对TSOP封装在塑封工艺中脱模时可能发生的芯片碎裂,利用有限元法模拟封装脱模过程阐明了芯片碎裂失效的机制。研究表明,模具内表面有机物形成的局部沾污可能阻碍芯片的顺利脱模,导致硅片内产生较大的局部应力并碎裂失效。通过模拟在不同的沾污面积、形状和位置下的封装脱模,确认了最可能导致失效的条件。芯片碎裂失效可以通过使用高弹性模量的塑封料或减小硅片尺寸得以改善。
- 杨震宇王明湘许华平
- 关键词：有限元分析塑封应力
- DDDMOS特性研究与建模被引量：1
- 2006年
- 从TCAD实验出发,研究Double Diffused Drain MOSFET(简称DDDMOS)漂移区电阻与终端电压的非线性关系以及大电流效应等;以单位面积下漂移区自由载流子浓度为基础,得出漂移区电阻的解析模型。DDDMOS可以简化成低压MOSFET与漂移区电阻的串联网络,结合低压MOSFET模型和漂移区电阻模型,求解等效网络得出DDDMOS完整的模型。该模型在不同的电压区域都能够较好地反应TCAD模拟结果。
- 管小进王子欧帅柏林
- 关键词：宏模型
- 多晶硅薄膜晶体管自加热效应温度分布的有限元模拟被引量：1
- 2008年
- 采用有限元方法模拟了n型MILC低温多晶硅薄膜晶体管在直流自加热应力下器件的温度分布.通过对器件沟道温度分布的稳态及瞬态模拟,研究了器件功率密度、衬底材料类型和器件宽长等关键因素的影响.确认了改善器件自加热退化的有效途径,同时有助于揭示多晶硅薄膜晶体管自加热退化的内在机制.
- 杨震宇王明湘王槐生
- 关键词：有限元分析温度分布薄膜晶体管
