国家自然科学基金(60476034)
- 作品数：5 被引量：4H指数：1
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- SiGe HBT双端口网络参数模型和模拟
- 2006年
- 针对等效电路模型中应用频率范围窄、精度低以及在高频器件分析过程中与网络分析法的兼容性差等问题,由交流I-V方程出发,推导得到使用散射参数描述的锗硅异质结双极晶体管(SiGe HBT)的双端口网络参数模型．着重分析了Si／SiGe异质结和基区结构对器件交流性能的作用,并尽量避免省略物理量和对频率上限的限制．与等效电路模型相比,模型的频域精度由半定量提高至优于5％,并将适用频率由特定范围扩展至只计入本征参数时的特征频率fT,涵盖全部SiGe HBT的小信号工作频段,为器件的设计、优化和应用提供了一种宽频带和高精度的定量模拟方法．
- 史辰杨维明刘素娟陈建新
- 关键词：锗硅异质结
- 5．8GHz／0．18μm低噪声放大器噪声分析
- 2006年
- 为了优化设计的5．8 GHz低噪声放大器(LNA)后仿真的各项性能指标,分析了LNA各部分寄生效应对整个电路噪声系数和增益的影响,提出了电路设计和版图设计中应采取的各种措施,使优化后的后仿真结果与前仿真结果基本一致．在考虑MOS管栅电阻和栅感应噪声电流的情况下,后仿真噪声系数为1．6 dB,前向增益为13．7 dB,功耗为8．3 mW,达到了802．11a系统集成的要求．最后给出了LNA版图和后仿真结果．
- 陈建新王文静袁志鹏张弛
- 关键词：低噪声放大器无线局域网电感CMOS集成电路
- 基于高电阻率衬底的Si/SiGe HBT(英文)被引量：1
- 2006年
- 介绍了一种基于电阻率高达1000Ω.cm的硅衬底的锗硅异质结晶体管的研制。首先根据衬底寄生参数模型分析了衬底对器件高频性能的影响,然后设计了器件的材料与横向结构尺寸,该器件采用掩埋金属自对准技术在3μm工艺线上制备而成,测得其典型直流电流增益为120,BVCEO为9.0V,fT为10.2GHz,fmax为5.3GHz,比同结构尺寸的常规N+衬底Si/SiGeHBT的fT和fmax分别高出3.9GHz和1.5GHz。
- 杨维明史辰谢万波吴楠陈建新
- 关键词：锗硅合金异质结晶体管
- 射频放大器前馈技术仿真被引量：3
- 2006年
- 为了满足现代无线通信对放大器线性度的要求,需要对射频放大器的线性度进行优化．讨论了前馈技术的原理和方法。并用ADS软件进行了仿真,利用前馈技术优化的放大器,线性度改善了40 dB以上,表明前馈技术对改善放大器的线性度效果明显。
- 陈建新谢万波杨维明史辰
- 关键词：射频放大器前馈线性度
- 掩埋金属自对准工艺对SiGe HBT性能的改善
- 2007年
- 为了改善传统的双台面工艺受光刻设备和工艺精度限制这一缺陷,引入了掩埋金属自对准工艺.新工艺使SiGe HBT的制作不受最小光刻条宽的限制,从而有效利用了现有的光刻精度.由此工艺得到的器件测量结果证明,在不提高现有光刻设备精度的基础上,掩埋金属自对准工艺对器件的性能有了改进.
- 陈建新吴楠史辰杨维明
- 关键词：自对准金属-半导体接触
