国家重点基础研究发展计划(G2000028201)
- 作品数：12 被引量：102H指数：6
- 相关作者：廖显伯孔光临刁宏伟张世斌王青更多>>
- 相关机构：中国科学院北京工业大学中国地质大学（北京）更多>>
- 发文基金：国家重点基础研究发展计划更多>>
- 相关领域：理学电子电信电气工程一般工业技术更多>>
- 一种新型磁场MWECR-CVD和氢化非晶硅薄膜制备被引量：3
- 2004年
- 为了简化多电磁线圈 MWECR- CVD装置 ,提出将单个电磁线圈和一个永磁体单元组合 ,以形成所需的新型磁场 .这一磁场可使等离子体集聚于样片台上方 ,显著提高了等离子体的能量密度 .应用这种新型磁场的 MWE-CR- CVD装置沉积氢化非晶硅薄膜 ,与采用单电磁线圈或双电磁线圈时相比 ,薄膜沉积速度大幅度提高 ,沉积速度达到采用传统 RF-
- 殷生毅陈光华吴越颖王青刘毅张文理宋雪梅邓金祥
- 关键词：永磁体磁场氢化非晶硅
- 非晶/微晶相变域硅薄膜及其太阳能电池被引量：19
- 2005年
- 采用甚高频等离子体增强化学气相沉积(VHF_PECVD)法,成功制备出从非晶到微晶过渡区域的硅薄膜.样品的微结构、光电特性及光致变化的测量结果表明这些处于相变域的硅薄膜兼具非晶硅优良的光电性质和微晶硅的稳定性.用这种两相结构的材料作为本征层制备了p_i_n太阳能电池,并测量了其稳定性.结果在AM1.5(100mW cm2)的光强下曝光800—5000min后,开路电压略有升高,转换效率仅衰退了2.9%.
- 郝会颖孔光临曾湘波许颖刁宏伟廖显伯
- 关键词：太阳能电池等离子体增强化学气相沉积光电性质甚高频微晶硅AM1
- 非晶微晶两相硅薄膜电池的计算机模拟被引量：8
- 2005年
- 在对不同晶相比硅薄膜的实验研究的基础上,利用有效介质理论估算了这种两相材料的光吸收系数、迁移率寿命乘积及带隙宽度等参量,计算机模拟了不同结晶比硅薄膜电池的伏安特性及光谱响应;结果为随着本征层微晶成分的增多,电池的开路电压逐渐减小,短路电流逐渐增大,本征层的最佳厚度逐渐增大,填充因子有降低的趋势,电池的效率随晶相比的增大而减小.电池的光谱响应曲线表明,随晶相比的增大电池的长波响应明显提高.根据这些模拟结果,分析讨论了在考虑Lambertian背反射的情况下,非晶微晶叠层电池的底电池采用晶相比为40%—50%的两相硅薄膜材料做本征层是最佳选择.
- 郝会颖孔光临曾湘波许颖刁宏伟廖显伯
- 关键词：计算机模拟薄膜电池两相材料伏安特性填充因子叠层电池
- 非晶硅基太阳电池p型界面的研究
- 本文介绍作者关于非晶硅基pin型太阳电池p型界面的研究工作。我们采用了AMPS模型计算模拟与PECVD技术制备电池样品相结合的研究方法。研究工作中,我们发现由界面问题引起的光伏Ⅰ-Ⅴ曲线的异常拐弯可区分为两类,一类的拐弯...
- 廖显伯刁宏伟胡志华曾湘波徐艳月孔光临
- 关键词：非晶硅太阳电池
- 文献传递
- MWECRCVD等离子体系统梯度磁场对沉积a-Si:H薄膜特性研究被引量：4
- 2004年
- 分别研究了磁场线圈电流为 115 2和 137 7A以及 137 7A并在加热台下加放SmCo永磁体的方法 ,来改变单磁场线圈分散场MWECRCVD系统等离子体室及沉积室磁场形貌 .用洛伦兹拟合定量地得到了三种磁场形貌的磁场梯度 .研究了磁场梯度对沉积a Si:H薄膜性能的影响 .研究表明 :在衬底附近 ,高的磁场梯度可以获得高的沉积速率 ;在温度不很高时 ,高的磁场梯度可得到光敏性较好的a Si:H薄膜 .
