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国家自然科学基金(51275302)

作品数:10 被引量:37H指数:3
相关作者:孙方宏王新昶林子超赵天奇沈彬更多>>
相关机构:上海交通大学苏州交钻纳米超硬薄膜有限公司上海交友钻石涂层有限公司更多>>
发文基金:国家自然科学基金中国博士后科学基金更多>>
相关领域:金属学及工艺一般工业技术化学工程更多>>

文献类型

  • 10篇中文期刊文章

领域

  • 5篇金属学及工艺
  • 3篇化学工程
  • 3篇一般工业技术

主题

  • 4篇金刚石薄膜
  • 3篇英文
  • 3篇HFCVD
  • 2篇碳源
  • 2篇气相沉积
  • 2篇金刚石
  • 2篇化学气相
  • 2篇化学气相沉积
  • 2篇刚石
  • 2篇WC-CO
  • 2篇CVD
  • 1篇单晶
  • 1篇电火花
  • 1篇电火花线
  • 1篇电火花线切割
  • 1篇电火花线切割...
  • 1篇形核
  • 1篇悬臂
  • 1篇悬臂梁
  • 1篇压模

机构

  • 9篇上海交通大学
  • 2篇苏州交钻纳米...
  • 1篇济南大学
  • 1篇上海交友钻石...

作者

  • 9篇孙方宏
  • 6篇王新昶
  • 2篇林子超
  • 2篇沈彬
  • 2篇赵天奇
  • 1篇张志明
  • 1篇边留进
  • 1篇张建国

传媒

  • 4篇Transa...
  • 2篇金刚石与磨料...
  • 1篇现代制造工程
  • 1篇中国表面工程
  • 1篇Chines...
  • 1篇超硬材料工程

