北京市教委重点项目(KZ200510005003)
- 作品数：4 被引量：12H指数：2
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- 发文基金：国家自然科学基金北京市教委重点项目国家高技术研究发展计划更多>>
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- Delta掺杂制备p-GaN薄膜及其电性能研究被引量：8
- 2007年
- 采用Delta掺杂技术制备了p型氮化镓薄膜,并利用原子力显微镜、霍尔测试、X射线衍射、荧光光谱等测试手段对样品的形貌和电导性能进行了分析,发现Delta掺杂样品比均匀掺杂样品晶体质量和电导性能都有很大提高,说明Delta掺杂可有效抑制缺陷,并对缺陷抑制机理进行了讨论;最后,对掺杂前的预通氨过程作了深入的研究,结果发现,预通氨对掺杂不益.
- 李彤王怀兵刘建平牛南辉张念国邢艳辉韩军刘莹高国沈光地
- 关键词：氮化镓LEDSMOCVD
- InGaN∶Mg薄膜的电学特性研究
- 2008年
- 利用MOCVD生长了InGaN:Mg薄膜,研究了生长温度、掺Mg量对InGaN:Mg薄膜电学特性的影响。结果表明,空穴浓度随着生长温度的降低而升高。在相同的生长温度下,空穴浓度随掺Mg量的增加,先升高后降低。通过对这两个生长条件的优化,在760°C、CP2Mg与TMGa摩尔流量之比为2.2‰时制备出了空穴浓度高达2.4×1019cm-3的p-InGaN∶Mg薄膜。这对进一步提高GaN基电子器件与光电子器件的性能有重要意义。
- 牛南辉王怀兵刘建平邢燕辉韩军邓军沈光地
- 关键词：铟镓氮X射线双晶衍射原子力显微镜金属有机物化学气相淀积
- 高空穴浓度Mg掺杂InGaN外延材料性能的研究
- 2006年
- 采用金属有机物化学气相沉积方法生长得到具有不同Mg掺杂浓度InxGa1-xN(0≤x≤0.3)外延材料样品.对样品的电学特性和光学特性进行了系统的研究.研究发现在固定Mg掺杂浓度下,随In组分的提高,样品空穴浓度显著提高,最高达2.4×1019cm-3,Mg的活化效率提高了近两个数量级;通过对Mg掺杂InGaN(InGaNMg)样品的光致发光(PL)谱的分析,解释了InGaNMg样品的载流子跃迁机理,并确定了样品中Mg受主激活能和深施主能级的位置.
- 刘乃鑫王怀兵刘建平牛南辉张念国李彤邢艳辉韩军郭霞沈光地
- 关键词：光致发光金属有机物化学气相沉积
- 基于亲水表面处理的GaAs/GaN晶片直接键合被引量：4
- 2006年
- 对晶片进行亲水表面处理,在氮气保护下500℃热处理10min,成功实现GaAs与GaN晶片的直接键合,键合质量较好.扫描电子显微镜观测结果表明,键合界面没有空洞.光致发光谱观测结果表明,键合工艺对晶体内部结构的影响很小.可见光透射谱测试结果表明,键合界面具有良好的透光特性.GaAs与GaN晶片直接键合的成功,为实现GaAs和GaN材料的集成提供了实验依据.
- 王慧郭霞梁庭刘诗文高国沈光地
- 关键词：晶片直接键合GAASGAN光电子集成
