国家高技术研究发展计划(2004AA513021)
- 作品数：12 被引量：81H指数：6
- 相关作者：敖建平孙云何青李凤岩孙国忠更多>>
- 相关机构：南开大学安徽工程科技学院天津大学更多>>
- 发文基金：国家高技术研究发展计划安徽省高校省级自然科学研究项目安徽省高等学校青年教师科研项目更多>>
- 相关领域：动力工程及工程热物理电气工程理学电子电信更多>>
- 射频溅射氧化锌薄膜晶体结构和电学性质被引量：1
- 2005年
- 利用射频磁控溅射ZnO:Al(3wt%)陶瓷靶材制备ZAO薄膜,利用X射线衍射仪和霍尔测试仪分析了不同衬底温度和工作压强对薄膜结构和电学性能的影响.结果表明,随工作压强的降低,薄膜(002)优先取向增强,迁移率逐渐增大,当工作压强为0.2 Pa、衬底温度为200℃时,薄膜的电阻率为1.4×10-3Ω·cm.
- 汲明亮李凤岩何青李伟孙云刘唯一徐传明周志强
- 关键词：射频磁控溅射ZAO薄膜电学性能
- 共蒸发三步法制备CIGS薄膜的性质被引量：12
- 2006年
- 采用PID温度控制器控制共蒸发设备中蒸发源及衬底加热的温度,以三步法工艺制备CIGS(Cu(In,Ga)Se2)薄膜,通过恒功率加热衬底测试温度的变化,可实现在线组分监测,得到CIGS薄膜的组成重现性很好.CIGS薄膜的表面光洁,粗糙度多数小于10nm.但是组成相同的CIGS薄膜,其结晶择优取向可能不同,主要有(112)和(220)/(204)两种;其结晶形貌也有很大的不同,晶粒粗大且成柱状的薄膜电池效率高,虽然从Cu/(In+Ga)<1的组成可以认为CIGS薄膜为贫Cu结构,但Hall测试多数CIGS薄膜呈p型,少数呈n型.
- 敖建平孙云王晓玲李凤岩何青孙国忠周志强李长健
- 关键词：薄膜太阳电池
- 化学水浴沉积时间对CdS薄膜性质的影响被引量：9
- 2007年
- 采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,通过XRD、XRF、SEM和光学透过率谱等测试手段研究了沉积时间对CdS薄膜沉积过程和性质的影响。结果表明,随着沉积时间的增加,薄膜增厚;S/Cd原子比增加,但都为富Cd的CdS薄膜;XRD研究表明,薄膜结构由立方、六方混合相向立方相转变,(111)方向成为择优生长方向;SEM研究表明,随沉积时间增加,薄膜变致密,薄膜表面出现的白色附着颗粒增多,尺寸增大;沉积时间对薄膜的光学性质也有很大的影响,随着沉积时间的增加薄膜透过率减小,而禁带宽度值增大。
- 刘琪冒国兵敖建平
- 关键词：CDS薄膜
- Cu(In,Ga)Se_2太阳电池缓冲层ZnS薄膜性质及应用被引量：3
- 2007年
- 在含有ZnSO4,SC(NH2)2,NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,XRF和热处理前后的XRD测试表明,ZnS沉积薄膜为立方相结构,薄膜含有非晶态的Zn(OH)2.光学透射谱测试表明,制备的薄膜透过率(λ>500nm)约为90%,薄膜的禁带宽度约为3·51eV.ZnS薄膜沉积时间对Cu(In,Ga)Se2太阳电池影响显著,当薄膜沉积时间在25～35min时,电池的综合性能最好.对比了不同缓冲层的电池性能,采用CBD-CdS为缓冲层的电池转换效率、填充因子、开路电压稍高于CBD-ZnS为缓冲层的无镉电池,但无镉电池的短路电流密度高于前者,两者转换效率相差2%左右.ZnS可以作为CIGS电池的缓冲层,替代CdS,实现电池的无镉化.
- 刘琪冒国兵敖建平
- 关键词：ZNS薄膜
- 化学水浴沉积CdS薄膜晶相结构及性质被引量：21
- 2005年
- 采用CBD法在醋酸镉溶液体系中制备CdS半导体薄膜,研究了溶液组份的浓度对CdS结晶结构的影响.增加乙酸胺的浓度、提高溶液的pH值有利于生成立方晶CdS,反之则易于生成六方晶CdS.无论立方相还是六方相CdS薄膜,电阻率均在104～105Ω·cm范围,结晶均匀细致.用六方晶为主和立方晶为主的CdS制备的CIGS太阳电池最高效率分别达到12.10%和12.17%.
