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浙江省自然科学基金(ZZ4110503)

作品数：1 被引量：1H指数：1
相关作者：李红霞席俊华季振国更多>>
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相关领域：理学更多>>

文献类型

  • 1篇中文期刊文章

领域

  • 1篇理学

主题

  • 1篇电阻
  • 1篇电阻开关
  • 1篇退火
  • 1篇退火温度
  • 1篇开关
  • 1篇开关器件
  • 1篇TIO
  • 1篇TIO2薄膜

机构

  • 1篇杭州电子科技...

作者

  • 1篇季振国
  • 1篇席俊华
  • 1篇李红霞

传媒

  • 1篇无机材料学报

年份

  • 1篇2012
共 1 条 记 录，以下是 1-1
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排序方式：
退火温度对TiO_2基电阻开关器件性能的影响被引量：1
2012年
采用直流磁控溅射法在n+-Si上制备了TiO2薄膜,采用电子束蒸发镀膜仪在TiO2薄膜上沉积Au电极,获得了Au/TiO2/n+-Si结构的器件.研究了退火温度对薄膜结晶性能及器件电阻开关特性的影响.Au/TiO2/n+-Si结构的器件具有单极性电阻开关特性,置位(set)电压,复位(reset)电压、reset电流及功率的大小随退火温度的不同而不同,并基于灯丝理论对器件的电阻开关效应的工作机理进行了探讨.研究结果表明,500℃退火的器件具有良好的非易失性.器件高低阻态的阻值比大于103,其信息保持特性可达10年之久.在读写次数为100次时,器件仍具有电阻开关效应.
李红霞季振国席俊华
关键词：TIO2薄膜电阻开关退火温度
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