国家自然科学基金(10234040)
- 作品数：28 被引量：125H指数：8
- 相关作者：陆卫陈效双李志锋孙立忠周孝好更多>>
- 相关机构：中国科学院淮阴师范学院华东师范大学更多>>
- 发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划中国科学院“百人计划”更多>>
- 相关领域：理学电子电信机械工程冶金工程更多>>
- InAs/GaAs量子点的静压光谱压力系数研究被引量：8
- 2005年
- 采用有效质量模型和非线性弹性理论计算了不同尺寸InAs /GaAs量子点的静压光谱发光峰的压力系数 (PC) .量子点峰位随压力的变化主要来自禁带宽度和电子束缚能随压力变化两方面的贡献 .由于InAs GaAs量子点是一个应变体系 ,体系的晶格常数 ,失配应变和弹性系数均随外加压力变化 ,使得加压后量子点的禁带宽度相对于非应变体系略有减小 ,同时势垒高度增加 ,电子束缚程度增加 .两者共同作用引起的InAs应变层的禁带宽度压力系数减小是导致量子点的压力系数小于InAs体材料的主要原因 .同时计算结果表明 ,电子束缚能随压力变化对不同尺寸量子点的压力系数的影响不同 ,量子点尺寸越小 ,受其影响越大 ,压力系数也越大 .
- 汤乃云陈效双陆卫
- 关键词：量子点砷化镓半导体
- 尺寸分布对量子点激发态发光性质的影响被引量：6
- 2005年
- 采用有效质量近似方法研究了量子点的激发态光致发光峰的展宽问题.对尺寸不均匀分布下量子点各能级发光峰与平均尺寸量子点发光峰的能量偏差进行了计算,定性地描述了尺寸分布对量子点基态和激发态发光峰展宽的影响.研究表明,量子点的高度、直径以及体积等不均匀分布使量子点具有不同的垂直、平面方向的量子束缚.这两种量子限制的相互作用决定了量子点激发态发光峰的宽度相对于基态发光峰的大小.在各种不同性质的尺寸分布下,量子点激发态发光峰的展宽有可能大于、等于或小于基态发光峰的展宽.
- 汤乃云陈效双陆卫
- 关键词：量子点激发态
- 氧含量对VO_(2-x)晶格特性和结构相变影响的研究被引量：6
- 2005年
- 采用沉淀法制备了氧含量不同的VO2 x纳米粉.对样品进行了差式扫描量热 (DSC)、X 射线衍射 (XRD)和透射电子显微镜(TEM)的测试,并结合第一性原理的计算结果,具体分析了氧含量对氧化钒纳米粉的晶格特性和结构相变造成的影响:缺氧样品中形成钒填隙,富氧样品中形成氧填隙,两种缺陷分别造成晶胞体积的膨胀;缺陷带来的各向异性造成晶粒形状的改变;同时,不同缺陷态造成的能带中电子状态的改变也可能成为影响氧化钒的结构相变特性的重要因素之一.
- 潘梅钟红梅王少伟李志锋陈效双陆卫
- 关键词：结构相变氧含量晶粒形状相变特性电子状态量热
- 皮秒脉冲激光照射下碲镉汞光伏红外探测器的负光伏响应新现象被引量：6
- 2009年
- 利用皮秒脉冲激光激发碲镉汞线列探测器上的光敏元,发现光伏响应表现为在最初大约15 ns范围内首先形成一个明显的负光生电压的响应谷,之后才演变为正的光伏响应峰.改变入射激光脉冲的光子能量发现,无论是光子能量大于禁带宽度的单光子吸收跃迁还是小于禁带宽度的双光子吸收跃迁,器件的光伏响应随时间的演变均表现出类似的规律.用光阑对探测器的受光面积进行限制将使负的光生电压减弱并接近消失.结合探测器线列的电极分布构形,将负光伏响应指认为p-电极的肖特基接触所致.利用该方法有可能对p-电极是否形成欧姆接触进行判定,其灵敏度应远高于常规的电学测量方法.
