教育部“新世纪优秀人才支持计划”(NCET-07-0689)
- 作品数：7 被引量：13H指数：3
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- 相关机构：西北工业大学中核(北京)核仪器厂更多>>
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- CdZnTe像素探测器表面的氧离子刻蚀工艺被引量：1
- 2010年
- 本文报道了CdZnTe像素探测器电极的氧离子刻蚀工艺。通过I-V特性、PL谱以及XPS等实验结果分析了氧离子刻蚀对CdZnTe表面成分、缺陷以及漏电流的影响。研究结果表明,表面氧离子刻蚀在CdZnTe晶体表面形成了致密氧化层。刻蚀功率过大时,刻蚀过程中氧离子轰击会对CdZnTe晶体表面造成损伤,使表面漏电流急剧增大。减小刻蚀功率,延长刻蚀时间,可以增强刻蚀过程中的化学作用,减少CdZnTe晶片的表面氧化与损伤,使表面漏电流降低。
- 孙玉宝傅莉任洁査钢强
- 关键词：CDZNTE晶片表面性能
- CdZnTe探测器γ射线响应及稳定性研究被引量：3
- 2010年
- 基于自制的CdZnTe(CZT)平面探测器(10 mm×10 mm×2.5 mm),研究其对未经准直241Am(59.5 keV)γ射线连续10 h的光谱响应变化规律,未发现极化现象,并验证了其具有较好的长期稳定性。制备CZT弗里希电容栅格探测器(10 mm×5 mm×10 mm),测试发现,其对未经准直能量为662 keV137Csγ射线的能量分辨率约为3.65%。
- 徐亚东介万奇何亦辉查钢强王涛王军
- 关键词：极化Γ射线
- CdZnTe表面处理对其引线超声焊接质量的影响
- 2008年
- 采用扫描电镜及EDS测试研究了高电阻CdZnTe金电极与外引线的超声焊接工艺,探讨了CdZnTe表面处理工艺、接触电极厚度及焊接参数对引线超声焊接质量的影响规律。研究结果表明,经机械抛光表面处理的CdZnTe晶片,其金电极与外引线间容易实现超声焊接;CdZnTe电极厚度与引线焊合率之间呈抛物线关系,获得最佳焊接质量的电极厚度为180nm左右。楔入压力和焊接功率是影响CZT金电极与引线焊接质量的重要因素,当焊接功率为2W、焊接压力为60×10-3kg、焊接时间20ms和烧球强度1.5W时,易获得良好的CdZnTe金电极与引线焊接接头。
- 聂中明傅莉任洁徐聪
- 关键词：CDZNTE晶片超声焊接表面处理
- EPG 535光刻胶氧离子刻蚀工艺的研究被引量：1
- 2011年
- 采用反应离子刻蚀(RIE)技术,对EPG 535光刻胶和碲锌镉(CZT)基体刻蚀工艺进行研究,采用原子力显微镜(AFM)法测试CZT基体刻蚀前后的表面质量,探讨了EPG 535光刻胶刻蚀速率和CZT基体表面粗糙度的影响因素。结果表明,当RF功率为60 W、氧气气压为1.30 Pa、氧气流量为40 cm3/min,光刻胶达到最大刻蚀速率;随着RF功率降低,刻蚀后CZT基体的表面粗糙度降低。实验优化的刻蚀参数为:RF功率40 W、氧气气压1.30 Pa、氧气流量40 cm3/min。
- 任洁傅莉孙玉宝査钢强
- 关键词：EPG刻蚀速率
- CdZnTe平面探测器对低能X/γ射线的光谱响应被引量：6
- 2009年
- 基于3片不同条件下生长的CdZnTe晶片制备出平面电极(Planar)探测器CZT1、CZT2及CZT3。分析室温下3个探测器在不同场强作用下对低能X/γ射线的光谱响应,并结合相应晶体材料的载流子迁移特性和掺杂剂的浓度以及存在状态,归纳影响探测器分辨率的原因。掺杂In浓度高的探测器CZT1,由于材料中存在的深能级缺陷Cdi2+,作为电子的俘获中心,影响了载流子的收集效率,进而降低了探测器的能量分辨率;掺杂In浓度低的探测器CZT2对不同能量X/γ射线均具有较好的能量分辨率;而Al掺杂探测器CZT3,由于Al间隙原子Ali的存在作为电子的散射中心,最终影响了收集效率及能量分辨率。
- 徐亚东介万奇查刚强高俊宁王涛傅莉Paul Sellin
- 关键词：能量分辨率散射
- 探测器级CdZnTe晶体变温特性研究
- 2011年
- 采用未经准直能量为5.48MeV的241 Amα粒子,研究了温度在230～300K范围内,不同电场作用下CdZnTe晶体的脉冲响应信号,分析了载流子传输特性随温度变化的规律。对比了室温(298K)以及280K下探测器对241 Am@59.5keVγ射线的响应光谱。同时分析了1500V/cm电场作用下探测器漏电流随温度的变化规律。研究表明,对于性能优异的CdZnTe晶体,载流子迁移率寿命积随温度变化较小。而对于存在de-trapping(去俘获)缺陷的CdZnTe样品,光生载流子在晶体中的传输会显著减缓,且随温度的降低,其对脉冲波形的影响加剧。而温度降低可以减少提高探测器的能量分辨率。
- 徐亚东何亦辉王涛查钢强傅莉介万奇
- 关键词：CDZNTEΑ粒子漏电流
- CdZnTe接触电极与引线的超声波焊接被引量：3
- 2009年
- 为实现高电阻CdZnTe半导体(简称CZT)接触电极与外引线的超声波焊接,采用正交实验法探讨CZT接触电极与引线超声波焊接质量的影响因素及其作用规律。结果表明:经机械抛光表面处理的CZT晶片,采用离子溅射法制备的金电极与外引线间具有较高的超声波焊合率,能获得最佳焊点质量的电极厚度为180nm。此外,CZT接触电极制备工艺和楔入压力都是影响CZT接触电极与引线超声波焊接质量的主要因素,当CZT接触电极制备工艺确定后,楔入压力成为影响CZT接触电极与引线超声波焊接质量的主要因素,焊接功率则为次要因素。经优化后CZT接触电极与引线超声波焊接主要工艺参数为:一焊楔入压力0.882N;二焊楔入压力0.588N;焊接功率1.5W;焊接时间20ms。
- 聂中明傅莉任洁查钢强
- 关键词：CDZNTE晶片接触电极超声波焊接正交实验法
- 室温辐射探测器用CdZnTe晶体生长及其器件制备
- Cd1-xZnxTe(CZT)探测器被认为是目前最有前途的室温核辐射探测器之一,广泛应用于环境监测、核医学、工业无损检测、安全检查、核武器突防、航空航天、天体物理和高能物理等领域。然而,由于CZT晶体生长过程中Cd元素的...
- 王涛徐亚东查钢强刘伟华徐凌燕白旭旭傅莉介万奇
- 文献传递