- 敖建平何青孙国忠刘芳芳黄磊李薇李凤岩孙云薛玉明
- 关键词：CDS晶相结构
- 三元体系化学水浴法制备ZnS薄膜结晶性能的研究
- 太阳薄膜电池 ZnS 缓冲层一般以氨水为主络合剂、水合肼为辅助络合剂二元络合体系化学水浴法制备．实验发现以氨水为主络合剂、水合肼和柠檬酸为辅助络合剂三元体系制备的 ZnS 薄膜质量明显要比氨水、水合肼二元体系的 ZnS ...
- 王应民孙云蔡莉杜楠孙国忠李禾
- 关键词：ZNS薄膜透射光谱柠檬酸
- 文献传递
- 不同成分比例CIGS薄膜及太阳电池的快速退火(英文)被引量：2
- 2009年
- 研究了110～180℃(2 min)下的快速热退火对Cu(In,Ga)Se2(CIGS)薄膜特性及CIGS太阳电池性能的影响.结果表明:对于不同成分比例的CIGS(正常、富Cu、高Ga)电池来说,150℃,2 min的快速退火最利于电池性能及二极管特性的增加.其中,退火对富Cu电池的开路电压Voc改善最大,这是因为快速热退火对消除部分CIGS薄膜中的CuSex有积极作用,从薄膜的电阻率有少量提高,器件的短路电流Jsc有少量下降可以得到验证;而对于高Ga电池来说,填充因子FF的改善最大,这是因为高Ga样品的缺陷较多,退火会消除薄膜内部的部分缺陷,从而薄膜的迁移率及Jsc都有所提高,使得FF有较大的增加.
- 刘芳芳孙云王赫张力李长健何青李风岩周志强
- 关键词：CIGS薄膜太阳电池快速退火二极管特性
- 射频溅射氧化锌薄膜晶体结构和电学性质
- ZnO薄膜是一种新型的Ⅱ-Ⅵ族宽禁带化合物半导体材料,具有优异的结构、光学和电学特性,使其在太阳电池、液晶显示器、热反射镜等领域得到广泛的应用。铝掺杂的氧化锌(ZnO:Al-ZAO)透明导电膜在可见光区内具有较高的透射率...
- 汲明亮李凤岩何青李伟孙云刘唯一徐传明薛玉明周志强
- 文献传递
- 化学水浴沉积CIGS太阳电池缓冲层ZnS薄膜的研究被引量：6
- 2007年
- 在含有ZnSO4、SC(NH2)2、NH4OH的水溶液中采用CBD法沉积ZnS薄膜,研究了沉积时间、水浴温度、搅拌等工艺条件对沉积薄膜的影响。薄膜的厚度与搅拌的强度有很大关系,表明扩散传质是薄膜生长的控制步骤。XRF和XRD测试表明沉积的薄膜中含有ZnS和Zn(OH)2,SEM测试表明薄膜颗粒大小相近,但不致密。随着沉积时间的增加,薄膜厚度增加,透过率减小。当前采用CBD-ZnS薄膜制备的无镉CIGS太阳电池转换效率达到8.54%。
- 刘琪冒国兵敖建平孙云孙国忠刘芳芳何青李凤岩周志强李长健
- 关键词：ZNS薄膜
- Cu(In,Ga)Se_2材料成分对其电池性能的影响被引量：21
- 2005年
- 利用三步共蒸发法制备铜铟硒薄膜太阳电池中的吸收层CIGS薄膜,采用多种测试手段,研究其成分比例与薄膜的电阻率、载流子浓度、表面粗糙度之间的关系.电阻率为102～103Ω·cm之间,是Cu、Ⅲ族元素、Se配比较为合适的区域.载流子浓度在1015～1016cm-3范围内,薄膜表面粗糙度是随着Cu/(Ga+In)比呈下降趋势,Cu越多,表面越光滑,当Cu/(Ga+In)比超过1.25以后,变化趋势逐渐减弱.当Cu/(Ga+In)比在1.0附近时,粗糙度处于30～60nm之间.在上述范围内,研制出转换效率为12.1%的CIGS薄膜太阳电池.
- 刘芳芳何青李凤岩敖建平孙国忠周志强孙云
- 关键词：CIGS薄膜太阳电池
