国家自然科学基金(60476007)
- 作品数：4 被引量：3H指数：1
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- SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压被引量：2
- 2009年
- SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压不同于传统的MOSFET的阈值电压.在深入分析工作机理的基础上,利用二维模拟软件ISE提取并分析了器件的阈值电压.对SiC肖特基源漏MOSFET的阈值电压给出物理描述,得出当源极载流子主要以场发射方式进入沟道,同时沟道进入强反型状态,此时的栅电压是该器件的阈值电压.
- 汤晓燕张义门张玉明
- 关键词：碳化硅肖特基接触阈值电压
- N型Ni基SiC欧姆接触比接触电阻的精确求解被引量：1
- 2008年
- 精确求解一维定态薛定谔方程得到电子通过三角形势垒的隧穿几率,用其代替WKB近似计算的隧穿几率精确提取比接触电阻.针对N型Ni基SiC欧姆接触的实验结果进行了计算比较,结果表明采用该方法提取的比接触电阻比采用WKB近似计算的传统方法更加精确和符合实际情况.
- 郭辉张义门张玉明汤晓燕冯倩
- 关键词：欧姆接触比接触电阻直接隧穿WKB近似
- 异质结n^+多晶硅/n型4H-SiC欧姆接触的制备(英文)
- 2008年
- 从理论和实验的角度研究了n型4H-SiC上的多晶硅欧姆接触.在p型4H-SiC外延层上使用P+离子注入来形成TLM结构的n阱.使用LPCVD淀积多晶硅并通过P+离子注入及扩散进行掺杂,得到的多晶硅方块电阻为22Ω/□.得到的n+多晶硅/n-SiC欧姆接触的比接触电阻为3.82×10-5Ω.cm2,接触下的注入层的方块电阻为4.9kΩ/□.对n+多晶硅/n-SiC欧姆接触形成的机理进行了讨论.
- 郭辉冯倩汤晓燕张义门张玉明
- 关键词：欧姆接触多晶硅比接触电阻
- 6H-SiC异质结源漏MOSFET的模拟仿真研究
- 2006年
- 给出了一种新型SiC MOSFET———6H-SiC异质结源漏MOSFET。这种器件结构制备工艺简单,避免了长期困扰常规SiC MOSFET的离子注入工艺难度大、退火温度高等问题,而且具有性能优良,开态电流大,侧墙工艺简单的特点。文中分析了该器件的电流输运机制,并通过器件仿真软件ISE TCAD模拟,给出了SiC异质结源漏MOSFET伏安特性以及其和相关器件结构和工艺参数的关系。
- 张林张义门张玉明汤晓燕
- 关键词：碳化硅MOSFET多晶硅
