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国家重点基础研究发展计划(G2000-03-6601)

作品数：9 被引量：21H指数：3
相关作者：罗毅孙长征韩彦军王健熊兵更多>>
相关机构：清华大学更多>>
发文基金：国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划国家自然科学基金更多>>
相关领域：电子电信更多>>

文献类型

  • 9篇中文期刊文章

领域

  • 9篇电子电信

主题

  • 4篇激光
  • 4篇激光器
  • 2篇等离子体
  • 2篇刻蚀
  • 2篇集成光源
  • 2篇光源
  • 2篇感应耦合
  • 2篇感应耦合等离...
  • 2篇半导体
  • 2篇半导体激光
  • 2篇半导体激光器
  • 2篇GAN
  • 1篇等离子体增强
  • 1篇等离子体增强...
  • 1篇调制
  • 1篇调制器
  • 1篇端面
  • 1篇直接键合
  • 1篇直接键合技术
  • 1篇湿法刻蚀

机构

  • 9篇清华大学

作者

  • 9篇罗毅
  • 5篇孙长征
  • 5篇韩彦军
  • 4篇熊兵
  • 4篇王健
  • 3篇钱可元
  • 2篇江洋
  • 2篇郝智彪
  • 2篇张贤鹏
  • 2篇蔡鹏飞
  • 2篇薛小琳
  • 2篇马洪霞
  • 1篇席光义
  • 1篇李宁
  • 1篇李洪涛
  • 1篇田建柏
  • 1篇汪莱
  • 1篇童爱军
  • 1篇张立江
  • 1篇赵维

传媒

  • 4篇光电子．激光
  • 2篇半导体光电
  • 1篇Journa...
  • 1篇中国激光
  • 1篇红外与毫米波...

