西北工业大学基础研究基金(JC20110244)
- 作品数：4 被引量：8H指数：2
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- 发文基金：西北工业大学基础研究基金国家自然科学基金更多>>
- 相关领域：理学化学工程更多>>
- HgI_2晶体最低生长温度的确定被引量：1
- 2012年
- 为确定HgI2晶体的最佳生长温度,根据邻位面生长的台阶动力学,推导出HgI2分子在(001)面扩散激活能ES D约为0.33 eV,进而采用物理气相沉积法的基本理论推算了不同升华温度T1下HgI2晶体生长的最低温度Tmin。结果表明,计算结果与实际晶体生长温度基本一致。该结果为HgI2单晶体、多晶薄膜、单晶薄膜沉积工艺的优化提供了依据。
- 许岗谷智坚增运惠增哲刘翠霞张改
- 关键词：物理气相沉积
- HgI_2同质外延薄膜的气相生长和探测器性能被引量：4
- 2012年
- 为提高HgI2晶体气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从DSMO-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2外延衬底,进而在外延衬底上气相沉积HgI2多晶薄膜并制备了相应的探测器。利用SEM、XRD分析了薄膜的定向生长特性;以241Am为放射源,在室温下测试了探测器的探测效率。
- 许岗谷智魏淑敏
- 关键词：多晶薄膜探测器
- HgI_2多晶薄膜的气相同质外延生长被引量：7
- 2013年
- 为提高HgI2多晶薄膜的气相定向生长效果,在ITO导电玻璃上从不同浓度的C3H6O-HgI2-H2O溶液中过饱和析出HgI2衬底层。通过XRD对比衬底层的定向效果,选择最佳的衬底并气相外延沉积HgI2多晶薄膜。利用SEM、XRD分析了薄膜的定向生长特性;以137 Cs为放射源,在室温下测试了探测器的探测效率。
- 许岗谷智魏淑敏
- 关键词：多晶薄膜
- 溶液法生长碘化汞籽晶层的机理研究被引量：1
- 2014年
- 为提高碘化汞多晶薄膜的气相定向生长效果,文中利用氧化汞和氢碘酸在高纯去离子水中生长了碘化汞籽晶层.配制出了[Hg2+]∶[I-]=1∶3和1∶6两种不同溶度溶液,研究了溶质浓度对籽晶层生长的影响.采用LEICA-DM2500P偏光显微镜和UB200i生物显微镜研究籽晶层的宏观生长形貌,分析了溶液中碘化汞在衬底表面生长形貌和形成薄膜的过程.研究结果表明:当[Hg2+]∶[I-]=1∶3时容易形成四方形晶粒,生长形貌受晶体结构因素影响;而[Hg2+]∶[I-]=1∶6时容易形成密枝晶,其形貌受分子扩散动力学因素控制.
- 郭炎飞许岗谷智惠增哲吕永心
- 关键词：晶体形貌