年份

  • 3篇2018
  • 2篇2017
  • 2篇2016
  • 1篇2015
  • 2篇2013
10 条 记 录,以下是 1-10
排序方式:
金刚石薄膜涂层扇形孔绞线紧压模的制备、抛光及应用被引量:1
2016年
为改善异型绞线紧压模耐磨损性能,提高异型线缆质量,采用热丝化学气相沉积方法,在孔型经优化设计的扇形孔绞线紧压模内孔沉积了厚度均匀、附着性能优异、相对易于抛光且具有很好的耐磨损性能的硼掺杂微米-本征微米-本征细晶粒复合金刚石薄膜,采用机械自动线抛光、磨料流抛光及手工机械抛光相结合的抛光工艺对内孔工作表面进行抛光,使其整体表面粗糙度Ra值达到50 nm以下,在铜材质扇形分裂导体绞线紧压实际生产应用试验表明,可以替代低效的传统滚轮挤压工艺;采用传统工艺制造的异型电缆表面粗糙度Ra值约为1.027μm,应用金刚石薄膜涂层扇形孔绞线紧压模可以将其表面粗糙度降低到0.473μm,且在截面积更小、质量更轻的情况下获得更小的电阻。
王新昶王成川孙方宏
关键词:化学气相沉积金刚石薄膜抛光
沉积参数对WC-Co基体内孔HFCVD金刚石薄膜生长的影响(英文)被引量:3
2015年
在内孔HFCVD金刚石薄膜沉积过程中,沉积温度(t)、碳源浓度(φ)、总反应压力(ρ)和气体总流量(F)等沉积参数对金刚石薄膜的生长具有显著影响。采用Taguchi方法系统研究这4个关键参数对内孔HFCVD金刚石薄膜性能的综合影响,并且通过自定义的品质因数(figure-of-merit,FOM)评价金刚石薄膜的综合性能。沉积温度、碳源浓度和总反应压力对于内孔HFCVD金刚石薄膜的各项性能及FOM均存在显著影响,并且与平片或外表面沉积存在一定的差异。根据上述影响性分析的结果,以获得最佳的内孔HFCVD金刚石薄膜综合性能为优化目标所确定的最优化沉积参数为:t=830℃,φ=4.5%,ρ=4000 Pa,F=800 mL/min。
王新昶林子超沈彬孙方宏
关键词:内孔表面
基于正交试验的慢走丝电火花线切割加工的参数优化被引量:22
2013年
慢走丝电火花线切割作为一种重要的加工方式,广泛应用于高精度硬质合金模具的加工领域。材料去除率与表面粗糙度是电火花线切割加工中最重要的两项指标。通过正交试验法,研究了加工硬质合金模具时,慢走丝电火花线切割的加工参数(电流峰值、放电脉宽时间、脉间时间、主电源电压、伺服电压和电解质水压力)对上述两项性能指标的影响,分析了影响性能指标的主次因素,并得到了最佳的参数配置。最后,在慢走丝电火花线切割机床上验证了所得到的优化参数是可行的。
边留进林子超孙方宏郭松寿
关键词:正交试验材料去除率表面粗糙度参数优化
金刚石形核及薄膜生长过程中不同钴含量WC-Co基体中的钴演变(英文)被引量:4
2018年
在具有不同钴含量(6%,10%和12%,质量分数)的硬质合金样品上进行系统试验。基于XPS和EDX检测方法,采用正交试验方法证明了酸浓度、酸处理时间和原始钴含量对去钴深度有显著影响。在此基础上,研究形核、纯氢气氛围加热及生长试验条件下基体温度、原始钴含量及去钴深度对钴演变的影响规律。得到金刚石薄膜涂层器件制备全过程中钴元素的演变机理,为WC-Co基体表面、尤其是高钴含量WC-Co基体表面高质量金刚石薄膜的沉积提供理论依据。结果表明:高钴基体通常表现出较快的钴扩散速度;较高的基体温度会促进预处理基体中的钴扩散,但是在未处理基体中却表现出钴刻蚀作用;对于WC-12%Co基体,较为合适的预处理深度为8-9μm。
王新昶王成川何为凯孙方宏
关键词:WC-CO
硅掺杂CVD金刚石薄膜(英文)被引量:1
2013年
研究硅掺杂对CVD金刚石薄膜形貌、结构特性和成分的影响。通过向丙酮中加入正硅酸乙酯作为反应气体,在硅基底上沉积硅掺杂CVD金刚石薄膜。金刚石薄膜的表面形貌和显微组织由场发射电镜表征。金刚石薄膜的成分通过拉曼光谱和X射线衍射(XRD)进行研究。薄膜的表面粗糙度由表面轮廓仪评估。结果表明,硅掺杂会降低晶粒尺寸,促进晶粒细化并抑制三角锥形形貌。XRD研究表明,(111)朝向的晶面显著减少。拉曼光谱研究表明,硅掺杂会促进薄膜中硅碳键的形成以及非金刚石相的增多。在硅碳浓度比为1%时,沉积得到光滑的细晶粒金刚石薄膜。
崔雨潇张建国孙方宏张志明
关键词:金刚石薄膜
Approach for Polishing Diamond Coated Complicated Cutting Tool: Abrasive Flow Machining(AFM)被引量:1
2018年
Lower surface roughness and sharper cutting edge are beneficial for improving the machining quality of the cut?ting tool, while coatings often deteriorate them. Focusing on the diamond coated WC?Co milling cutter, the abrasive flow machining(AFM) is selected for reducing the surface roughness and sharpening the cutting edge. Comparative cutting tests are conducted on di erent types of coated cutters before and after AFM, as well as uncoated WC?Co one, demonstrating that the boron?doped microcrystalline and undoped fine?grained composite diamond coated cutter after the AFM(AFM?BDM?UFGCD) is a good choice for the finish milling of