年份

  • 1篇2008
  • 1篇2007
  • 1篇2006
  • 2篇2005
  • 2篇2004
  • 1篇2002
  • 1篇2001
共 9 条 记 录，以下是 1-9
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排序方式：
基于Ni/Ag/Pt的P型GaN欧姆接触被引量：3
2006年
提出了新型的Ni/Ag/Pt结构作为具有高光学反射率、低比接触电阻率(SCR)的p-GaN欧姆接触电极。在Ni/Ag/Pt厚度分别为3 nm/120 nm/2 nm的条件下,在500℃、O2气氛中退火3 min,获得了80%的光学反射率(460 nm处)和4.43×10-4Ω.cm2的SCR,样品的表面均方根(RMS)粗糙度约为8nm。俄歇电子能谱(AES)分析表明,Pt很好地改善了Ag基电极退火后的表面形貌,Ni、Ag对形成良好的欧姆接触起了重要的作用。
马洪霞韩彦军申屠伟进张贤鹏罗毅钱可元
关键词：GAN欧姆接触
同一外延层结构高速DFB激光器/EA调制器集成光源的研究被引量：1
2002年
对利用同一外延层结构实现ＤＦＢ激光器与ＥＡ调制器的集成机理进行了理论分析,指出该集成方法有可能获得激光器激射波长与调制器工作波长之间的良好匹配．在理论分析的基础上,研制出了基于同一外延层结构的高速集成光源,该器件具有良好的静态特性,并达到了约８ＧＨｚ的小信号调制带宽．
熊兵王健孙长征罗毅
InP材料直接键合技术被引量：2
2001年
研究了 In P/In P的直接键合技术 ,给出了详细的 In P/In P键合样品的电特性随健合工艺条件变化的数据 ,在低于 6 5 0℃的键合温度下实现了 In P/In P大面积的均匀直接键合 ,获得了与单晶 In P衬底相同的电特性和机械强度 .在器件的键合实验中也获得了成功 ,在 In Ga As P/In P多量子阱激光器结构的外延面上键合 p- In P衬底后制作的激光器激射特性良好 .
李宁韩彦军郝智彪孙长征罗毅
关键词：直接键合半导体激光器磷化铟半导体材料
基于BCl_3感应耦合等离子体的蓝宝石光滑表面刻蚀被引量：1
2007年
利用Ar/BCl3、Cl2/BCl3和SF6/BCl3感应耦合等离子体(ICP),研究了蓝宝石(Al2O3)材料的干法刻蚀特性。实验表明,优化BCl3含量(80%),可以提高对Al2O3衬底的刻蚀速率;在BCl3刻蚀气体中加入20%的Ar气可以在高刻蚀速率下同时获得优于未刻蚀Al2O3衬底表面的光滑刻蚀表面和较好的刻蚀侧壁,原子力显微镜(AFM)分析得到最优刻蚀平整度为0.039nm,俄歇电子能谱(AES)分析其归一化Al/O原子比为0.94。
薛小琳韩彦军张贤鹏江洋马洪霞刘中涛罗毅
关键词：刻蚀速率
硅基微结构制作及其在微分析芯片上的应用被引量：1
2004年
　基于一种新的湿法刻蚀条件和新型的凸角补偿结构,以KOH溶液为腐蚀液,对单晶(100)Si材料进行了湿法刻蚀,获得了表面平整和凸角完整的刻蚀结果,制作了用于微模塑工艺的硅基阳模,并成功地用于聚甲基乙烯基硅氧烷微分析芯片的制作上。
孙洋钱可元韩彦军蔡鹏飞罗毅雷建都童爱军
关键词：硅材料湿法刻蚀凸角补偿
等离子体增强化学气相沉积端面减反膜的研究被引量：5
2004年
　利用等离子体增强化学气相沉积(PECVD)技术制作半导体有源器件端面减反膜的方法简单易行,且适合进行大规模在片制作。采用1/4波长匹配法对减反膜的折射率、膜厚及其容差进行了理论设计,并在选定折射率下,对PECVD的沉积速率进行了测量。在此基础上,制作了1.31μmInGaAsP氧化膜条形结构超辐射发光二极管,通过测定输出光谱调制系数的方法确定出减反射膜的反射率为6.8×10-4,并且具有很好的可重复性。
张立江熊兵王健孙长征钱可元罗毅
关键词：减反射膜等离子体增强化学气相沉积
刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器的制作与特性被引量：1
2005年
利用Cl2/BCl3/CH4电感应耦合等离子体(ICP)干法刻蚀技术,实现了对AlGaInAs,InP材料的非选择性刻蚀。AlGaInAs与InP的刻蚀速率分别为820nm/min与770nm/min,获得了刻蚀深度为4.9μm,垂直光滑的AlGaInAs/AlInAs激光器的刻蚀端面。在此基础上制作出宽接触的刻蚀端面AlGaInAs/AlInAs激光器,实现了室温脉冲激射,其阈值电流和微分量子效率与传统的解理端面激光器基本相当。并通过刻蚀端面与解理端面激光器特性的比较(包括电流-电压、电流-输出光功率以及远场特性),分析了刻蚀端面的引入对激光器特性的影响。
王健熊兵孙长征郝智彪罗毅
关键词：激光技术ALGAINAS感应耦合等离子体
基于图形衬底生长的GaN位错机制分析被引量：4
2008年
采用缺陷选择性腐蚀法结合光学显微镜及原子力显微镜(AFM)对金属有机化合物气相外延(MOVPE)在蓝宝石图形衬底(PSS)上生长的非掺杂GaN体材料的位错产生机制进行了研究,分析结果表明,位错来源于三个方面:一是"二步法"生长机制引入的位错;二是是由于图形衬底上不同区域GaN晶体相互连接时由于晶面不连续所造成的位错群;三是由于图形衬底制作工艺过程中引入的表面污染与损伤。
江洋罗毅薛小琳汪莱李洪涛席光义赵维韩彦军
关键词：图形衬底位错
端面反射对集成光源高频特性的影响及其抑制被引量：3
2005年
研究了分布反馈型半导体激光器(DFB-LD)与电吸收(EA)调制器集成光源中调制器端面残余反射对器件高频特性的影响及其消除。针对在DFB-LD/EA集成光源小信号调制响应曲线低频段观察到的异常起伏,测量了DFB-LD的强度噪声谱,比较了不同反向偏压下EA调制器的调制响应。实验结果表明,对集成器件调制响应的干扰主要是来自于EA调制器端面的残余反射而不是微波调制信号的串扰。为了抑制调制器端面的光反射,优化了抗反镀膜工艺,基本消除了调制响应的异常起伏,有效改善了集成器件的高频调制特性。
蔡鹏飞熊兵王健田建柏孙长征罗毅
关键词：集成光源
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