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教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-07-0680)

作品数:2 被引量:9H指数:2
相关作者:魏进家方嘉宾袁敏哲马爱香张永海更多>>
相关机构:西安交通大学更多>>
发文基金:教育部“新世纪优秀人才支持计划”教育部科学技术研究重点项目国家重点基础研究发展计划更多>>
相关领域:化学工程动力工程及工程热物理更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 1篇化学工程
  • 1篇动力工程及工...

主题

  • 2篇强化换热
  • 2篇换热
  • 2篇方柱
  • 1篇射流冲击
  • 1篇流动沸腾换热
  • 1篇沸腾换热
  • 1篇FC-72

机构

  • 2篇西安交通大学

作者

  • 2篇魏进家
  • 1篇郭栋
  • 1篇马爱香
  • 1篇袁敏哲
  • 1篇张永海
  • 1篇方嘉宾

传媒

  • 1篇工程热物理学...
  • 1篇西安交通大学...

年份

  • 1篇2011
  • 1篇2009
2 条 记 录,以下是 1-2
排序方式:
方柱微结构表面上FC-72的流动沸腾强化换热实验研究被引量:7
2009年
为了提高电子器件的冷却效率,研究了不导电介质FC-72在表面加工有方柱微结构的模拟芯片上的流动沸腾强化换热性能。采用了两种方柱微结构,其边长均为30μm,但高度分别为60μm和120μm。方柱微结构芯片与光滑芯片相比显示出较好的强化沸腾换热效果,且增加方柱高度可有效提高流动沸腾强化换热性能。方柱微结构芯片的临界热流密度随着流速和过冷度的增大而增大,且到达临界热流密度(CHF)时芯片的表面温度低于芯片回路正常工作的上限温度85℃。
马爱香魏进家袁敏哲方嘉宾
关键词:FC-72
方柱微结构芯片射流冲击流动沸腾换热实验研究被引量:2
2011年
对喷射条件下的电子芯片在FC-72中的流动沸腾换热进行了研究,并和同工况下的光滑芯片作了对比.实验选取的工况如下:过冷度为25、35℃;横流速度Vc为0.5、1、1.5m/s;喷射速度Vj为0、1、2m/s.实验采用的硅片尺寸为10mm×10mm×0.5mm,通过干腐蚀技术在其表面加工出30μm×120μm、50μm×120μm的方柱微结构.实验表明,所有芯片的换热性能都随过冷度和流速的增加而提高,方柱微结构能明显地强化芯片换热,而射流冲击进一步提高了芯片在高热流密度下的换热性能.同一横流速度下,喷射速度越大,换热性能越好,尤其是Vc=0.5m/s、Vj=2m/s时,强化效果最显著.随着横流速度的增加,射流冲击的强化效果减弱,临界热流密度值增幅减小.
郭栋魏进家张永海
关键词:射流冲击强化换热
共1页<1>
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