the 6063 Al alloy in the present case, because it shows favorable machining quality close to the uncoated one, but much prolonged tool lifetime. Besides, compared with the micro?sized diamond films, it is much more convenient and e cient to finish the BDM?UFGCD coated cutter covered by nano?sized diamond grains, and resharpen its cutting edge by the AFM, owing to the lower initial surface roughness and hardness. Moreover, the boron incorporation and micro?sized grains in the underly?ing layer can enhance the film?substrate adhesion, avoid the rapid film removal in the machining process, and thus maximize the tool life(1040 m, four times more than the uncoated one). In general, the AFM is firstly proposed and discussed for post?processing the diamond coated complicated cutting tools, which is proved to be feasible for improving the cutting
Xin-Chang WangCheng-Chuan WangChang-Ying WangFang-Hong Sun
关键词:ABRASIVEMACHININGCOMPLICATEDCUTTINGTOOLCUTTINGMACHININGTOOL
基于交替碳源的微纳复合金刚石涂层拉拔模的制备及应用(英文)被引量:1
2018年
基于交替碳源、采用两步法将微纳复合金刚石薄膜沉积在WC-6%Co硬质合金拉拔模的内孔基体上,其中甲烷和丙酮分别用于微米层和纳米层的沉积。此外,基于甲烷制备的单层微米金刚石和基于丙酮制备的单层纳米金刚石涂层模具分别作为对照组。金刚石涂层拉拔模具的附着力和磨损率采用内孔抛光设备进行检测。与单层金刚石涂层拉拔模具相比,复合金刚石涂层模具表现出更优异的综合性能,包括比单层纳米金刚石涂层模具更高的附着力和耐磨性,以及在相同时间抛光后比单层微米金刚石涂层(R_a=95.6 nm)模具更光滑的表面(R_a=65.3 nm)。与纳米涂层模具相比,复合金刚石涂层模具的寿命提升近20倍。
王成川王新昶孙方宏
关键词:纳米晶粒
低残余应力HFCVD硼掺杂金刚石薄膜的制备与图形化研究被引量:3
2017年
采用拉曼光谱技术分析了不同生长气压和碳源浓度下,硅基HFCVD硼掺杂金刚石薄膜中的残余应力,并使用光刻和反应离子刻蚀技术加工出多种金刚石薄膜微结构。研究结果表明:利用热丝CVD沉积的硅基金刚石薄膜内存在残余压应力,通过优化生长气压,可以有效降低金刚石薄膜的残余压应力,在生长气压从1.3kPa增加至6.5kPa的过程中,晶格缺陷增加,残余压应力减小。碳源浓度的变化对残余应力的影响较小,但对薄膜质量影响较大。采用低残余应力的金刚石薄膜通过光刻和反应离子刻蚀获得了悬臂梁、角加速度计、声学振膜等微结构。
赵天奇王新昶孙方宏
关键词:碳源浓度残余应力
铜基体表面CVD单晶金刚石微粉的制备
2016年
采用基体自形核法,研究了光滑铜基体表面超声研磨预处理对基体表面CVD单晶金刚石微粉沉积的影响。研究结果表明:未经超声研磨预处理的光滑铜基体表面,单晶金刚石微粉形核密度极低;预处理时间不超过1 min时,可以在光滑铜基体表面获得形核密度较高又不会相互连接的单晶金刚石微粉;预处理时间超过2 min时,形核密度过高,金刚石晶粒会相互连接,甚至生长成膜。本实验沉积出的金刚石微粉纯度高,非晶碳含量少,表面光滑,可以观察到(111)和(100)面,具有立方–八面体构型,符合高品级人造金刚石磨料的要求。
申笑天沈彬王新昶赵天奇孙方宏
关键词:金刚石微粉
新型碳化硅基体单层CVD金刚石磨盘的制备被引量:1
2017年
金刚石磨盘被广泛应用在脆硬材料加工领域。文章将机械粉碎法加工而成的金刚石磨料混入光刻胶溶液中,通过甩胶机将光刻胶均匀地甩在碳化硅基体表面以使磨料均匀分布在基体表面。再利用热丝化学气相沉积法(Hot filament chemical vapor deposition,HFCVD)在金刚石磨粒与碳化硅磨盘基体之间沉积一层金刚石薄膜并将其连结起来,制造出碳化硅基体单层CVD金刚石磨盘。由于生长的金刚石涂层与磨粒和基体间均可形成牢固的化学键结合,因此磨粒与基体间具有较强的结合力。对磨盘进行了对磨试验以检测磨盘与磨粒的结合强度。在SEM下观察到金刚石磨料和基体通过金刚石涂层连接,磨料晶粒得到了修补和生长,粒度长大约8~9μm,针状和片状的金刚石晶粒经过CVD法生长后晶粒饱满度值提高,变得晶型完整,自形面清晰。拉曼光谱检测结果显示生长后的磨粒金刚石峰尖锐,石墨峰低,表明金刚石纯度高、缺陷少、石墨及非晶碳含量很少。在对磨试验中,CVD金刚石磨盘磨粒脱落现象远少于电镀磨盘,表明CVD金刚石磨盘对磨料有高的把持力。CVD金刚石磨盘的磨粒裸露度高,对磨后粘连的磨屑不易发生堵塞。磨粒的断裂、破碎、磨钝现象都显著少于电镀金刚石磨盘。
申笑天孙方宏
关键词:化学气相沉积法晶粒生长
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