国家自然科学基金(60476003)
- 作品数：5 被引量：8H指数：2
- 相关作者：刘技文安玉凯刘雅泉赵兴亮鲁博更多>>
- 相关机构：天津理工大学中国科学院更多>>
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- 相关领域：理学电子电信一般工业技术轻工技术与工程更多>>
- 衬底温度对反应溅射TiN_x薄膜结构与电阻率的影响被引量：4
- 2010年
- 采用反应磁控溅射方法,在不同Si(100)衬底温度下,制备出了TiNx薄膜。通过X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对TiNx薄膜的物相、微观结构进行了表征,采用电子能谱仪(EDS)测定了TiNx薄膜的成分,运用四探针测试仪测量了TiNx薄膜的电阻率,研究了衬底温度对溅射TiNx薄膜结构与电阻率的影响。研究结果表明:衬底温度从室温升高到600℃时,随着温度升高,TiNx薄膜的(111)晶面衍射峰逐渐增强,500℃后减弱;(200)晶面衍射峰在300℃时最强,之后减弱。随着衬底温度的升高,TiNx薄膜的晶粒逐渐增大,300℃达最大后减小。随着衬底温度升高,TiNx薄膜的N/Ti原子含量比降低,200℃时降到最低为0.99,随后升高,500℃时最高为1.34,随后再次降低。N/Ti原子含量比与薄膜电阻率呈明显反比变化。
- 安玉凯刘雅泉刘技文
- 关键词：反应磁控溅射电阻率
- SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维的制备和场发射性能研究被引量：2
- 2008年
- 采用阵列碳纳米管作为模板制备出了SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维(以下称SiC纳米纤维),并对其晶体结构、形貌和精细结构使用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)进行了表征。比较了SiC纳米纤维和碳纳米管模板的场发射性能,研究了SiC纳米纤维直径的变化对其绝对场增强因子的影响。结果表明:SiC纳米晶/非晶复合纳米纤维具有特殊的"树状"结构,顶端及"树枝"中分布着大量的SiC纳米晶粒。SiC纳米晶粒以及特殊的分支结构增强了SiC纳米纤维的场发射性能,开启场强低至1.1V/μm,仅为相同直径碳纳米管模板的1/2。随着SiC纳米纤维直径的减小,绝对场增强因子β0呈明显增大趋势。
- 鲁博刘技文刘雅泉安玉凯马永昌
- 关键词：SIC纳米纤维场发射性能
- SiC纳米线的制备研究现状与展望
- 2005年
- 综述了近年来围绕SiC纳米线制备所做的一些工作。介绍了基于VLS、SLS、氧辅助生长机制和利用模板等制备SiC纳米线的一些方法，并就纳米线的性能和应用研究给出了今后SiC纳米线可控制生长应开展的研究工作，对SiC纳米线的制备研究工作进行了展望。
- 李昌龄刘技文赵燕平李延辉李娟
- 关键词：SIC纳米线
- Co掺杂SiC薄膜的紫外光敏特性被引量：2
- 2010年
- 采用射频磁控溅射技术和复合靶材的方法,在p型单晶Si衬底上制备SiC薄膜及Co掺杂SiC薄膜。在真空度为1.0×10-4Pa、温度为1 200℃条件下,保温1 h进行晶化处理。通过X射线衍射(XRD)、X射线能量色散谱(EDX)、霍尔测量和紫外激光器等对薄膜的晶体结构、Co掺杂浓度、载流子浓度、导电类型及光敏特性等进行测试。结果表明,SiC薄膜为6H型晶体结构,Co掺杂后SiC薄膜的导电类型由n型转变为p型,载流子浓度比未掺杂的高2个数量级,对紫外光灵敏度是未掺杂的2倍,光照响应时间比未掺杂的缩短1/3。
- 赵兴亮安玉凯刘技文
- 关键词：SIC薄膜CO掺杂射频磁控溅射
- Co掺杂SiC稀磁半导体薄膜的磁与电阻率特性被引量：2
- 2011年
- 采用射频磁控溅射法制备了不同Co掺杂浓度的SiC薄膜。X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、Hall以及电阻率-温度(-ρT)曲线测试结果表明,Co掺杂SiC薄膜具有4H-SiC(100)晶体结构和典型的半导体导电特征,未发现Co金属团簇以及其它CoSi第二相化合物生成,显示了Co原子以替位掺杂的形式进入了SiC晶格;电流-电压(I-V)特性测试发现,Co掺杂SiC薄膜是一种非均匀掺杂;PPMS磁性测量表明,Co掺杂SiC薄膜具有明显的室温铁磁性,饱和磁化强度随着Co掺杂浓度的增加而增加,其铁磁性的来源符合缺陷机制的束缚磁极子(BMP)机制。
- 李响安玉凯肖庆段岭申吴忠华刘技文
- 关键词：SICCO掺杂铁磁性