- 崔昊杨李志锋马法君胡晓宁叶振华陆卫
- 关键词：碲镉汞肖特基接触
- CdTe和HgTe能带结构的第一性原理计算被引量：11
- 2004年
- 利用基于第一性原理的FLAPW方法计算了CdTe和HgTe的能带结构和态密度 .引进并利用快速搜索法计算了体系平衡时的晶格常数 ,相对于传统方法 ,更快速地得到了准确的平衡态的晶格常数 .本文在计算得到与实验结果符合很好的能带结构和态密度的同时 。
- 孙立忠陈效双郭旭光孙沿林周孝好陆卫
- 关键词：密度泛函理论FLAPW碲化镉
- 闪锌矿结构CdTe和ZnTe能带结构和有效质量的第一性原理计算被引量：13
- 2005年
- 基于第一性原理全电子势线性缀加平面波方法(FPLAPW),计算了闪锌矿结构半导体材料ZnTe,CdTe的能带结构.结合闪锌矿对称化合物的有效质量近似理论,对第一性原理的计算结果进行拟合后,得到了ZnTe,CdTe在带隙附近的电子结构.此外还讨论了晶体场分裂能、自旋-轨道相互作用的分裂能和电子、空穴的有效质量及相应的Luttinger参数,结果与实验值相符合.
- 段鹤陈效双孙立忠周孝好陆卫
- 关键词：第一性原理计算闪锌矿结构ZNTECDTE电子结构
- 双光子吸收的Franz-Keldysh效应被引量：2
- 2008年
- 从实验上证实Hg0.695Cd0.305Te光电二极管空间电荷区中存在双光子吸收的Franz-Keldysh效应.利用一个皮秒Nd:YAG激光器抽运的光学参量产生器和差频产生器作为激发光源,测量了入射波长为λ0=7.92μm的脉冲激光所激发的光响应随入射光强的变化关系.脉冲光响应峰值强度随入射光强的增大呈现二次幂函数增强趋势.采用等效RC电路模型将脉冲光伏信号峰值与入射光强相关联,得到空间电荷区中强电场下单光束简并双光子吸收系数.通过对比空间电荷区内外双光子吸收系数得到强场下双光子吸收系数为零场下的2.7倍,出现双光子吸收系数的场致增强效应.这表明不仅带间单光子吸收存在Franz-Keldysh效应,双光子吸收过程同样受到Franz-Keldysh效应的影响.
- 崔昊杨李志锋李亚军刘昭麟陈效双陆卫叶振华胡晓宁王茺
- 关键词：碲镉汞双光子吸收
- THz波段的F-P光子晶体滤波器被引量：10
- 2006年
- 理论上设计了一系列一维非周期光子晶体,这些光子晶体具有超窄带滤波的特性.并利用成熟的半导体工艺制备出了具有此性能的滤波器.通过比对理论和实验上的透射光谱,得到了两者符合较好的结果.
- 周梅陈效双王少伟张建标陆卫
- 关键词：THZ波段F-P滤波器光子带隙
- 红外光电子材料碲镉汞异质外延结构理论研究被引量：1
- 2005年
- 文章介绍了基于第一性原理的LAPW方法就Hg空位缺陷对碲镉汞材料的电子结构的影响进行了研究。首先选择Hg0.5Cd0.5Te体系详细分析了Hg空位引起的弛豫,包含Hg空位缺陷体系的电荷密度、成键电荷密度和态密度,得到了碲镉汞材料形成Hg空位情况下的空位第一近邻阴离子悬挂键重整的形式以及Hg空位所形成的双受主能级。计算发现了Hg空位引起第一近邻Te原子5s态能级向高能端移动的现象。同时,对实验中通常利用As钝化基底表面来有效地控制外延生长的极性进行了研究。本文也介绍了基于密度泛函理论模拟了单个及多个As原子在Si(211)重构表面上的吸附、置换行为,通过系统地计算各种可能的吸附、置换构型,并进一步分析能量、键长等性质,对As在Si(211)表面的钝化机理进行了初步研究探讨。对Cd、Te在As钝化前后Si(211)表面上的吸附行为也进行了研究分析,为外延生长实验中利用As钝化来保证B面极性的做法提供了一定的理论依据。
- 陈效双孙立忠黄燕段鹤陆卫
- 关键词：碲镉汞第一性原理方法镉吸附
- GaAs/AlGaAs多量子阱红外探测材料的结构厚度获取方法
- 2007年
- 通过常规的透射光谱测量,提供一种获取GaAs/AlGaAs多量子阱材料中上电极层、多量子阱区域实际生长厚度的简便、无损伤的方法,这两个厚度参数在器件制备工艺、材料生长参数修正中起关键作用.
- 陈贵宾
- 关键词：GAAS/ALGAAS多量子阱材料透射光谱