- 胡跃辉阴生毅陈光华吴越颖周小明周健儿王青张文理
- 关键词：梯度磁场薄膜生长沉积速率
- 非晶硅薄膜瞬态光电导的光致变化(英文)
- 2002年
- 研究了非晶硅薄膜的瞬态光电导的光致变化情况 .用通常的非晶态半导体的瞬态光电流的乘方规律和稳态光电导的扩展指数规律都不能对试验数据进行很好的拟合 ,而采用两个指数函数相加的形式可以对实验数据进行很好的拟合 .这表明非晶硅薄膜长时间的衰退不是由带尾态决定 ,而是由深的陷阱决定的 .两个指数函数的衰退分别对应于距导带 0 .5 2 e V和 0 .5 9e V的两个陷阱 ,这两个陷阱可以被指认为带隙中的荷负电中心 .光照后 ,带隙中的复合中心增加 ,导致电子寿命的减少 ,从而引起光电导的衰退 .
- 张世斌孔光临徐艳月王永谦刁宏伟廖显伯
- 关键词：硅薄膜非晶硅
- 氢稀释和频率对非晶硅沉积速率的影响
- ＜正＞在非晶/微晶转变点附近生长的a-Si:H薄膜既具有非晶硅的高光敏性又具有微晶硅的稳定性.因此我们认为提高a-Si:H五薄膜在非晶/微晶转变点附近的沉积速率具有重要意义.
- 徐艳月张世斌刁宏伟王永谦廖显伯
- 文献传递
- 微量硼掺杂非晶硅的瞬态光电导衰退及其光致变化被引量：10
- 2002年
- 利用EG&G的瞬态分析测试仪对微量硼掺杂的高氢稀释非晶硅薄膜的瞬态光电导作了测量 ,并研究了长时间曝光处理对瞬态光电导的影响 .发现薄膜的瞬态光电导衰退可以用双指数函数来拟合 ,说明在样品的光电导衰退过程中有两种陷阱在起作用 ,估算了陷阱能级的位置 .曝光处理后样品的光电导和暗电导不仅没有下降 ,而且还有所上升 ,薄膜的光敏性有所改善 .很可能曝光过程引起了硼受主的退激活 ,导致费米能级向导带边移动 ,使有效的复合中心减少 ,样品的光电导上升 .
- 张世斌孔光临徐艳月王永谦刁宏伟廖显伯
- 关键词：非晶硅薄膜硼掺杂瞬态响应
- 非晶硅碳(a-SiC∶H)薄膜光学常数的透射谱表征被引量：6
- 2005年
- 报道了一种用透射谱数据分析法计算非晶硅碳薄膜的厚度、折射率、吸收系数和光学带隙等光学常数的方法和程序 .这一方法引用有效谐振子模型理论的折射率色散关系 ,所有公式均为解析表达式 ,便于进行数据处理 ,无须专用软件 ,使用Excel即可完成 ,适用于多种半导体薄膜材料 .将这种方法应用于PECVD方法制备的非晶硅碳(a SiC∶H)薄膜 。
- 胡志华廖显伯
- 关键词：光学常数透射谱
- 氢化非晶硅薄膜红外透射谱与氢含量被引量：10
- 2004年
- 研究了用氢化非晶硅薄膜红外透射谱的摇摆模和伸缩模计算氢含量的两种方法，分析了这两种方法在计算薄膜氢含量时引起差别的原因．理论推导及实验结果表明，若将SiH2和(SiH2)。含量大小用结构因子F=(I840+I880)I2000来表示，则在F值较小的情况下，薄膜折射率接近3．4或拟合厚度值d=0.71-0．89μm时，两种计算方法得到的氢含量很接近．研究还发现，制备工艺对薄膜的键结构及组分有很大的影响，不同的制备方法薄膜中形成的SiH2和(SiH2)n含量不同，F值大的样品均匀性差(表现为这些样品实测厚度值与拟合厚度值有较大的差异)；同时在这种情况下，两种方法计算得到它们的氢含量值相差较大，但CAT CVD辅助MWECR CVD制备方法，能有效地抑制SiH2和(SiH2)n的形成。
- 胡跃辉陈光华吴越颖阴生毅高卓王青宋雪梅邓金祥
- 关键词：氢化非晶硅薄膜氢含量红外透射谱
