您的位置： 专家智库 > >

国家自然科学基金(60476012)

作品数：2 被引量：1H指数：1
相关作者：王志功黄风义张少勇池毓宋孔晓明更多>>
相关机构：东南大学北京大学更多>>
发文基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 2篇中文期刊文章

领域

  • 2篇电子电信

主题

  • 1篇英文
  • 1篇射频
  • 1篇小信号
  • 1篇小信号模型
  • 1篇晶体管
  • 1篇晶体管特性
  • 1篇CMOS
  • 1篇MOSFET
  • 1篇表面势

机构

  • 2篇东南大学
  • 1篇北京大学

作者

  • 2篇黄风义
  • 2篇王志功
  • 1篇吴忠洁
  • 1篇孔晓明
  • 1篇陆静学
  • 1篇池毓宋
  • 1篇吴文刚
  • 1篇张少勇

传媒

  • 2篇Journa...

年份

  • 2篇2006
共 2 条 记 录，以下是 1-2
全选 清除 导出
排序方式：
MOSFET表面势解析近似方法的改进(英文)
2006年
通过在表面势公式中增加一高阶近似项,大大提高了传统表面势的解析近似精度.改进前通用参数的精度一般达到1nV量级,某些情况下只能达到0.03 mV.改进后的方法在所有情况下精度都达到1pV量级.同时,改进后的近似方法消除了原有方法误差曲线中的毛刺现象.
陆静学黄风义王志功吴文刚
关键词：MOSFET表面势
0.13μm射频MOS场效应晶体管特性及模拟被引量：1
2006年
采用0.13μm CMOS射频和混合信号工艺进行了射频nMOS场效应晶体管版图的优化设计和芯片制作.对制作的射频nMOS器件进行了直流特性和S参数测试,测试结果表明射频nMOS管的特征频率fT达到了93GHz,fmax超过了90GHz.采用小信号等效电路模型对该nMOS管的交流特性进行了模拟.在100MHz到30GHz频率范围内得到了与测试结果相吻合的仿真结果.
池毓宋黄风义吴忠洁张少勇孔晓明王志功
关键词：CMOS射频小信号模型
全选 清除 导出
共1页<1>
聚类工具0